井関 次郎 | 阪大 理

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著作論文

• 8a-F-6 Ge/deep level impurityのサイクロトロン共鳴
• 不純物を含むGeのサイクロトロン共鳴II. : 非同族元素の場合(半導体(マイクロ波))
• サイクロトロン共鳴におよぼす一軸性ストレス効果 : 半導体 : マイクロ
• 不純物を含むGe,Siのサイクロトロン共鳴 : 半導体 : マイクロ
• 8a-F-4 Ge/Inのサイクロトロン共鳴
• 中性子不純物による電子散乱の取扱いに関する反省 : 半導体(理論, サイクロトロン共鳴)

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