石田 修一 | 阪大理

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概要

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著作論文

• 13p-H-1 n-InSbのFreeze-Out効果と不純物伝導
• 3p-H-6 n-InSbのパルス電場変調サイクロトロン共鳴
• 6a-B1-7 GaAs細線の低温電気伝導のゆらぎ(II)
• 28a-Q-7 選択ドープGaAs-AlGaAs細線の電気伝導
• 30a-RB-6 高濃度にイオン注入したSi:Sb薄膜および細線の電気伝導
• 30a-RB-5 PtSi極微細線の電気伝導
• 29a-A-4 極微GaAs細線の電気伝導
• 2p-L-10 n型GaAsの相互作用効果の磁場依存性
• 2p-L-9 n型GaAsの非弾性散乱時間
• 3p-RM-8 n型InSbとn型GaAsでのアンダーソン局在効果
• 28a-HE-8 IK以下でのn型InSbとn型GaAsの磁気抵抗
• 1a-B-1 1K以下での金属的n型InSbの磁気抵抗
• 1a-Pα-8 100mK以下での金属的n型InSbの電気抵抗
• 30a-D-6 100mK以下の温度でのn型InSbの抵抗測定
• 3a-B-1 n-InSbの不純物伝導
• 31p-BJ-15 n-InSb の magnetic freeze-out と易動度端
• 8a-B-11 n-InSbのmagnetic field-induced hopping
• 12a-F-10 n-InSbの不純物伝導 : 補償度及びドナー濃度依存性
• 3a-R-4 n-InSbの不純物帯伝導
• 13a-W-8 n-InSbのmagnetic freeze-outと不純物伝導
• 4p-KL-9 n-InSbのfreege-out効果と不純物伝導
• 23a-G-10 n-InSbのFreeze-Out効果と不純物伝導
• 5p-M-5 n-InSbのFreeze-out効果と不純物伝導
• 7p-B-10 Ni-doped Ge (p-type)のstress-Hall効果
• 4a-N-8 Ge中の深い不純物準位の一軸性圧力効果
• 30a-K-13 SnSeの金属型不純物伝導と負磁気抵抗効果
• 4a-B-2 層状半導体GeSeの不純物伝導
• 30a-E-3 層状半導体GeSeにおけるキャリアの局在化
• 14a-E-3 Bi単結晶薄膜の弱局在効果
• 28a-M-8 Bi単結晶薄膜の電気伝導
• 1a-E-3 PtSi薄膜及び細線の電気伝導
• 2p-L-6 Pt-Si薄膜のアンダーソン局在
• Si中の電子の中性化不純物散乱 : 半導体(レゾナンス)
• 5a-G-7 補償されたゲルマニウムのサイクロトロン共鳴
• 極微細線の電気伝導--実験
• 1p-B-17 Pb_Sn_xTe中のIII族不純物電子の電子-格子強結合
• Ge-Si合金のHall易動度(p-型) : 半導体 : 輸送
• 中性子不純物による電子散乱の取扱いに関する反省 : 半導体(理論, サイクロトロン共鳴)
• 1a-E-5 金属型GaAs薄膜のアンダーソン局在
• 1a-E-4 Al細線の電気伝導
• 2p-L-7 高濃度域Si:Sb薄膜の電気伝導
• 30a-LB-10 n^+-GaAs細線における伝導度のゆらぎの試料サイズ依存性(低温)
• 1p-L4-13 GaAs細線の低温電気伝導のゆらぎ(低温(薄膜・細線の電気伝導))
• 30a-CQ-11 極微構造金属細線の電気伝導(低温)
• 1a-D2-2 PbTe-SnTe超格子の超伝導(1a D2 半導体(表面界面・超格子),半導体)
• 30a-CQ-10 PtSi極微細線の電気伝導(低温)
• 30a-FC-9 GaAs薄膜及び極微細線の電気伝導(30a FC 半導体(表面・界面・超格子・MOS))
• 31a-B1-7 PtSi薄膜の弱反局在(31a B1 低温)
• 31a-B1-3 高濃度にイオン注入したSiの2次元弱局在(31a B1 低温)
• 30a-LB-9 PtSi細線の側面磁気散乱効果(低温)

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