4p-KL-9 n-InSbのfreege-out効果と不純物伝導

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1974-03-20

著者

• 石田 修一

  阪大理

• 大塚 エイ三

  阪大教養

• 大塚 エイ三

  阪大 教養

• 松田 修

  阪大教養

関連論文

• 13p-H-1 n-InSbのFreeze-Out効果と不純物伝導
• 3p-H-6 n-InSbのパルス電場変調サイクロトロン共鳴
• 1a-N-7 H_2Oレーザー励起によるサイクロトロン共鳴
• 4p-N-11 n-InSbのサブミリ波サイクロトロン共鳴
• 17p-A-9 n-InSbのサイクロトロン共鳴
• InSbのサブミリ波メーザー・サイクロトロン共鳴 : 半導体 (化合物, その他)
• 5a-G-10 一軸性引張応力の下でのサイクロトロン共鳴
• 5a-G-8 転位と再結合とサイクロトロン共鳴
• 6a-B1-7 GaAs細線の低温電気伝導のゆらぎ(II)
• 28a-Q-7 選択ドープGaAs-AlGaAs細線の電気伝導
• 30a-RB-6 高濃度にイオン注入したSi:Sb薄膜および細線の電気伝導
• 30a-RB-5 PtSi極微細線の電気伝導
• 29a-A-4 極微GaAs細線の電気伝導
• 2p-L-10 n型GaAsの相互作用効果の磁場依存性
• 2p-L-9 n型GaAsの非弾性散乱時間
• 3p-RM-8 n型InSbとn型GaAsでのアンダーソン局在効果
• 28a-HE-8 IK以下でのn型InSbとn型GaAsの磁気抵抗
• 1a-B-1 1K以下での金属的n型InSbの磁気抵抗
• 1a-Pα-8 100mK以下での金属的n型InSbの電気抵抗
• 30a-D-6 100mK以下の温度でのn型InSbの抵抗測定
• 3a-B-1 n-InSbの不純物伝導
• 31p-BJ-15 n-InSb の magnetic freeze-out と易動度端
• 8a-B-11 n-InSbのmagnetic field-induced hopping
• 12a-F-10 n-InSbの不純物伝導 : 補償度及びドナー濃度依存性
• 3a-R-4 n-InSbの不純物帯伝導
• 13a-W-8 n-InSbのmagnetic freeze-outと不純物伝導
• 4p-KL-9 n-InSbのfreege-out効果と不純物伝導
• 23a-G-10 n-InSbのFreeze-Out効果と不純物伝導
• 5p-M-5 n-InSbのFreeze-out効果と不純物伝導
• 7p-B-10 Ni-doped Ge (p-type)のstress-Hall効果
• 4a-N-8 Ge中の深い不純物準位の一軸性圧力効果
• Quantum Lines of Stress-split Hole of Ge : 半導体(レゾナンス)
• 7a-B-8 n-InSbにおける遠赤外サイクロトロン共鳴の温度依存症
• 5p-U-12 n-InSbにおける強磁場中のホットエレクトロン
• 12p-F-4 n-InSbのホットエレクトロン・サイクトロン発光
• 2p-R-4 n型InSbにおけるサイクロトロン発光
• 2p-R-2 光励起遠赤外レーザーによるn-InSbの磁気光効果
• 22a-G-9 n-InSbにおけるサイクロトロン発光
• 30a-K-13 SnSeの金属型不純物伝導と負磁気抵抗効果
• 4a-B-2 層状半導体GeSeの不純物伝導
• 30a-E-3 層状半導体GeSeにおけるキャリアの局在化
• 14a-E-3 Bi単結晶薄膜の弱局在効果
• 28a-M-8 Bi単結晶薄膜の電気伝導
• 1a-E-3 PtSi薄膜及び細線の電気伝導
• 2p-L-6 Pt-Si薄膜のアンダーソン局在
• 6a-K-3 n型及びp型ゲルマニウムにおける電子 正孔の長い寿命
• 4p-U-10 Geにおけるアクセプター及び励起子の磁場中のエネルギー準位
• 11p-F-12 電子・正孔プラズマ及びエクシトンによる遠赤外光吸収
• 4p-R-2 Geの電子-正孔液滴によるマグネットプラズマ吸収
• K. Seeger : Semiconductor Physics, Springer-Verlag, Wien and New York, 1973, xv+514ページ, 24.5×17.5cm, 8,400円.
• 13a-W-14 励起子及び電子・正孔液滴による遠赤外光の透過
• 13a-W-13 電子,励起子,液滴の拡散
• 3.Ge-Si合金のサイクロトロン共鳴と電流磁気効果(講義ノート,「非周期系物性の基礎理論」基研研究会報告)
• 4p-KL-7 H_2Oレーザーによるn-Geの磁気光吸収
• サイクロトロン共鳴の応用と限界 : 半導体シンポジウム
• 5p-KD-12 電子-正孔液滴に対する一軸性ストレス効果
• 5p-KD-11 Ge中のE-H-Dによるマグネトプラズマ吸収
• 24a-G-4 Geの遠赤外光による光吸収
• 4p-N-12 CO_2レーザー光励起によるサイクロトロン共鳴
• 18a-A-21 一軸性圧力をかけたゲルマニウムの正孔のサイクロトロン共鳴
• 18a-A-20 GeとSiの変形ポテンシャル〓の決定
• 一軸性圧力を加えたGeのholeのサイクロトロン共鳴幅 : 半導体(不純物伝導)
• 深い準位の不純物を含むGeのサイクロトロン共鳴 : 半導体(不純物伝導)
• 中性不純物散乱におけるSpin-Polarizationの効果 : 半導体(不純物伝導)
• 3a-H-7 He^3による1°K以下でのサイクロトロン共鳴
• 3a-H-2 Si,Ge中のLiによる電子散乱
• 14a-K-10 Ge中の深い不純物による電子散乱
• 5a-G-9 Quantum Line's Width of Stress : Split Hole of He
• サイクロトロン共鳴を用いた中性不純物による捕獲と再結合の研究 : 半導体 : 雑
• Intervalley scattering by neutralized acceptors in Ge & Si : 半導体(レゾナンス)
• Si中の電子の中性化不純物散乱 : 半導体(レゾナンス)
• サイクロトロン共鳴の周波数依存性 : 半導体 : マイクロ
• サイクロトロン共鳴におよぼす一軸性ストレス効果 : 半導体 : マイクロ
• 5a-G-7 補償されたゲルマニウムのサイクロトロン共鳴
• 極微細線の電気伝導--実験
• 1p-B-17 Pb_Sn_xTe中のIII族不純物電子の電子-格子強結合
• Ge-Si合金のHall易動度(p-型) : 半導体 : 輸送
• 中性子不純物による電子散乱の取扱いに関する反省 : 半導体(理論, サイクロトロン共鳴)
• 1a-E-5 金属型GaAs薄膜のアンダーソン局在
• 3a-M-13 電子-正孔液滴中の磁気プラズマ共鳴
• 3a-M-12 高純度シリコンにおける電子-励起子相互作用
• 3a-M-11 励起子の"衣"をきた電子・正孔のサイクロトロン共鳴?
• 3a-H-3 サイクロトロン共鳴における励起子効果
• 1a-E-4 Al細線の電気伝導
• 2p-L-7 高濃度域Si:Sb薄膜の電気伝導
• 22a-G-8 エクシトニック・ポーラロン
• F.Seitz and D.Turnbull 編: Solid State Physics, Vol. 20, Academic Press, New York, 1967, 427頁, 16×23.5cm, 7,800円. : 2. R.W. Keyes: Electronic Effects in the Elastic Properties of Semiconductors, 37〜90頁
• 30a-LB-10 n^+-GaAs細線における伝導度のゆらぎの試料サイズ依存性(低温)
• 1p-L4-13 GaAs細線の低温電気伝導のゆらぎ(低温(薄膜・細線の電気伝導))
• 30a-CQ-11 極微構造金属細線の電気伝導(低温)
• 1a-D2-2 PbTe-SnTe超格子の超伝導(1a D2 半導体(表面界面・超格子),半導体)
• 30a-CQ-10 PtSi極微細線の電気伝導(低温)
• 30a-FC-9 GaAs薄膜及び極微細線の電気伝導(30a FC 半導体(表面・界面・超格子・MOS))
• 31a-B1-7 PtSi薄膜の弱反局在(31a B1 低温)
• 31a-B1-3 高濃度にイオン注入したSiの2次元弱局在(31a B1 低温)
• 30a-LB-9 PtSi細線の側面磁気散乱効果(低温)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク