2p-L-6 Pt-Si薄膜のアンダーソン局在

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1984-09-10

著者

• 邑瀬 和生

  阪大理

• 奥村 敏之

  阪大・理

• 石田 修一

  阪大理

• 植松 滋幸

  三菱lsi研

• 奥村 敏之

  阪大理

関連論文

• 3a-TC-15 a-GeSe_2中のフォトドーパントAg・Cuによる光電子スペクトル
• 3a-TC-14 a-GeSe_2のSeコアエキシトンによる共鳴光電子放出
• 4p-A-14 コア・スペクトルからみたa-GeSe_2の中距離構造のフォト・ドーピング効果
• 4p-A-13 フォト・ドーピングされたa-GeSe_2の光電子スペクトル
• 31p-F-12 Ge-(S, Se)系バルクガラスにおける構造次元性とフラクタル性
• X=0.07近傍のGe_XSe_結晶相
• Eu^ドープGeS_2ガラスのイオン-格子相互作用
• 結晶GeSe_2の共鳴ラマンスペクトル
• 31p-F-11 Ge(S_xSe_)_2ガラスのフォトルミネッセンススペクトル形状の励起エネルギー依存性
• 31p-F-10 Ge_xSe_ガラスのラマンスペクトルの温度依存性
• 5a-J-9 磁気電子フォーカス効果における"端子反射"のメカニズム
• 28p-L-8 2次元電子系における不規則アンチドット構造の効果
• 28p-L-7 磁気電子フォーカス効果における電子出射分布と端子反射
• 13a-K-2 ゲート制御したGaAs/AlGaAs多端子素子における磁気電子フォーカス効果
• 27a-P-7 GaAs/AlGaAs多端子構造における磁気電子フォーカス効果
• 27p-B-11 GaAs/AlGaAs多端子素子での電子フォーカス効果
• 4p-N-11 n-InSbのサブミリ波サイクロトロン共鳴
• 5a-G-10 一軸性引張応力の下でのサイクロトロン共鳴
• 30a-M-10 低温, 高圧における量子強誘電的半導体の新しい抵抗異常と誘電率異常
• 2a-N-2 PbTe-SnTe半導体中のIII族不純物の電子 : 格子強結合
• poly-Si MOS FETの弱局在
• poly-Si MOSFETの広範囲ホッピングにおける負の磁気抵抗
• poly-Si MOS FETの弱局在
• poly-Si MOSFETの広範囲ホッピングにおける負の磁気抵抗
• 30p-YN-9 高易動度 Poly-Si TFT の電子局在
• 28p-L-12 多結晶Si-薄膜トランジスターのアンダーソン局在
• 28p-L-12 多結晶Si-薄膜トランジスターのアンダーソン局在
• 12a-K-13 多結晶Si薄膜トランジスタの強局在
• 12a-K-13 多結晶Si薄膜トランジスタの強局在
• 29p-T-5 PtSi超薄膜のアンダーソン局在
• 26a-P-12 PtSi超薄膜の超伝導と局在
• 28a-B-2 PtSi薄膜の位相緩和時間
• 26p-ZB-4 Ptsi細線の位相緩和時間
• 6a-B1-8 GaAs-AlGaAs極微構造における非対称磁気抵抗のゆらぎ
• 6a-B1-7 GaAs細線の低温電気伝導のゆらぎ(II)
• 28a-Q-7 選択ドープGaAs-AlGaAs細線の電気伝導
• 30a-RB-6 高濃度にイオン注入したSi:Sb薄膜および細線の電気伝導
• 30a-RB-5 PtSi極微細線の電気伝導
• 29a-A-4 極微GaAs細線の電気伝導
• 14p-W-6 n-GaAsのフォノン-減衰プラズモン結合モードによるラマン散乱
• 3a-KL-9 GaAsの表面ラマン散乱のキャリヤー濃度依存性
• アンチドット系の格子配置とホール抵抗の消失
• アンチドット系の格子配置とホール抵抗の消失
• 1a-E-12 周期アンチドット系における磁気抵抗の弱磁場領域でのふるまい
• 異方アンチドット系における電気伝導度
• 28a-X-5 異方アンチドット系における電気伝導度
• 31p-N-10 アンチドット系における整合振動の電流方向依存性
• 31p-N-10 アンチドット系における整合振動の電流方向依存性
• 5a-J-9 磁気電子フォーカス効果における"端子反射"のメカニズム
• 28p-L-8 2次元電子系における不規則アンチドット構造の効果
• 28p-L-7 磁気電子フォーカス効果における電子出射分布と端子反射
• 13a-K-2 ゲート制御したGaAs/AlGaAs多端子素子における磁気電子フォーカス効果
• 2p-D-9 ZnSxSe_ MBE薄膜のラマン散乱
• 3a-C-7 ZnSxSe1-x エピタキシャル薄膜のラマン散乱
• 26p-ZB-3 GaAs細線における位相コヒーレンス長
• 11p-N-4 PbTe-Pb_Sn_Te超格子のサイクロトロン共鳴
• Quantum Lines of Stress-split Hole of Ge : 半導体(レゾナンス)
• 31p-YH-7 Zn_Mn_xS微結晶の光学特性
• 29a-S-7 非晶質 GeSe_2 の結晶化温度の試料作成法依存性
• 29p-X-9 多結晶PbTe極微細線におけるアンダーソン局在
• 28p-W-15 アモルファスGe_xSe_系の正・逆光電子分光
• 29p-X-11 アモルファスGe-Se-Bi薄膜の正・逆光電子スペクトルとラマンスペクトル
• 28p-YQ-10 アモルファスGe-Se-Bi薄膜の正・逆光電子分光
• 31p-M-10 Ag,Cuをフォトドープした a-GeSe_2 の伝導帯構造
• 12a-DF-12 a-Si/SiO_2多層膜のレーザーアニーリング
• 3p-ZE-9 GaAs/AlGaAs量子細線の磁気抵抗振動
• 2a-B-7 IV-VI族半導体の構造相転移と電気抵抗異常
• 9p-R-5 ラマン散乱によるp-SnTe相転移のキャリヤー濃度依存性
• 2p-R-10 n-GaAsのフォノン-減衰プラズモン結合モードによるラマン散乱
• 24a-M-12 PbTe薄膜及び細線の反局在効果
• 29p-PS-33 Y系酸化物超伝導体薄膜の電気伝導
• 30a-W-4 GeSe_2のフォトルミネッセンスの温度依存性と励起エネルギー依存性
• 29p-B-9 単結晶およびアモルファスGeSe_2のフォトルミネッセンスの温度依存性
• 26p-M-5 GeSe_2微粒子のラマン散乱
• 8a-F-6 Ge/deep level impurityのサイクロトロン共鳴
• Quenched-in Vacancyを含むGeのサイクロトロン共鳴 : 半導体(理論, サイクロトロン共鳴)
• 29p-ZK-11 アンチドット構造上の電子ピンボール
• 27a-SB-18 ストイキオメトリー・ガラスGe(S, Se)の中距離構造と次元性
• 27a-SB-17 (Ge, Sn)カルコゲナイドガラスのクラスター中のSnの配置
• 2p-B-15 ガラス半導体ゲルマニウム・カルコゲナイドの次元性と振動スペクトル
• 2p-B-14 SnをProbeとしたGe-S系ガラス半導体の中距離秩序
• 2a-K-6 (Ge,Sn)-カルコゲナイド・ガラス半導体の構造と振動スペクトル : 組成および圧力依存性
• 31p-B-9 (Ge,Sn)カルコゲナイド・ガラス半導体の高圧ラマン散乱
• 31p-B-8 (Ge,Sn)カルコゲナイド・ガラス半導体の赤外振動スペクトル
• 4a-NL-19 Ge-カルコゲナイドガラス半導体の高圧下ラマン散乱
• 2p-W-10 (Ge, Sn)-カルコゲナイドのガラス形成・難易度
• 2p-W-9 a-Ge_Se_xの振動スペクトルのアニール効果
• 30a-K-13 SnSeの金属型不純物伝導と負磁気抵抗効果
• 4a-B-2 層状半導体GeSeの不純物伝導
• 4a-B-1 層状半導体GeSe, SnSeの相転移
• 1p-B-7 C&a-(Ge, Sn)カルコゲナイドのフォノン・スペクトル
• 30a-E-3 層状半導体GeSeにおけるキャリアの局在化
• 30a-E-2 層状半導体GeSeの相転移
• 2p-B-6 IV-VI族層状半導体GeSe,SnSeのフォノン・スペクトル
• 1a GF-12 IV-VI族半導体のバンド・ギャップと相転移
• 3p-AB-10 IV-VI族半導体のボンド・ギャップと相転移
• 28p-G-11 Pb_Sn_xTe/Inの光励起緩和とダブルキャプチャーモデル
• 29a-B-8 Pb_Sn_xTe/Inの磁気光反射
• 3a-F-5 Pb_S_Te/Inの磁気光吸収
• 3p-Q-5 Pb_Sn_xTe/Inの長寿命フォトキャリアのサイクロトロン共鳴

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク