邑瀬 和生 | 阪大理

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著作論文

• 3a-TC-15 a-GeSe_2中のフォトドーパントAg・Cuによる光電子スペクトル
• 3a-TC-14 a-GeSe_2のSeコアエキシトンによる共鳴光電子放出
• 4p-A-14 コア・スペクトルからみたa-GeSe_2の中距離構造のフォト・ドーピング効果
• 4p-A-13 フォト・ドーピングされたa-GeSe_2の光電子スペクトル
• 31p-F-12 Ge-(S, Se)系バルクガラスにおける構造次元性とフラクタル性
• X=0.07近傍のGe_XSe_結晶相
• Eu^ドープGeS_2ガラスのイオン-格子相互作用
• 結晶GeSe_2の共鳴ラマンスペクトル
• 31p-F-11 Ge(S_xSe_)_2ガラスのフォトルミネッセンススペクトル形状の励起エネルギー依存性
• 31p-F-10 Ge_xSe_ガラスのラマンスペクトルの温度依存性
• 5a-J-9 磁気電子フォーカス効果における"端子反射"のメカニズム
• 28p-L-8 2次元電子系における不規則アンチドット構造の効果
• 28p-L-7 磁気電子フォーカス効果における電子出射分布と端子反射
• 13a-K-2 ゲート制御したGaAs/AlGaAs多端子素子における磁気電子フォーカス効果
• 27a-P-7 GaAs/AlGaAs多端子構造における磁気電子フォーカス効果
• 27p-B-11 GaAs/AlGaAs多端子素子での電子フォーカス効果
• 4p-N-11 n-InSbのサブミリ波サイクロトロン共鳴
• 5a-G-10 一軸性引張応力の下でのサイクロトロン共鳴
• 30a-M-10 低温, 高圧における量子強誘電的半導体の新しい抵抗異常と誘電率異常
• 2a-N-2 PbTe-SnTe半導体中のIII族不純物の電子 : 格子強結合
• poly-Si MOS FETの弱局在
• poly-Si MOSFETの広範囲ホッピングにおける負の磁気抵抗
• poly-Si MOS FETの弱局在
• poly-Si MOSFETの広範囲ホッピングにおける負の磁気抵抗
• 30p-YN-9 高易動度 Poly-Si TFT の電子局在
• 28p-L-12 多結晶Si-薄膜トランジスターのアンダーソン局在
• 28p-L-12 多結晶Si-薄膜トランジスターのアンダーソン局在
• 12a-K-13 多結晶Si薄膜トランジスタの強局在
• 12a-K-13 多結晶Si薄膜トランジスタの強局在
• 29p-T-5 PtSi超薄膜のアンダーソン局在
• 26a-P-12 PtSi超薄膜の超伝導と局在
• 28a-B-2 PtSi薄膜の位相緩和時間
• 26p-ZB-4 Ptsi細線の位相緩和時間
• 6a-B1-8 GaAs-AlGaAs極微構造における非対称磁気抵抗のゆらぎ
• 6a-B1-7 GaAs細線の低温電気伝導のゆらぎ(II)
• 28a-Q-7 選択ドープGaAs-AlGaAs細線の電気伝導
• 30a-RB-6 高濃度にイオン注入したSi:Sb薄膜および細線の電気伝導
• 30a-RB-5 PtSi極微細線の電気伝導
• 29a-A-4 極微GaAs細線の電気伝導
• 14p-W-6 n-GaAsのフォノン-減衰プラズモン結合モードによるラマン散乱
• 3a-KL-9 GaAsの表面ラマン散乱のキャリヤー濃度依存性
• アンチドット系の格子配置とホール抵抗の消失
• アンチドット系の格子配置とホール抵抗の消失
• 1a-E-12 周期アンチドット系における磁気抵抗の弱磁場領域でのふるまい
• 異方アンチドット系における電気伝導度
• 28a-X-5 異方アンチドット系における電気伝導度
• 31p-N-10 アンチドット系における整合振動の電流方向依存性
• 31p-N-10 アンチドット系における整合振動の電流方向依存性
• 5a-J-9 磁気電子フォーカス効果における"端子反射"のメカニズム
• 28p-L-8 2次元電子系における不規則アンチドット構造の効果
• 28p-L-7 磁気電子フォーカス効果における電子出射分布と端子反射
• 13a-K-2 ゲート制御したGaAs/AlGaAs多端子素子における磁気電子フォーカス効果
• 2p-D-9 ZnSxSe_ MBE薄膜のラマン散乱
• 3a-C-7 ZnSxSe1-x エピタキシャル薄膜のラマン散乱
• 26p-ZB-3 GaAs細線における位相コヒーレンス長
• 11p-N-4 PbTe-Pb_Sn_Te超格子のサイクロトロン共鳴
• Quantum Lines of Stress-split Hole of Ge : 半導体(レゾナンス)
• 31p-YH-7 Zn_Mn_xS微結晶の光学特性
• 29a-S-7 非晶質 GeSe_2 の結晶化温度の試料作成法依存性
• 29p-X-9 多結晶PbTe極微細線におけるアンダーソン局在
• 28p-W-15 アモルファスGe_xSe_系の正・逆光電子分光
• 29p-X-11 アモルファスGe-Se-Bi薄膜の正・逆光電子スペクトルとラマンスペクトル
• 28p-YQ-10 アモルファスGe-Se-Bi薄膜の正・逆光電子分光
• 31p-M-10 Ag,Cuをフォトドープした a-GeSe_2 の伝導帯構造
• 12a-DF-12 a-Si/SiO_2多層膜のレーザーアニーリング
• 3p-ZE-9 GaAs/AlGaAs量子細線の磁気抵抗振動
• 2a-B-7 IV-VI族半導体の構造相転移と電気抵抗異常
• 9p-R-5 ラマン散乱によるp-SnTe相転移のキャリヤー濃度依存性
• 2p-R-10 n-GaAsのフォノン-減衰プラズモン結合モードによるラマン散乱
• 24a-M-12 PbTe薄膜及び細線の反局在効果
• 29p-PS-33 Y系酸化物超伝導体薄膜の電気伝導
• 30a-W-4 GeSe_2のフォトルミネッセンスの温度依存性と励起エネルギー依存性
• 29p-B-9 単結晶およびアモルファスGeSe_2のフォトルミネッセンスの温度依存性
• 26p-M-5 GeSe_2微粒子のラマン散乱
• 8a-F-6 Ge/deep level impurityのサイクロトロン共鳴
• Quenched-in Vacancyを含むGeのサイクロトロン共鳴 : 半導体(理論, サイクロトロン共鳴)
• 29p-ZK-11 アンチドット構造上の電子ピンボール
• 27a-SB-18 ストイキオメトリー・ガラスGe(S, Se)の中距離構造と次元性
• 27a-SB-17 (Ge, Sn)カルコゲナイドガラスのクラスター中のSnの配置
• 2p-B-15 ガラス半導体ゲルマニウム・カルコゲナイドの次元性と振動スペクトル
• 2p-B-14 SnをProbeとしたGe-S系ガラス半導体の中距離秩序
• 2a-K-6 (Ge,Sn)-カルコゲナイド・ガラス半導体の構造と振動スペクトル : 組成および圧力依存性
• 31p-B-9 (Ge,Sn)カルコゲナイド・ガラス半導体の高圧ラマン散乱
• 31p-B-8 (Ge,Sn)カルコゲナイド・ガラス半導体の赤外振動スペクトル
• 4a-NL-19 Ge-カルコゲナイドガラス半導体の高圧下ラマン散乱
• 2p-W-10 (Ge, Sn)-カルコゲナイドのガラス形成・難易度
• 2p-W-9 a-Ge_Se_xの振動スペクトルのアニール効果
• 30a-K-13 SnSeの金属型不純物伝導と負磁気抵抗効果
• 4a-B-2 層状半導体GeSeの不純物伝導
• 4a-B-1 層状半導体GeSe, SnSeの相転移
• 1p-B-7 C&a-(Ge, Sn)カルコゲナイドのフォノン・スペクトル
• 30a-E-3 層状半導体GeSeにおけるキャリアの局在化
• 30a-E-2 層状半導体GeSeの相転移
• 2p-B-6 IV-VI族層状半導体GeSe,SnSeのフォノン・スペクトル
• 1a GF-12 IV-VI族半導体のバンド・ギャップと相転移
• 3p-AB-10 IV-VI族半導体のボンド・ギャップと相転移
• 28p-G-11 Pb_Sn_xTe/Inの光励起緩和とダブルキャプチャーモデル
• 29a-B-8 Pb_Sn_xTe/Inの磁気光反射
• 3a-F-5 Pb_S_Te/Inの磁気光吸収
• 3p-Q-5 Pb_Sn_xTe/Inの長寿命フォトキャリアのサイクロトロン共鳴
• 3p-A-1 IV-VI族半導体超格子の磁気プラズマ吸収
• 1p-PS-30 Pb_Sn_xTe/Inエピタキシャルフィルムの磁気プラズマ吸収
• 30a-M-9 PbTe-SnTe単結晶フィルムの磁気プラズマ吸収
• 30a-M-8 平均V族結晶フィルムの遠赤外反射
• 3a-J-13 薄膜g-GeSe_2の光誘起結晶化
• 31a-YA-2 平行磁場によるバリスティック散乱長の変化
• 磁気電子フォーカス効果における平行磁場の影響
• 27a-X-8 磁気電子フォーカス効果における平行磁場の影響
• 1p-PS-29 Pb_Sn_xTe/Inフィルムのホール係数の磁場依存性
• 14a-E-3 Bi単結晶薄膜の弱局在効果
• 11p-N-5 Pb_Sn_xTe:Inエピタキシャル・フィルムの電気的・光学的性質
• 28a-M-8 Bi単結晶薄膜の電気伝導
• 1a-E-3 PtSi薄膜及び細線の電気伝導
• 2p-L-6 Pt-Si薄膜のアンダーソン局在
• 27a-N-4 ZnSe-ZnS歪超格子のラマン散乱
• 2a-G-6 (Pb, Ge, Sn)Teのバンド端構造と相転移
• 30p-D-5 (PbSnGe)Teの磁気プラズマ・フォノンスペクトル
• 4p-N-12 CO_2レーザー光励起によるサイクロトロン共鳴
• 18a-A-21 一軸性圧力をかけたゲルマニウムの正孔のサイクロトロン共鳴
• 18a-A-20 GeとSiの変形ポテンシャル〓の決定
• 一軸性圧力を加えたGeのholeのサイクロトロン共鳴幅 : 半導体(不純物伝導)
• 深い準位の不純物を含むGeのサイクロトロン共鳴 : 半導体(不純物伝導)
• 中性不純物散乱におけるSpin-Polarizationの効果 : 半導体(不純物伝導)
• 3a-H-7 He^3による1°K以下でのサイクロトロン共鳴
• 3a-H-2 Si,Ge中のLiによる電子散乱
• 14a-K-10 Ge中の深い不純物による電子散乱
• 5a-G-9 Quantum Line's Width of Stress : Split Hole of He
• Intervalley scattering by neutralized acceptors in Ge & Si : 半導体(レゾナンス)
• Si中の電子の中性化不純物散乱 : 半導体(レゾナンス)
• サイクロトロン共鳴の周波数依存性 : 半導体 : マイクロ
• 5p-U-8 Pb_Ge_xTe系の相転移点近傍における超音波の伝播
• 5a-J-8 アンチドット構造における不規則性の効果
• 5a-J-8 アンチドット構造における不規則性の効果
• 2a-J-3 K_2Seをドープした結晶GeSe_2の共鳴ラマン散乱
• 29a-G-11 K_2Seをドープした結晶GeSe_2のラマン散乱
• 29p-ZK-10 GaAs/AlGaAs細線における非局所的伝導のゲート制御
• 26a-ZB-9 GaAs/AlGaAs細線における非局所的伝導
• 30a-S-5 黒燐のラマン散乱
• 9p-R-4 PbGeTe PbSnTeの相転移と,格子誘電率
• 6a-K-9 Pb_Sn_xTeの格子の誘電率
• 5p-B-17 Pb_Sn_xTeの格子の誘電率
• 5a-U-13 Pb_Sn_xTeでのマイクロ波磁気プラズマ反射より誘電率、キャリアー数の測定
• 31p-F-8 GeSe_2ガラスの時間分解フォトルミネッセンス測定
• 29p-X-12 Ge(S_xSe_)_2ガラスのフォトルミネッセンスの励起エネルギー依存性
• 29a-YL-6 Ge(S_xSe_)_2ガラスのフォトルミネッセンス
• Ge-Siのサイクロトロン共鳴 : 半導体(理論, サイクロトロン共鳴)
• 不純物を含むGeのサイクロトロン共鳴I. : 同族元素の場合(半導体(マイクロ波))
• 29p-X-13 Ge-Se系バルクガラスにおけるフロッピーモードの温度依存性
• 29p-X-10 GeSe_2のガラス転移のラマン散乱測定
• 29a-YL-5 アモルファスGeSe_2の光誘起結晶化過程におけるレーザースポットサイズ依存性
• 29a-YL-4 アモルファス / 結晶および液体GeSe_2のラマンスペクトルの温度依存性
• 3a-J-14 バルクガラスおよび結晶GeS_2のフォトルミネセンススペクトル
• 30p-L-7 アモルファスGeS_2のフォトルミネセンス測定
• 30p-L-6 結晶GeSe_2のフォトルミネッセンスの温度依存症
• 30p-A-1 非晶質GexSe_のレジィティ・パーコレーションと弾性定数
• 非局所的配置におけるGaAs/AlGaAs量子細線のシュブニコフ・ド・ハース効果
• 30p-TB-8 GaAs/AlGaAs量子細線におけるバリスティック伝導電子の非局所的シュビニコフ・ド・ハース効果
• 9p-R-14 (PbSnGe)Teのトンネル分光
• 9p-R-11 (PbSnGe)Te epitaxial filmの格子不安定性
• 9p-R-9 Pb_Ge_xTeの相転移点近傍における弾性率異常
• GaAs-AlGaAs電子導波路における伝達抵抗II
• 3p-ZE-8 PbTe, Bi細線の磁気抵抗効果
• 9p-R-13 Pb_Ge_xTeの強誘電相での磁気プラズマ反射
• 5a-U-12 Pb_Sn_xTeの遠赤外磁気反射とソフト・フォノン
• 4a-R-5 Pb_Sn_xTeの遠赤外サイクロトロン吸収
• 30p-TB-7 GaAS-AlGaAS電子導波路における伝達抵抗
• 1p-B-17 Pb_Sn_xTe中のIII族不純物電子の電子-格子強結合
• 6p-PS-2 酸化物超伝導体の2次元的抵抗温度変化
• 量子ホールプラトーにおける電気容量の電流依存性
• 量子ホールプラトーにおける電気容量の電流依存性
• 31a-YA-1 GaAs/A1GaAsにおける非局所抵抗の試料依存性
• 29a-M-12 Si-MOSFETとGaAs/AlGaAsの多端子素子での非局所抵抗
• 29a-M-12 Si-MOSFETとGaAs/AlGaAs の多端子素子での非局所抵抗
• 29a-L-7 量子ホール効果での静電容量とエッジチャネル
• 29a-L-6 コルビノ形状での量子ホール効果と静電容量
• 29a-L-5 非局所抵抗におけるエッジ電流とバルク電流の緩和
• 29a-L-7 量子ホール効果での静電容量とエッジチャネル
• 29a-L-6 コルビノ形状での量子ホール効果と静電容量
• 29a-L-5 非局所抵抗におけるエッジ電流とバルク電流の緩和
• 3p-AB-8 Pb_Sn_xTeの格子安定性
• 3p-A-2 量子サイズ効果によるビスマス薄膜の半金属-半導体転移
• 30p-L-5 断続的な光照射によるa-GeSe_2の光誘起結晶化過程
• 31p-M-11 a-GeSe_2 の光誘起結晶化のサイズ依存性
• 31p-CA-6 自由エネルギーの Q,ε 展開による Pb_1-xGe_xTe,SnTe の相転移の考察
• 3p-AB-15 光励起サブミリ波レーザーによるPbSnTeの磁気プラズマ反射
• 8a-F-4 Ge/Inのサイクロトロン共鳴
• 中性子不純物による電子散乱の取扱いに関する反省 : 半導体(理論, サイクロトロン共鳴)
• 9p-R-8 Pb_Ge_xTeの抵抗異常と磁気効果
• 5p-B-11 SnTeのソフトTOフォノンによるラマン散乱
• 5p-U-7 (PbGe)Te系の抵抗異常
• 11p-F-7 CuGaS_2からの共鳴ラマン散乱 II
• 14p-W-8 CuGaS_2からの共鳴ラマン散乱
• 27a-G-14 アモルファスGeSe_2の光誘起結晶化過程
• 12a-DF-18 結晶GeSe_2のフォトルミネッセンス
• 31p-M-9 ゲルマニウムカルコゲナイドのフトルミネッセンス
• 25a-ZG-15 Kをドーブした結晶GeSe、GeSe_2のラマン散乱
• 1a-E-5 金属型GaAs薄膜のアンダーソン局在
• 1p-B-15 高圧下におけるGe-Si合金のTA(X)フォノンのソフト化
• 1a-E-4 Al細線の電気伝導
• 2p-L-7 高濃度域Si:Sb薄膜の電気伝導

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