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竹沢 攻一 | 高田工高
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阪大理
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竹沢 攻一
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竹沢 攻一
阪大理
著作論文
深い準位の不純物を含むGeのサイクロトロン共鳴 : 半導体(不純物伝導)
14a-K-10 Ge中の深い不純物による電子散乱
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