大塚 エイ三 | 阪大教養
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
大塚 エイ三
阪大教養
-
大塚 エイ三
阪大 教養
-
大塚 エイ三
阪大理
-
邑瀬 和生
阪大理
-
大塚 エイ三
阪大理教養
-
大山 忠司
阪大教養
-
石田 修一
阪大理
-
藤井 克正
阪大教養
-
松田 修
阪大教養
-
藤井 克正
シャープ中研
-
小林 啓介
阪大理
-
大山 忠司
阪大理
-
藤安 洋
阪大理
-
邑瀬 和生
阪大 理
-
真田 淑
阪大 教養
-
眞田 淑
阪大教養
-
真田 淑
阪大教養
-
藤安 洋
静大工
-
大塚 エイ三
阪大 理
-
岡田 義明
阪大教養
-
竹沢 攻一
高田工高
-
小林 啓介
日立中研
-
長谷川 洋
京大理物理
-
小松原 毅一
日立中研
-
小林 啓介
阪大教養
-
邑瀬 和生
阪大理教養
-
小林 啓介
阪大理教養
-
小林 啓介
阪大 理
-
中田 博保
阪大教養
-
長谷川 洋
京大理
-
榊間 博
阪大教養
-
吉原 努
阪大教養
-
円城寺 勝久
阪大基礎工
-
川村 淳二
阪大理
-
竹沢 攻一
阪大理
-
大山 忠司
阪大 理
-
井関 次郎
阪大 理
-
夏田 淑
阪大教養
著作論文
- 3p-H-6 n-InSbのパルス電場変調サイクロトロン共鳴
- 4p-N-11 n-InSbのサブミリ波サイクロトロン共鳴
- 17p-A-9 n-InSbのサイクロトロン共鳴
- InSbのサブミリ波メーザー・サイクロトロン共鳴 : 半導体 (化合物, その他)
- 5a-G-10 一軸性引張応力の下でのサイクロトロン共鳴
- 12a-F-10 n-InSbの不純物伝導 : 補償度及びドナー濃度依存性
- 3a-R-4 n-InSbの不純物帯伝導
- 13a-W-8 n-InSbのmagnetic freeze-outと不純物伝導
- 4p-KL-9 n-InSbのfreege-out効果と不純物伝導
- 23a-G-10 n-InSbのFreeze-Out効果と不純物伝導
- Quantum Lines of Stress-split Hole of Ge : 半導体(レゾナンス)
- 5p-U-12 n-InSbにおける強磁場中のホットエレクトロン
- 12p-F-4 n-InSbのホットエレクトロン・サイクトロン発光
- 2p-R-2 光励起遠赤外レーザーによるn-InSbの磁気光効果
- 22a-G-9 n-InSbにおけるサイクロトロン発光
- 4p-U-10 Geにおけるアクセプター及び励起子の磁場中のエネルギー準位
- 4p-R-2 Geの電子-正孔液滴によるマグネットプラズマ吸収
- K. Seeger : Semiconductor Physics, Springer-Verlag, Wien and New York, 1973, xv+514ページ, 24.5×17.5cm, 8,400円.
- 13a-W-13 電子,励起子,液滴の拡散
- 3.Ge-Si合金のサイクロトロン共鳴と電流磁気効果(講義ノート,「非周期系物性の基礎理論」基研研究会報告)
- 4p-KL-7 H_2Oレーザーによるn-Geの磁気光吸収
- サイクロトロン共鳴の応用と限界 : 半導体シンポジウム
- 5p-KD-12 電子-正孔液滴に対する一軸性ストレス効果
- 5p-KD-11 Ge中のE-H-Dによるマグネトプラズマ吸収
- 24a-G-4 Geの遠赤外光による光吸収
- 4p-N-12 CO_2レーザー光励起によるサイクロトロン共鳴
- 18a-A-21 一軸性圧力をかけたゲルマニウムの正孔のサイクロトロン共鳴
- 18a-A-20 GeとSiの変形ポテンシャル〓の決定
- 一軸性圧力を加えたGeのholeのサイクロトロン共鳴幅 : 半導体(不純物伝導)
- 深い準位の不純物を含むGeのサイクロトロン共鳴 : 半導体(不純物伝導)
- 中性不純物散乱におけるSpin-Polarizationの効果 : 半導体(不純物伝導)
- 3a-H-7 He^3による1°K以下でのサイクロトロン共鳴
- 3a-H-2 Si,Ge中のLiによる電子散乱
- 14a-K-10 Ge中の深い不純物による電子散乱
- 5a-G-9 Quantum Line's Width of Stress : Split Hole of He
- サイクロトロン共鳴を用いた中性不純物による捕獲と再結合の研究 : 半導体 : 雑
- Intervalley scattering by neutralized acceptors in Ge & Si : 半導体(レゾナンス)
- Si中の電子の中性化不純物散乱 : 半導体(レゾナンス)
- サイクロトロン共鳴の周波数依存性 : 半導体 : マイクロ
- サイクロトロン共鳴におよぼす一軸性ストレス効果 : 半導体 : マイクロ
- 3a-M-13 電子-正孔液滴中の磁気プラズマ共鳴
- 3a-M-12 高純度シリコンにおける電子-励起子相互作用
- 3a-M-11 励起子の"衣"をきた電子・正孔のサイクロトロン共鳴?
- 3a-H-3 サイクロトロン共鳴における励起子効果
- 22a-G-8 エクシトニック・ポーラロン
- F.Seitz and D.Turnbull 編: Solid State Physics, Vol. 20, Academic Press, New York, 1967, 427頁, 16×23.5cm, 7,800円. : 2. R.W. Keyes: Electronic Effects in the Elastic Properties of Semiconductors, 37〜90頁