小松原 毅一 | 日立中研
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概要
関連著者
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小松原 毅一
日立中研
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片山 良史
日立中研
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小林 啓介
日立中研
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加藤 義喜
(株) 日立製作所中央研究所
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嶋田 寿一
日立中研
-
加藤 義喜
日立中研
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小寺 信夫
日立中央研究所
-
小寺 信夫
日立中研
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黒野 浩和
日立中央研究所
-
白木 靖寛
日立中研
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川村 肇
阪大理
-
小松原 毅一
日立 中研
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堀田 定吉
阪大理
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勝山 俊夫
日立中研
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田沼 靜一
群馬大学
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岡部 勝也
群馬大学
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小林 嶺夫
高エネ研
-
小林 嶺夫
高エ研
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加藤 寿喜
日立中研
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西 清次
阪大理
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高野 脩三
阪大理
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岡部 勝也
群馬県立医療短期大学
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田沼 靜一
いわき明星大理工
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青木 正明
日立中研
-
高野 脩三
九大理
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吉田 功
日立中研
-
宇佐見 勝久
日立 中研
-
杉本 泰
農工大・工
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松森 徳衛
東海大
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高杉 登
日立中研
-
小松原 毅一
日立製鉄所 中央研究所
-
黒野 浩和
日立製鉄所 中央研究所
-
黒野 浩和
日立 中研
-
太田 俊明
高エネ研
-
佐々木 聰
高エネ研
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小林 嶺夫
東大低温センター
-
小林 嶺夫
高工研
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飯泉 仁
原研
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大山 忠司
阪大教養
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Suski T.
UNIPRESS
-
Karpinski J.
UNIPRESS
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小林 啓介
(株) 日立製作所中央研究所
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小松原 毅一
(株) 日立製作所中央研究所
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八田 一郎
東工大理
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高野 修三
阪大理
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大塚 エイ三
阪大教養
-
大塚 エイ三
阪大 教養
-
川村 肇
阪大 理
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松森 徳衛
東海大学工学部電子工学科
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成田 小二郎
日立中研
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前川 洋
東海大学工学部
-
松田 修
阪大教養
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浜口 由和
原研
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松森 徳衛
東海大・工
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伊藤 良一
日立中研
-
松森 徳衛
東海大 (工)
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高野 修三
九大理
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宇佐美 勝久
日立日立研
-
宇佐美 勝久
日立中研
-
宇佐見 勝久
日立中研
-
前川 洋
東海大
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片山 良央
日立中研
-
片岡 良史
日立中研
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小林 敏彦
東海大電子
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杉本 泰
農工大 工
-
上岡 元
日立中研
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高杉 登
日立製鉄所 中央研究所
-
片山 良史
日立 中研
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小松原 毅一
日立中央研究所
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加藤 政勝
日立製鉄所 中央研究所
-
小松原 毅一
日立 中央研究所
-
黒野 浩和
日立 中央研究所
著作論文
- 4a-WB-2 SiCl_4グラファイト層間化合物結晶のSOR軟X線による吸収分光
- 4a-WB-1 SiCl_4グラファイト層間化合物結晶のSOR軟X線による結晶解析
- 30p-D-2 IV-VI族半導体における立方晶-長方晶相転移と化学結合
- 9p-R-7 PbSnTeのバンド反転組成近傍における相転移
- 9p-R-6 溶液成長法によるPb_Sn_xTe単結晶と相転移
- 4a-G-11 PbI_2薄膜のラマン散乱
- 5p-B-15 Pb_Sn_xTeのラマン散乱
- 5p-B-14 Pb_Sn_xTeの相転移とホール係数の異常
- 微小バンド・ギャップ半導体の相転移 : 格子不安定性と電子-格子相互作用
- 5a-U-9 IV-VI族半導体の格子不安定性(II) : Pb_Sn_xTeの相転移
- 5a-U-8 IV-VI族半導体の格子不安定性(I) : SnTeの相転移のキャリヤー濃度依存性
- 5a-U-7 SnTeの相転移点近傍における熱容量
- 10p-F-2 SnTeの相転移と電流磁気効果
- 4a-R-10 SnTeにおけるソフトフォノンとフリーキャリヤーの相互作用
- 12a-W-10 Pb_Sn_xTeの誘電率
- 12p-Q-1 表面酸化法による Pb_Sn_xTe の伝導型の変換
- 3p-KL-3 Pb_Sn_xTeの電子易動度
- 3p-KL-2 n-Type Pb_Sn_xTeのShubnikou-de Haas効果
- 23p-G-16 磁気プラズマ波の方法によるPb_Sn_xTeの静的誘電率の決定
- 6a-B-7 n型反転層伝導電子の低温における局在化(II)
- 7a-U-6 n型反転層伝導電子の低温における局在化
- 3p-KL-4 SnTe;Pb_Sn_xTeの相転移
- 22a-G-9 n-InSbにおけるサイクロトロン発光
- 11p-Y-14 イオン打込みで作ったGaP中のNN線
- 6a-KL-15 イオン打込み法によるアモルファスGaPの性質
- 5p-G-4 イオン折込みしたCdSのルミネセンス
- 3a-N-6 イオン打込みで形成されたCdSのN_2^中心のEPR
- 1a-TC-3 イオン打込みによって形成されたCdSの不純物準位
- 3p-H-3 n-InSbにおける強磁場中のhot electronのマイクロ波photoconductivity
- 4a-M-1 Magnetic Quantum LimitにおけるSi-MOS表面量子化準位
- 4a-H-5 n-Si反転層内のMagnetoconductivity
- 4p-B-15 a-Si_xC : H の構造
- 31p GE-6 XPSによるa-Si_xC_:Hの結合状態の検討
- n-InSbに於ける強磁場中のHot ElectronのMicrowave Photoconductivity (II) : 半導体 (プラズマ)
- 31p GE-5 a-Si_xC_:H系合金の性質
- 13a-H-12 イオン打込みしたヒ化ガリウムの電気伝導
- 7p-B-2 SiMOS反転層中の伝導電子の局在状態:閾値電圧附近の電気伝導度異常の一つの説明
- 4p-Q-14 薄膜のラマン散乱測定
- 4a-H-4 Si MOS反転層内二次元不純物状態
- 9a-B-15 Si n型反転層の移動度と磁気抵抗
- 9a-B-14 InSb表面反転層の磁気抵抗振動現象と表曲量子効果
- 4a-TC-1 InSb表面反転層の磁気抵抗と赤外Photoconductivity(II)
- 2p-TC-1 n型Sbのホットエレクトロンによるマイクロ波photo-conductivity(III)
- 18p-A-4 InSb表面反転層の磁気抵抗と赤外Photoconductivity
- InSb表面反転層の磁気抵抗 : 半導体
- 3p-H-4 n型InSbの量子極限におけるホットエレクトロンによる非線形特性
- 6a-G-6 ホットエレクトロンのQuantum Transport
- n-InSbの量子限界に於ける電流発振 : 半導体(不安定性)
- 3p-H-2 InSbのホットエレクトロンの表面量子輸送現象
- n-InSbの量子極限における非線型特性(I) : 半導体 : 不安定性
- 補償されたGermaniumの負性抵抗の磁場による影響 : 半導体
- G. Dearnaley, J. H. Freeman, R. S. Nelson and J. Stephen : Ion Implantation, North-Holland, Amsterdam and London, 1973, xv+802ページ, 23×16cm, 29,250円 (Series, Defects in Crystalline Solids, Vol. 8).
- B. L. Crowder編 : Ion Implantation in Semi-conductors and Other Materials, Plenum Press, New York and London, 1973, xii+657ページ, 26×17.5cm, 12,950円 (The IBM Research Symposia Series).
- Si表面反転層内の電気伝導現象
- 2a-H-5 n-InSb-Oxide-Metal系のトンネル特性II
- 14a-K-1 n-InSb-Oxide-Metal系のトンネル特性
- 8p-F-10 補償されたGeのマイクロ波電導度
- Compensated GeのCarrier Lifetime : 半導体(負抵抗, ピエゾなど)
- P-Geのimpurity breakdown ; impurity Conductionのuniaxial stressによる変化 : 半導体(Si, Ge)
- 5a-A-6 補償されたゲルマニウムの磁場発振及び圧力効果
- 補償されたGe, Siの負性抵抗の光照射効果 (II) : 半導体
- 4a-L-13 Ge,SiのCryosarの光照射の効果
- 10p-A-12 極低温に於けるゲルマニウムの負性抵抗