加藤 義喜 | 日立中研
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
加藤 義喜
(株) 日立製作所中央研究所
-
加藤 義喜
日立中研
-
小松原 毅一
日立中研
-
小林 啓介
日立中研
-
片山 良史
日立中研
-
川村 肇
阪大理
-
嶋田 寿一
日立中研
-
堀田 定吉
阪大理
-
西 清次
阪大理
-
高野 脩三
阪大理
-
高野 脩三
九大理
-
池津 武
日立中研
-
飯泉 仁
原研
-
白木 靖寛
日立中研
-
八田 一郎
東工大理
-
高野 修三
阪大理
-
川村 肇
阪大 理
-
中田 修
日立中研
-
中田 修
日立
-
古閑 政
日立中研
-
古畑 芳男
日立中研
-
熊田 明生
日立中研
-
浜口 由和
原研
-
高野 修三
九大理
-
神田 洋三
日立製作所中央研究所
-
神田 洋三
日立中研
著作論文
- 5a-U-9 IV-VI族半導体の格子不安定性(II) : Pb_Sn_xTeの相転移
- 5a-U-8 IV-VI族半導体の格子不安定性(I) : SnTeの相転移のキャリヤー濃度依存性
- 5a-U-7 SnTeの相転移点近傍における熱容量
- 10p-F-2 SnTeの相転移と電流磁気効果
- 4a-R-10 SnTeにおけるソフトフォノンとフリーキャリヤーの相互作用
- 12a-W-10 Pb_Sn_xTeの誘電率
- 12p-Q-1 表面酸化法による Pb_Sn_xTe の伝導型の変換
- 3p-KL-3 Pb_Sn_xTeの電子易動度
- 3p-KL-2 n-Type Pb_Sn_xTeのShubnikou-de Haas効果
- 23p-G-16 磁気プラズマ波の方法によるPb_Sn_xTeの静的誘電率の決定
- 3p-KL-4 SnTe;Pb_Sn_xTeの相転移
- 6a-KL-15 イオン打込み法によるアモルファスGaPの性質
- 強誘電強弾性体Gd_2 (MoO_4)_3 IV. 強誘電強弾性的性質 : 誘電体
- 13a-H-12 イオン打込みしたヒ化ガリウムの電気伝導
- 18p-A-17 S-doped GaSbの電気抵抗の圧力効果
- 単結晶Bi-Sb合金のI→II, IIIの圧力転移 : 金属
- 14a-K-6 高圧下でのIII-V族化合物半導体の電気伝導I. : InSb
- III-V族化合物半導体の高圧相 : 金属