高野 脩三 | 九大理
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概要
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高野 脩三
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愛知工大教養
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小松原 毅一
日立中研
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(株) 日立製作所中央研究所
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近畿大第二工
著作論文
- 3p-KL-3 Pb_Sn_xTeの電子易動度
- 3p-KL-2 n-Type Pb_Sn_xTeのShubnikou-de Haas効果
- 4a-D-3 Bi_Sb_x合金の超音波吸収と音速の磁場依存性
- 8a-G-5 有効質量の重い方向でのビスマス中の電子のスピン分離因子
- 5a-W-6 ビスマス中の音速の量子振動
- 15p-A-4 SbのShubnikov-de Haas効果
- 5p-H-5 量子極限におけるBiのLandau levels
- 4a-G-8 パルス強磁場中におけるBiのアルフエン波
- 31p-L-10 亜鉛のフェルミ面の変形パラメタII
- 5p-NF-11 亜鉛のフェルミ面の変形パラメタ
- 1a-Q-15 Zn の超音波吸収における新しい振動
- 30p-L-12 Sbの音速の量子振動とフェルミ面の形状 II
- 7a-C-8 低磁場におけるビスマスのド・ハースーファン・アルフェン効果
- 3a-BJ-8 Bi_1-xSb_x 合金の超音波吸収と音速の磁場変化 II
- 1p-B-19 Pb_Ge_xTeの菱面体相におけるFermi面
- アルフェン波減衰によるBi正孔の有効質量とフェルミ速度の測定 : 半導体 : 不安定,輸送
- 6a-M-10 Bi'におけるCyclotron-discrete-spectrum wabe
- 2p-R-3 n-InSbのフォノン・アシステッド・サイクロトロン共鳴
- 12p-W-11 n型InSbのフォノン・アシステッド・サイクロトロン共鳴
- 1a-N-9 CO_2レーザーを使った光伝導によるn型InSbの磁気共鳴
- 3p-N-11 Bi-Teへのヘリコン波 III
- 8a-B-9 Bi-Teのヘリコン波
- 1p-TC-2 Te doped Biのヘリコン波と不純物散乱の磁場依存性
- 15p-A-9 Te-doped Biのヘリコン波と不純物散乱の磁場依存性
- Te doped Biのヘリコン波 : 半導体 (半金属)
- 5p-L-7 Pb_MxMo_6S_8の超伝導特性 III
- 5p-H-9 レーザー光を用いたパルス強磁場中のBiの磁気光反射
- 1p-RL-3 M_xPb_Mo_6S_8の超伝導特性(M=Nb,Y,La)
- 12a-D-8 Pb_Nb_xMo_6S_8の超伝導特性
- 27a-Q-12 CO_2レーザ照射によるn型InSbの磁気光吸収
- 31p-CA-1 Nb_3Geの結晶成長状態とTc II(低温)
- 1a-B1-10 Nb_3GeのStoichiometryとT_c(1a B1 低温)
- 1a-B1-5 Pb-Cr-S化合物の超電導特性(1a B1 低温)