松本 泰国 | 九大理
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概要
関連著者
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松本 泰国
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間瀬 正一
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著作論文
- 4a-D-3 Bi_Sb_x合金の超音波吸収と音速の磁場依存性
- 音波物性・音響分科の運営について
- 4a-D-2 Biにおける超音波の巨大量子減衰の異常温度依存性と角度依存性II
- 4a-D-1 Biにおける超音波の巨大量子減衰の異常温度依存性と角度依存性I
- 4a-L-3 Nb_3Geにおける磁束のピン止め性質
- 2a-RM-4 CVD法によるNb_3Ge_M_x(M=RE)の製作とその超伝導特性の研究
- 11a-D-8 CVD法による高温超伝導体の作製とその超伝導特性の研究
- 1a-Q-9 q^^→∧H^^→〜90°でのBi_Sb_x合金における異常磁気音響減衰と電子 : 正孔再結合
- 4a-J-9 稀薄Bi_Sb_x合金における異常超音波減衰
- 30p-L-10 g~→ΛH~→〜90°でのBi_Sb_x合金における超音波減衰の異常性
- 5a-H-3 q∧H〜π/2でのBi_Sb_x合金の異常超音波減衰
- 31p GH-8 Bi及びBi_Sb_x合金における超音波減衰波形とランダウ準位幅 II
- 6a-AB-12 Bi及びBi_Sb_x合金における超音波減衰のTilt効果
- 6a-AB-10 g^^^→H^^^→が直角近傍でのBi_Sb_x合金における特異な超音波減衰
- 3a-BJ-8 Bi_1-xSb_x 合金の超音波吸収と音速の磁場変化 II
- 6p-M-1 Sbにおける電子緩和時間
- 6a-H-4 超音波減衰によるアンチモニーの電子緩和時間
- 6a-N-4 強磁場中におけるBi内電子-ホール系の異常超音波吸収
- 15p-A-6 ビスマスにおける巨大量子減衰のLine Shape
- パルス強磁場中のビスマスの巨大量子減衰 : 半導体 (半金属)
- 巨大量子減衰によるBiの電子-格子相互作用の研究 : 半導体(界面, 半金属)
- パルス強磁場中のBiの巨大量子減衰 : 半導体(界面, 半金属)
- 4a-G-7 ビスマスにおける磁気音響減衰(II)
- 1a-B1-8 Nb_3Geの結晶成長状態と超電導特性(1a B1 低温)