石黒 武彦 | 電総研
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概要
関連著者
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石黒 武彦
電総研
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安西 弘行
電総研
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徳本 圓
電総研
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梶村 皓二
電総研
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村田 恵三
電総研
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石黒 武彦
京大理:crest(科技団)
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安西 弘行
姫路工大理
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徳本 洋志
電総研
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大柳 宏之
電総研
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木下 信盛
電総研
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斉藤 軍治
物性研
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松下 正
高エ研
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斉藤 軍治
分子研
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阪東 寛
電総研
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松下 正
Kek
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宇加地 孝志
電総研
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宇加地 孝志
電総研:(現)日本合成ゴム
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村田 惠三
電総研
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黒田 晴雄
東大理
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白川 英樹
筑波大物質
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黒田 晴雄
東大理、新技術開発事業団
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徳本 洋志
電子技術総合研究所
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梶村 皓二
筑波大物質工:電総研
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石黒 武彦
電試
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白川 英樹
内閣府総合科学技術会議
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松下 正
Kek-pf
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御子柴 宣夫
電試
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根本 宏明
筑波大
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鹿児島 誠一
電総研
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白川 英樹
筑波大・工
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白川 英樹
筑波大
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斉藤 軍司
分子研
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黒田 晴雄
新技術事業団
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鈴木 克生
早大
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鹿児島 誠一
東大教養
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小林 速男
東邦大理
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小林 啓二
東大教養
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高良 和武
高工研
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森田 重雄
電総研
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高良 和武
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梨山 勇
電総研
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Schultz T.d.
Ibmワトソン
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姫工大理
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鈴木 克生
早大理工
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斉藤 軍治
東大物性研
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伊藤 正久
理研
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高橋 和宏
電総研
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土井 秀之
筑波大学物理学系
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土井 秀之
筑波大物理物質工
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土井 秀之
筑波大 物理
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小林 啓二
東大院総合
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寺前 裕之
NTT 武蔵野研究所
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楠 正美
明大理工物理
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井上 頼直
理研光合成科学
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徳本 円
電総研
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小野 高明
理研
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楠 正美
明大工
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本多 祥晃
電総研、都立大
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斎藤 一弥
都立大理
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石黒 武彦
電試田無
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御子柴 宣夫
電試田無
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寺前 裕之
京大工
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根本 宏明
筑波大物質工
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Tomkiewicz Y.
IBMワトソン
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稲葉 律夫
電総研
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豊田 直樹
東北大金研
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毛利 信男
北大理
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菊地 耕一
都立大 理
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池本 勲
都立大 理
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池本 勲
都立大理
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鵜木 博海
電総研
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松下 正
高エ研放射光
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松下 正
高エネルギー加速器研究機構物質構造科学研究所
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山邊 時雄
京大工
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長沢 博
筑波大 物理
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黒田 新一
電総研:名大工
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堤 喜登美
金沢大理
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長沢 博
筑波大物工
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石村 巽
慶大医
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梶村 晧二
電総研
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脇 信也
電総研
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山邊 時雄
京大工分子工学
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谷 俊朗
電総研
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谷野 浩史
電総研
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飯塚 哲太郎
慶大医
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黒田 寛人
電総研
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前川 稠
電総研
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鵜木 博海
電子技術総合研究所
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御子柴 宣夫
電総研
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加藤 克夫
無機材研
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Engler E.m.
Ibmワトソン研
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高良 和武
高エ研
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慶大医
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理研太陽光科学
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井上 頼直
理研太陽光科学
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自治医大
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東邦大 理
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Schultz T.d.
Ibmワトソン研
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高エネルギー加速器研究機構
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職訓大
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黒田 新一
電総研
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東邦大
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学習院大
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佐々木 孝彦
東北大金研
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小林 速男
日大文理
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京大理
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小林 昭子
東大理
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阿部 寛
北海道大学工学部
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武藤 芳雄
東北大金研
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菊地 耕一
東大理
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北大・理
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渡辺 和廣
北大理
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岡本 和広
北大理
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巨海 玄道
北大理
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菊地 耕一
都立大理
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斎藤 軍治
京大院理
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村田 恵三
阪市大
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井口 洋夫
分子研
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徳本 圓
産総研
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菊池 誠
電綜研田無
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小林 速男
東邦大学理学部
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菊池 耕一
都立大理
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深瀬 哲郎
東北大金研
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木暮 嘉明
東大工理
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三次 和芳
電総研
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大柳 宏之
通商産業省工業技術院電子技術総合研究所電子基礎部
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高橋 博樹
北大理
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坂本 邦博
電総研
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坂本 統徳
電総研
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藤川 高志
横国大工
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岡田 安正
電総研
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八百 隆文
電総研
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三本木 孝
北大理
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堤 喜登美
東大教養
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山辺 時雄
京大工
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石村 巽
慶大・医
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長坂 啓吾
東理大理
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水谷 亘
電総研
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八百 隆文
広島大工
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永森 久稔
東理大理
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西郷 敏
自治医大・物理
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徳本 圓
電子技術総合研究所
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森田 直威
東レリサーチ
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三次 和芳
総研
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小野 高明
理研・太陽光科学
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理研
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八田 一郎
名大工
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松田 隆
名大工
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本多 祥晃
電総研
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佐藤 政行
東理大理
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板東 寛
電子技術総合研究所
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斎藤 軍治
物性研
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松下 正
高工研
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齋藤 一弥
都立大理
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井上 頼直
理研・植物薬理
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松本 泰国
九大理
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加藤 礼三
東邦大理
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老泉 博昭
横国大工
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佐々木 泰三
KEK
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佐々木 泰三
高工研
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電試田無
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菊池 誠
電試田無
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阿部 寛
北大応物
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鈴木 克生
電試
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田中 一宣
電総研
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伊藤 正久
原研
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本多 祥晃
都立大
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菊地 幹生
都立大
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中島 春彦
東大工
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徳本 圓
Electrotechnical Laboratory
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徳本 圓
電子技術総合研究所 材料科学部
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早川 尚夫
電子技術総合研究所 田無分室
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小島 実
東理大理
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谷 真佐人
東大教養
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金井 保之
東大教養
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田村 典明
理研フロンティア
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堤 喜登美
北大理
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八田 一郎
奈工大
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西郷 敏
自治医大・生理・生物物理
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八田 一郎
東工大 理
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生井 信治
東理大理工
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大西 紀男
電総研
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伊藤 正彦
理研
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徳本 円
防衛大学校応用物理学科
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田中 一宣
Jrcat-融合研
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原田 一明
繊高研
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Tomkiewicz T.
Ibmワトソン研
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田村 典明
富山大・理
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御子紫 宣夫
電試
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本田 祥晃
都立大理
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長坂 啓吾
東理大理(理)
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佐藤 政行
東理大理(理)
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浜田 真悟
東理大理工
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羽鳥 啓生
東理大理工
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菊地 耕一
都立大
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池本 勲
都立大
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小笠原 誠
高分子基盤技術研究組合
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船橋 和利
高分子基盤技術研究組合
著作論文
- 11p-P-9 (TMTTF)_2BF_4の温度・圧力相図
- 27a-HF-6 有機超伝導体 (TMTSF)_2ClO_4の臨界磁場Hc_2の冷却速度依存性
- 31a-K-10 有機合成金属(TMTSF)_2ClO_4における縦磁気抵抗効果
- 12a-Z-7 CdS膜によるフォノン・パルスの検出
- 1a-N-4 臭素をドープしたポリアセチレンのXANESの理論的研究
- 27p-J-2 β-(BEDT-TTF)_2トリハライド混晶系の超伝導
- 3a-H-11 p-Siにおける超音波吸収の磁場によるクエンチング
- 18a-A-14 中間濃度域n-Geにおける超音波吸収
- 18a-A-4 Geにおける超音波・ドナー・スピン共鳴 II
- InSbの縦磁場下における超音波吸収 : 半導体 (acoustic instability)
- Gunn効果による超音波による発生 : 音波物性シンポジウム
- 半導体における超音波スピン共鳴 : 音波物性シンポジウム
- n-GaAsの磁場中に於ける超音波増巾 : 半導体(不安定性)
- n-Geの超音波スピン共鳴 : 半導体(化合物・音波)
- n-InSbにおける異常超音波吸収 : 半導体(化合物・音波)
- 音波物性(昭和42年度における各専門分野研究活動の展望)
- 13a-K-11 Geにおける超音波・スピン共鳴
- 7a-G-2 キャリア・パンチングのない超音波増巾
- 2a-P-4 β-(BEDT-TTF)_2 trihalidesにおける温度-圧力相図
- 2a-P-3 β-(BEDT-TTF)_2I_3の圧縮率
- 12a-Q-5 臭素をドープしたポリアセチレンの偏光依存EXAFS
- 30a-G-12 臭素をドープしたポリアセチレンのEXAFS
- 27a-SB-22 アモルファスGeTeのEXAFS
- 1a-N-6 螢光XANESによるミオグロビンのスピン平衡
- 30a-D-11 表面敏感EXAFSによる単原子界面層の構造解析 (I) : Si/Ge/Si
- 4a-KD-1 TTT錯体結晶の溶媒効果
- 29a-J-2 (DMET)2Xの超伝導の性質と物性の圧力効果
- 27p-J-5 DMET塩の超伝導とその周辺相
- 27p-J-4 非対称ドナーを用いた超伝導物質の探索 : DMET塩
- 1a-S-6 TMTTF-TCNQの電気伝導度の圧力依存性
- 音波物性・音響分科の運営について
- 1a-LD-9 GaAs:Cr における超音波緩和吸収
- 30a-C-12 BiUO_4の高温における弾性定数
- 1a-C-4 正方晶系結晶における音速の角度変化
- 3p-NM-7 PASによる有機金属の反射率測定
- 1p-D-4 GaAs:Crにおける室温での光音響分光
- 5a-D-2 GaAs:Crにおける磁気音響吸収
- 4p-U-6 強磁場下のGe:Gaにおける超音波共鳴吸収
- 4p-M-7 GaAs:Crにおける磁気音響吸収
- 12a-F-5 GaAs:Crにおける超音波吸収
- 12a-H-5 p-HgTeの縦磁気音響効果
- 2a-J-6 有機超伝導体(TMTSF)_2ClO_4の交流帯磁率
- 29a-J-11 (BEDT-TTF)_2I_3の遠赤外分光 II
- 4a-KD-12 非対称イオンを含むTMTSF塩とTMTTF塩の構造変態
- 5a-X-9 光合成における水分解系Mnクラスターの構造 : 蛍光XANES法から
- 1Cp09 蛍光XANES法による酸素発生系Mnの存在状態に関する研究 : II. 光活性化と33kD蛋白質遊離に伴う変化
- 1Cp08 蛍光XANES法による酸素発生系Mnの存在状態に関する研究 : I. S_0, S_1及びS_2状態におけるMnの個数と価数
- 3a-P-7 臭素およびヨウ素をドープしたポリアセチレンの構造
- 4p-YA-6 臭素をドープしたポリアセチレンの偏光X線吸収スペクトルIII : XANES
- 4p-YA-5 ヨウ素をドープしたポリアセチレンの偏光X線吸収スペクトルI : EXAFS
- 2p-KK-10 放射光を利用した蛍光EXAFS測定装置の開発と応用
- 2a-KD-8 臭素をドープしたポリアセチレンの偏光EXAFS II : 濃度依存性
- 28a-QA-6 放射線照射されたβ-(BEDT-TTF)_2I_3の超伝導の圧力効果
- 28a-QA-5 β-(BEDT-TTF)_2I_3の超伝導の放射線照射効果II
- 3p-DS-2 Ge中Gaアクセプタ正孔の緩和時間
- 29a-J-13 (BEDT-TTF)_2(I_3)_(IBr_2)_xの超伝導の圧力依存性
- 29a-J-12 BEDT-TTF・トリハライド混晶系の超伝導と導電性
- 29a-J-10 BEDT-TTF塩のESR
- 28p-RB-3 有機物質における超伝導の特異性
- NaNO_2の相転移点近傍における超音波吸収 : 誘電体
- 2a-P-1 導電性有機電荷移動錯体の結晶成長V. (BEDT・TTF)ポリハライド
- 27a-HF-5 有機導体 (TMTSF)_2ClO_4のSDW相と磁気抵抗
- 27a-HF-4 有機金属 (TMTSF)_2ClO_4のフェルミ面
- 27a-HF-3 (TMTSF)_2ClC_4のSDW相と超伝導相
- 27a-HF-1 (TMTSF)_2ClO_4のESR異方性
- 5a-YA-2 (TMTTF)_2BF_4のESRとπ電子分布
- 4a-KD-13 TMTSF^+,(TMTSF)_2ClO_4のg因子及びスピン分布
- 31p GF-14 銅イオン導電体"Rb_4Cu_I_7Cl_"の相転移
- 30a-E-11 RbCu_4I_Cl_のEXAFS
- 28a-QA-1 有機金属β-(BEDT-TTF)_2 AuI_2の超伝導
- 2a-P-7 有機金属β-(BEDT-TTF)_2 IBr_2の超伝導
- 2a-P-6 有機金属β-(BEDT-TTF)_2 I_3の常圧高温超伝導状態
- 2a-P-5 β-(BEDT-TTF)_2 I_3の2つの超伝導の特性
- 5a-YA-5 (TMTSF)_2ClO_4の開いた軌道と磁気抵抗
- 5a-YA-4 有機超伝導体(TMTSF)_2ClO_4結晶のトンネル効果
- 4a-KD-15 (TMTSF)_2ClO_4/Pb接合の超伝導トンネル効果
- 11p-P-4 (TMTSF)_2ClO_4の磁気抵抗
- 2a-J-9 (TMTSF)_2ClO_4単結晶の対屈曲
- 2a-J-2 有機金属(TMTSF)_2ClO_4の横磁気抵抗の量子振動
- 5a-S-10 3Boson過程におけるパラメトリック不安定II-理論と実験の比較-
- 5a-S-9 3Boson過程におけるパラメトリック不安定I-レーザー光散乱実験--
- 1p-LD-1 準一次元導体の相転移と音波
- 10a-S-8 KCPの低温におけるソフト化
- 10a-S-7 KCPの熱容量異常
- 5a-YA-1 (TMTTF)_2 BF_4の相転移II
- 4a-KD-10 (TMTTF)_2BF_4の相転移
- 2a-J-5 (TMTSF)_2ClO_4のESR : 熱履歴による線幅の先鋭化
- 31a-K-7 有機導体(TMTSF)_2ClO_4の超伝導-金属転移と非線型伝導
- 2a-J-12 TMTTF・TCNQの電気伝導度の圧力依存性 (II)
- 12a-Q-3 臭素をドープしたポリアセチレンのESR
- 2p-J-5 ヨウ素をドープした(CH)_xのESR II
- 31p-K-7 ヨウ素をドープした(CH)_xのESR
- 28a-QA-14 β-(BEDT-TTF)_2トリハライドの合金化
- 28a-QA-10 BEDT-TTF系有機導体の電気的及び磁気的性質
- 2p-J-4 (TMTSF)_2Xの超伝導
- 5a-AE-1 TSeF-TCNQの電荷密度波の短距離秩序
- 6p-P-5 TTF_TSeF_-TCNQの超格子構造
- 1a-CK-7 TseF-TCNQ の超格子構造
- 29p-D-9 TTF_TSeF_xTCNQにおける電荷密度波の相図
- 9a-R-4 X線によるTaS_3のパイエルス超格子の観測
- 3a-NE-12 (TMTSF)_2ClO_4の超伝導転移
- 5p-KL-2 アクセプター不純物による超音波吸収 : 一軸性応力効果
- 23a-G-3 アクセプタ正孔による超音波吸収II : Ge: Ga
- 23a-G-2 アクセプタ・正孔による超音波吸収I : GaP: Zn
- NaNO_2の相転移点近傍における超音波吸収 II : 誘電体
- 27a-H-1 P・Geにおける超音波ホール・バーニング
- 2a-P-2 P・Ge における超音波ホール・バーニング
- 5a-D-3 Ge中のアクセプター正孔の緩和時間
- 5p-L-5 Biにおける磁気・フォノン散乱
- 5p-L-3 アクセプタ不純物による超音波共鳴吸収の一軸応力依存性
- タイトル無し
- 2p-G4-12 DMET塩の相転移 : (DMET)2Au(CN)2塩について(分子性結晶・液晶・有機半導体)
- 1a-G4-12 有機導体(TMTSF)_2CIO_4の強磁場下での1-V特性(分子性結晶・液晶・有機半導体)
- 30p-JF-3 β-(BEDT-TTF)_2I_3の超伝導の放射線照射効果III(分子性結晶・液晶・有機半導体)
- 2p-G4-3 (BEDT-TTF)_2X塩の導電性と超伝導(分子性結晶・液晶・有機半導体)
- 2p-G4-2 STMによる有機超伝導体の観察(分子性結晶・液晶・有機半導体)
- 2p-G4-4 (BEDT-TTF)_2Xの合金を中心とした電気伝導と超伝導への圧力効果(分子性結晶・液晶・有機半導体)
- 2p-G4-5 (BEDT-TTF)_2XのESR(II)
- 30a-JF-6 (TMTSF)_2ClO4の超伝導のHc2(分子性結晶・液晶・有機半導体)
- 30a-JF-10 (BEDT-TTF)_2I_3の遠赤外分光(分子性結晶・液晶・有機半導体)
- 30a-JF-11 (BEDT-TTF)_2トリハライドのESR-II(分子性結晶・液晶・有機半導体)
- 2p-G4-1 導電性有機錯体の結晶成長 IX.MX_2(X=NCS,NCSe)を含むET錯体(分子性結晶・液晶・有機半導体)
- 31p-D4-6 (BEDT-TTF)_2I_3の圧力効果(31p D4 分子性結晶・液晶・有機半導体,分子性結晶・有機半導体・液晶)
- 29p-EA-7 BEDT-TTF系電荷移動塩の多形と導電性(29p EA 分子性結晶・液晶・有機半導体)
- 31p-D4-2 (BEDT-TTF)_2I_3の超伝導(31p D4 分子性結晶・液晶・有機半導体,分子性結晶・有機半導体・液晶)
- 2p-D4-6 ヨウ素をドープしたポリアセチレンの偏光X線吸収スペクトル : II. XANES(2p D4 分子性結晶・液晶・有機半導体,分子性結晶・有機半導体・液晶)
- 30a-JF-13 (BEDT-TTF)_2トリハライドの合金化と重水素化(分子性結晶・液晶・有機半導体)
- 31p-D4-4 (BEDT-TTF)_2I_3の磁気抵抗(31p D4 分子性結晶・液晶・有機半導体,分子性結晶・有機半導体・液晶)
- 31p-D4-1 導電性有機電荷移動錯体の結晶成長IV : (BEDT-TTF)-ポリハライド(31p D4 分子性結晶・液晶・有機半導体,分子性結晶・有機半導体・液晶)
- 29p-EA-9 β-(BEDT-TTF)_2I_3の高いTc状態のHc_2(29p EA 分子性結晶・液晶・有機半導体)
- 31p-D4-5 (BEDT-TTF)_2I_3のマイクロ波動電率(31p D4 分子性結晶・液晶・有機半導体,分子性結晶・有機半導体・液晶)
- 29p-EA-10 β-(BEDT-TTF)_2I_3の超伝導の放射線照射効果(29p EA 分子性結晶・液晶・有機半導体)
- 31p-D4-3 (BEDT-TTF)_2I_3のESRと帯磁率(31p D4 分子性結晶・液晶・有機半導体,分子性結晶・有機半導体・液晶)
- 30a-JF-9 導電性有機電荷移動錯体の結晶成長 VIII : β-(BEDT-TTF)_2XのTc支配要素解明のための結晶の育成(分子性結晶・液晶・有機半導体)
- 1a-EA-5 臭素をドープしたポリピロールの局所構造(1a EA 分子性結晶・液晶・有機半導体)