石黒 武彦 | 電総研

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概要

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関連著者

• 石黒 武彦

  電総研

• 安西 弘行

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• 徳本 圓

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  電総研

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  電総研

• 石黒 武彦

  京大理:crest(科技団)

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  高エ研

• 斉藤 軍治

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• 松下 正

  Kek

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  電総研

• 宇加地 孝志

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  筑波大物質

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  内閣府総合科学技術会議

• 松下 正

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  筑波大

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• 鈴木 克生

  早大

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  東大教養

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  東邦大理

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  東大教養

• 高良 和武

  高工研

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• 高良 和武

  KEK

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• 伊藤 正久

  理研

• 高橋 和宏

  電総研

• 土井 秀之

  筑波大学物理学系

• 土井 秀之

  筑波大物理物質工

• 土井 秀之

  筑波大 物理

• 小林 啓二

  東大院総合

• 寺前 裕之

  NTT 武蔵野研究所

• 楠 正美

  明大理工物理

• 井上 頼直

  理研光合成科学

• 徳本 円

  電総研

• 小野 高明

  理研

• 楠 正美

  明大工

• 本多 祥晃

  電総研、都立大

• 斎藤 一弥

  都立大理

• 石黒 武彦

  電試田無

• 御子柴 宣夫

  電試田無

• 寺前 裕之

  京大工

• 根本 宏明

  筑波大物質工

• Tomkiewicz Y.

  IBMワトソン

• 稲葉 律夫

  電総研

• 豊田 直樹

  東北大金研

• 毛利 信男

  北大理

• 菊地 耕一

  都立大 理

• 池本 勲

  都立大 理

• 池本 勲

  都立大理

• 鵜木 博海

  電総研

• 松下 正

  高エ研放射光

• 松下 正

  高エネルギー加速器研究機構物質構造科学研究所

• 山邊 時雄

  京大工

• 長沢 博

  筑波大 物理

• 黒田 新一

  電総研:名大工

• 堤 喜登美

  金沢大理

• 長沢 博

  筑波大物工

• 石村 巽

  慶大医

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  電総研

• 山邊 時雄

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  電子技術総合研究所

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  無機材研

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  北大理

• 岡本 和広

  北大理

• 巨海 玄道

  北大理

• 菊地 耕一

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• 村田 恵三

  阪市大

• 井口 洋夫

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  都立大理

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• 三次 和芳

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• 大柳 宏之

  通商産業省工業技術院電子技術総合研究所電子基礎部

• 高橋 博樹

  北大理

• 坂本 邦博

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• 藤川 高志

  横国大工

• 岡田 安正

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• 八百 隆文

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  北大理

• 堤 喜登美

  東大教養

• 山辺 時雄

  京大工

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  慶大・医

• 長坂 啓吾

  東理大理

• 水谷 亘

  電総研

• 八百 隆文

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• 永森 久稔

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  自治医大・物理

• 徳本 圓

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• 佐藤 政行

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• 佐々木 泰三

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• 早川 尚夫

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• 菊池 誠

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  東理大理(理)

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• 小笠原 誠

  高分子基盤技術研究組合

• 船橋 和利

  高分子基盤技術研究組合

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著作論文

• 11p-P-9 (TMTTF)_2BF_4の温度・圧力相図
• 27a-HF-6 有機超伝導体 (TMTSF)_2ClO_4の臨界磁場Hc_2の冷却速度依存性
• 31a-K-10 有機合成金属(TMTSF)_2ClO_4における縦磁気抵抗効果
• 12a-Z-7 CdS膜によるフォノン・パルスの検出
• 1a-N-4 臭素をドープしたポリアセチレンのXANESの理論的研究
• 27p-J-2 β-(BEDT-TTF)_2トリハライド混晶系の超伝導
• 3a-H-11 p-Siにおける超音波吸収の磁場によるクエンチング
• 18a-A-14 中間濃度域n-Geにおける超音波吸収
• 18a-A-4 Geにおける超音波・ドナー・スピン共鳴 II
• InSbの縦磁場下における超音波吸収 : 半導体 (acoustic instability)
• Gunn効果による超音波による発生 : 音波物性シンポジウム
• 半導体における超音波スピン共鳴 : 音波物性シンポジウム
• n-GaAsの磁場中に於ける超音波増巾 : 半導体(不安定性)
• n-Geの超音波スピン共鳴 : 半導体(化合物・音波)
• n-InSbにおける異常超音波吸収 : 半導体(化合物・音波)
• 音波物性(昭和42年度における各専門分野研究活動の展望)
• 13a-K-11 Geにおける超音波・スピン共鳴
• 7a-G-2 キャリア・パンチングのない超音波増巾
• 2a-P-4 β-(BEDT-TTF)_2 trihalidesにおける温度-圧力相図
• 2a-P-3 β-(BEDT-TTF)_2I_3の圧縮率
• 12a-Q-5 臭素をドープしたポリアセチレンの偏光依存EXAFS
• 30a-G-12 臭素をドープしたポリアセチレンのEXAFS
• 27a-SB-22 アモルファスGeTeのEXAFS
• 1a-N-6 螢光XANESによるミオグロビンのスピン平衡
• 30a-D-11 表面敏感EXAFSによる単原子界面層の構造解析 (I) : Si/Ge/Si
• 4a-KD-1 TTT錯体結晶の溶媒効果
• 29a-J-2 (DMET)2Xの超伝導の性質と物性の圧力効果
• 27p-J-5 DMET塩の超伝導とその周辺相
• 27p-J-4 非対称ドナーを用いた超伝導物質の探索 : DMET塩
• 1a-S-6 TMTTF-TCNQの電気伝導度の圧力依存性
• 音波物性・音響分科の運営について
• 1a-LD-9 GaAs:Cr における超音波緩和吸収
• 30a-C-12 BiUO_4の高温における弾性定数
• 1a-C-4 正方晶系結晶における音速の角度変化
• 3p-NM-7 PASによる有機金属の反射率測定
• 1p-D-4 GaAs:Crにおける室温での光音響分光
• 5a-D-2 GaAs:Crにおける磁気音響吸収
• 4p-U-6 強磁場下のGe:Gaにおける超音波共鳴吸収
• 4p-M-7 GaAs:Crにおける磁気音響吸収
• 12a-F-5 GaAs:Crにおける超音波吸収
• 12a-H-5 p-HgTeの縦磁気音響効果
• 2a-J-6 有機超伝導体(TMTSF)_2ClO_4の交流帯磁率
• 29a-J-11 (BEDT-TTF)_2I_3の遠赤外分光 II
• 4a-KD-12 非対称イオンを含むTMTSF塩とTMTTF塩の構造変態
• 5a-X-9 光合成における水分解系Mnクラスターの構造 : 蛍光XANES法から
• 1Cp09 蛍光XANES法による酸素発生系Mnの存在状態に関する研究 : II. 光活性化と33kD蛋白質遊離に伴う変化
• 1Cp08 蛍光XANES法による酸素発生系Mnの存在状態に関する研究 : I. S_0, S_1及びS_2状態におけるMnの個数と価数
• 3a-P-7 臭素およびヨウ素をドープしたポリアセチレンの構造
• 4p-YA-6 臭素をドープしたポリアセチレンの偏光X線吸収スペクトルIII : XANES
• 4p-YA-5 ヨウ素をドープしたポリアセチレンの偏光X線吸収スペクトルI : EXAFS
• 2p-KK-10 放射光を利用した蛍光EXAFS測定装置の開発と応用
• 2a-KD-8 臭素をドープしたポリアセチレンの偏光EXAFS II : 濃度依存性
• 28a-QA-6 放射線照射されたβ-(BEDT-TTF)_2I_3の超伝導の圧力効果
• 28a-QA-5 β-(BEDT-TTF)_2I_3の超伝導の放射線照射効果II
• 3p-DS-2 Ge中Gaアクセプタ正孔の緩和時間
• 29a-J-13 (BEDT-TTF)_2(I_3)_(IBr_2)_xの超伝導の圧力依存性
• 29a-J-12 BEDT-TTF・トリハライド混晶系の超伝導と導電性
• 29a-J-10 BEDT-TTF塩のESR
• 28p-RB-3 有機物質における超伝導の特異性
• NaNO_2の相転移点近傍における超音波吸収 : 誘電体
• 2a-P-1 導電性有機電荷移動錯体の結晶成長V. (BEDT・TTF)ポリハライド
• 27a-HF-5 有機導体 (TMTSF)_2ClO_4のSDW相と磁気抵抗
• 27a-HF-4 有機金属 (TMTSF)_2ClO_4のフェルミ面
• 27a-HF-3 (TMTSF)_2ClC_4のSDW相と超伝導相
• 27a-HF-1 (TMTSF)_2ClO_4のESR異方性
• 5a-YA-2 (TMTTF)_2BF_4のESRとπ電子分布
• 4a-KD-13 TMTSF^+,(TMTSF)_2ClO_4のg因子及びスピン分布
• 31p GF-14 銅イオン導電体"Rb_4Cu_I_7Cl_"の相転移
• 30a-E-11 RbCu_4I_Cl_のEXAFS
• 28a-QA-1 有機金属β-(BEDT-TTF)_2 AuI_2の超伝導
• 2a-P-7 有機金属β-(BEDT-TTF)_2 IBr_2の超伝導
• 2a-P-6 有機金属β-(BEDT-TTF)_2 I_3の常圧高温超伝導状態
• 2a-P-5 β-(BEDT-TTF)_2 I_3の2つの超伝導の特性
• 5a-YA-5 (TMTSF)_2ClO_4の開いた軌道と磁気抵抗
• 5a-YA-4 有機超伝導体(TMTSF)_2ClO_4結晶のトンネル効果
• 4a-KD-15 (TMTSF)_2ClO_4/Pb接合の超伝導トンネル効果
• 11p-P-4 (TMTSF)_2ClO_4の磁気抵抗
• 2a-J-9 (TMTSF)_2ClO_4単結晶の対屈曲
• 2a-J-2 有機金属(TMTSF)_2ClO_4の横磁気抵抗の量子振動
• 5a-S-10 3Boson過程におけるパラメトリック不安定II-理論と実験の比較-
• 5a-S-9 3Boson過程におけるパラメトリック不安定I-レーザー光散乱実験--
• 1p-LD-1 準一次元導体の相転移と音波
• 10a-S-8 KCPの低温におけるソフト化
• 10a-S-7 KCPの熱容量異常
• 5a-YA-1 (TMTTF)_2 BF_4の相転移II
• 4a-KD-10 (TMTTF)_2BF_4の相転移
• 2a-J-5 (TMTSF)_2ClO_4のESR : 熱履歴による線幅の先鋭化
• 31a-K-7 有機導体(TMTSF)_2ClO_4の超伝導-金属転移と非線型伝導
• 2a-J-12 TMTTF・TCNQの電気伝導度の圧力依存性 (II)
• 12a-Q-3 臭素をドープしたポリアセチレンのESR
• 2p-J-5 ヨウ素をドープした(CH)_xのESR II
• 31p-K-7 ヨウ素をドープした(CH)_xのESR
• 28a-QA-14 β-(BEDT-TTF)_2トリハライドの合金化
• 28a-QA-10 BEDT-TTF系有機導体の電気的及び磁気的性質
• 2p-J-4 (TMTSF)_2Xの超伝導
• 5a-AE-1 TSeF-TCNQの電荷密度波の短距離秩序
• 6p-P-5 TTF_TSeF_-TCNQの超格子構造
• 1a-CK-7 TseF-TCNQ の超格子構造
• 29p-D-9 TTF_TSeF_xTCNQにおける電荷密度波の相図
• 9a-R-4 X線によるTaS_3のパイエルス超格子の観測
• 3a-NE-12 (TMTSF)_2ClO_4の超伝導転移
• 5p-KL-2 アクセプター不純物による超音波吸収 : 一軸性応力効果
• 23a-G-3 アクセプタ正孔による超音波吸収II : Ge: Ga
• 23a-G-2 アクセプタ・正孔による超音波吸収I : GaP: Zn
• NaNO_2の相転移点近傍における超音波吸収 II : 誘電体
• 27a-H-1 P・Geにおける超音波ホール・バーニング
• 2a-P-2 P・Ge における超音波ホール・バーニング
• 5a-D-3 Ge中のアクセプター正孔の緩和時間
• 5p-L-5 Biにおける磁気・フォノン散乱
• 5p-L-3 アクセプタ不純物による超音波共鳴吸収の一軸応力依存性
• タイトル無し
• 2p-G4-12 DMET塩の相転移 : (DMET)2Au(CN)2塩について(分子性結晶・液晶・有機半導体)
• 1a-G4-12 有機導体(TMTSF)_2CIO_4の強磁場下での1-V特性(分子性結晶・液晶・有機半導体)
• 30p-JF-3 β-(BEDT-TTF)_2I_3の超伝導の放射線照射効果III(分子性結晶・液晶・有機半導体)
• 2p-G4-3 (BEDT-TTF)_2X塩の導電性と超伝導(分子性結晶・液晶・有機半導体)
• 2p-G4-2 STMによる有機超伝導体の観察(分子性結晶・液晶・有機半導体)
• 2p-G4-4 (BEDT-TTF)_2Xの合金を中心とした電気伝導と超伝導への圧力効果(分子性結晶・液晶・有機半導体)
• 2p-G4-5 (BEDT-TTF)_2XのESR(II)
• 30a-JF-6 (TMTSF)_2ClO4の超伝導のHc2(分子性結晶・液晶・有機半導体)
• 30a-JF-10 (BEDT-TTF)_2I_3の遠赤外分光(分子性結晶・液晶・有機半導体)
• 30a-JF-11 (BEDT-TTF)_2トリハライドのESR-II(分子性結晶・液晶・有機半導体)
• 2p-G4-1 導電性有機錯体の結晶成長 IX.MX_2(X=NCS,NCSe)を含むET錯体(分子性結晶・液晶・有機半導体)
• 31p-D4-6 (BEDT-TTF)_2I_3の圧力効果(31p D4 分子性結晶・液晶・有機半導体,分子性結晶・有機半導体・液晶)
• 29p-EA-7 BEDT-TTF系電荷移動塩の多形と導電性(29p EA 分子性結晶・液晶・有機半導体)
• 31p-D4-2 (BEDT-TTF)_2I_3の超伝導(31p D4 分子性結晶・液晶・有機半導体,分子性結晶・有機半導体・液晶)
• 2p-D4-6 ヨウ素をドープしたポリアセチレンの偏光X線吸収スペクトル : II. XANES(2p D4 分子性結晶・液晶・有機半導体,分子性結晶・有機半導体・液晶)
• 30a-JF-13 (BEDT-TTF)_2トリハライドの合金化と重水素化(分子性結晶・液晶・有機半導体)
• 31p-D4-4 (BEDT-TTF)_2I_3の磁気抵抗(31p D4 分子性結晶・液晶・有機半導体,分子性結晶・有機半導体・液晶)
• 31p-D4-1 導電性有機電荷移動錯体の結晶成長IV : (BEDT-TTF)-ポリハライド(31p D4 分子性結晶・液晶・有機半導体,分子性結晶・有機半導体・液晶)
• 29p-EA-9 β-(BEDT-TTF)_2I_3の高いTc状態のHc_2(29p EA 分子性結晶・液晶・有機半導体)
• 31p-D4-5 (BEDT-TTF)_2I_3のマイクロ波動電率(31p D4 分子性結晶・液晶・有機半導体,分子性結晶・有機半導体・液晶)
• 29p-EA-10 β-(BEDT-TTF)_2I_3の超伝導の放射線照射効果(29p EA 分子性結晶・液晶・有機半導体)
• 31p-D4-3 (BEDT-TTF)_2I_3のESRと帯磁率(31p D4 分子性結晶・液晶・有機半導体,分子性結晶・有機半導体・液晶)
• 30a-JF-9 導電性有機電荷移動錯体の結晶成長 VIII : β-(BEDT-TTF)_2XのTc支配要素解明のための結晶の育成(分子性結晶・液晶・有機半導体)
• 1a-EA-5 臭素をドープしたポリピロールの局所構造(1a EA 分子性結晶・液晶・有機半導体)

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