徳本 洋志 | 電子技術総合研究所
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概要
関連著者
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徳本 洋志
電子技術総合研究所
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徳本 洋志
電総研
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石黒 武彦
電総研
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梶村 皓二
電子技術総合研究所
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三木 一司
電子技術総合研究所
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石黒 武彦
電子技術総合研究所
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阪東 寛
電子技術総合研究所
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徳本 洋志
Jrcat-nair
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小野 雅敏
電子技術総合研究所
-
梶村 皓二
筑波大物質工:電総研
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鵜木 博海
電子技術総合研究所
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阪東 寛
産総研
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村上 寛
産総研
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村上 寛
電子技術総合研究所
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岡野 真
電子技術総合研究所
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岡山 重夫
電子技術総合研究所
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岡山 重夫
工業技術院電子技術総合研究所
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小野 雅敏
電子技術総合研究所極限技術部
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岡野 真
電総研
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脇山 茂
セイコー電子工業
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徳本 洋志
アトムテクノロジー研究体
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脇山 茂
セイコー電子工業(株)科学機器事業部技術ー部技術 2g
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水谷 亘
JRCAT-NAIR
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小野 雅敏
電総研極限技術部
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水谷 亘
電子技術総合研究所
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鵜木 博海
電総研
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杉原 和佳
(株)東芝マイクロエレクトロニクス研究所
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山崎 聡
電子技術総合研究所
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渡辺 真二
小坂研究所
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酒井 明
京都大学工学部付属メゾ材料研究センター
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小野 雅敏
電総研
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渡辺 和俊
セイコー電子工業
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本間 昭彦
セイコー電子工業
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徳本 圓
電子技術総合研究所
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小林 好行
小坂研究所
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徳本 洋志
アトムテクノロジー研究体-産業技術融合領域研究所
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坂井 文樹
セイコー電子工業(株)
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赤間 善昭
(株)東芝研究開発センターULSI研究所
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杉原 和佳
(株)東芝
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阪東 寛
産業技術総合研
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田中 一宜
アトムテクノロジー研究体-融合研
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田中 一宜
電子技術総合研究所
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森田 行則
アトムテクノロジー研究体-産業技術融合領域研究所
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白川 英樹
内閣府総合科学技術会議
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森田 行則
電子技術総合研究所
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赤間 善昭
(株)東芝生産技術研究所
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酒井 明
京都大学工学研究科附属メゾ材料研究センター
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安西 弘行
姫路工大理
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安西 弘行
電総研
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白川 英樹
筑波大物質
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山崎 聡
産総研ナノテク部門
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田中 国義
(株)東芝研究開発センター
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田中 国義
(株)東芝 基礎研
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三次 和芳
電総研
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坂本 邦博
電総研
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坂本 邦博
電子技術総合研究所
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松浦 彰
(株)東芝研究開発センター
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松田 哲朗
(株)東芝研究開発センターulsi研究所
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繁野 雅次
セイコー電子工業(株)
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井上 明
セイコー電子工業(株)
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三次 和芳
総研
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脇山 茂
セイコ・電子工業
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宮田 千加良
セイコ・電子工業
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繁野 雅次
セイコ・電子工業
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本間 昭彦
セイコ・電子工業
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渡辺 和俊
セイコ・電子工業
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坂井 文樹
セイコ・電子工業
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中川 春樹
小坂研究所
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松本 文雄
小坂研究所
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光武 邦寛
(株)東芝研究開発センターULSI研究所
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庄田 尚弘
(株)東芝研究開発センターULSI研究所
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加藤 芳秀
(株)東芝研究開発センターULSI研究所
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板東 寛
電子技術総合研究所
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豊崎 正男
(株)東芝研究開発センターULSI研究所
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塚田 志郎
(株)東芝研究開発センター
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白川 英樹
筑波大学物質工学系
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山崎 聡
筑波大学 電子・物理工学専攻
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松田 彰久
電子技術総合研究所
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松田 彰久
産業技術総合研究所薄膜シリコン系太陽電池開発研究ラボ
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安藤 和徳
セイコー電子工業
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白川 英樹
筑波大・工
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御子柴 宣夫
電総研
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坂本 統徳
電子技術総合研究所電子デバイス部
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安西 弘行
電子技術総合研究所
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山崎 聡
東芝メディカルシステムズ株式会社:jeita超音波専門委員会
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井上 明
セイコー電子工業
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坂井 文樹
セイコー電子工業
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坂本 統徳
電子技術総合研究所
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徳本 洋志
産業技術総合研究所
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山崎 聡
Jrcat(アトムテクノロジー研究体)-nair(産業技術融合領域研究所)
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Mansfield Richard
Bedford College
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繁野 雅次
セイコー電子工業株式会社
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白川 英樹
筑波大学
著作論文
- 3a-B4-5 UHV-STMによるSi表面の観察(III)
- C-11 走査型トンネル顕微鏡用圧電セラミックス微動機構(圧電材料・振動子)
- 電界イオン顕微鏡を装備した超高真空走査型トンネル顕微鏡の試作とSi(001)表面へのAl吸着初期過程の観察
- 走査型トンネル顕微鏡の探針微動機構(固体アクチュエータ)
- 原子間力顕微鏡を用いたけい酸エステルとオゾンの科学気相堆積プロセスの分析
- 6a-T-4 Si(111)劈開面のSTM観察
- 走査型トンネル顕微鏡による原子像と電子状態
- 1a-LD-9 GaAs:Cr における超音波緩和吸収
- 2a-T-8 Si(111)劈開面のSTM像と構造モデル
- P-20 a-Si,a-Si : Hの弾性表面波伝播(ポスター・セッション)
- 30a-ZF-5 Si(111)表面上のSiH_3の局所構造
- 30p-BPS-4 HF処理Si(111):SiH_3相のSTM
- 24p-R-4 Si(111)表面の[112]ステップ形成機構
- 6a-T-3 Si(111)表面のテラス・原子ステップ挙動のSTM観察
- 11a-PS-7 水晶のブリルアン散乱
- D-9 光音響分光測定によるGaAs中のCr不純物状態の研究(音波物性II)
- D-4 水晶のブリルアン散乱(音波物性I)
- 30a-C-12 BiUO_4の高温における弾性定数
- 1a-C-4 正方晶系結晶における音速の角度変化
- F-1 高温におけるBiVO_4のブリルアン散乱(一般講演)
- C-4 光音響分光法による有機金属の反射率測定(一般講演)
- III 光音響分光(招待講演)
- 3p-NM-7 PASによる有機金属の反射率測定
- 31p-RC-6 PASにおける界面熱抵抗効果
- マイクロホン検出による半導体の光音響信号
- 3-21 高抵抗GaAsの光音響スペクトル(一般講演)
- 1p-D-4 GaAs:Crにおける室温での光音響分光
- 5a-D-2 GaAs:Crにおける磁気音響吸収
- 4p-U-6 強磁場下のGe:Gaにおける超音波共鳴吸収
- 4p-M-7 GaAs:Crにおける磁気音響吸収
- 12a-F-5 GaAs:Crにおける超音波吸収
- 12a-H-5 p-HgTeの縦磁気音響効果
- 2p-L-8 a-Si:Hの量子二準位
- STMによる半導体表面の研究(STM開発の現状と展望)
- 走査プローブ顕微鏡技術の現状と将来
- STMの現状 : 半導体表面観察
- 27p-ZC-5 Si表面の高温STM観察
- 表面を探る : 3. 表面相の物理化学: 半導体表面の電流効果: 原子輸送のSTM観察 ( 表面)
- 4p-E-5 走査型トンネル顕微鏡による表面観察
- 27p-T-2 マイクロホン検出による半導体の光音響分光
- D-7 n-InSbの磁気的フリーズアウト領域およびキャリア・ホッピング伝導領域での超音波吸収(音波物性II)
- 半導体開発におけるSTM/AFM
- Scanning Tunneling Microscopy(STM). Application for Physics. Structure of H-Terminated Si Surface.
- Scanning tunneling spectroscopy.
- 29p-TC-10 Si(111)7x7表面への酸素吸着過程のSTM観察(29pTC 表面・界面)
- 31p-L3-2 アモルファスSi:Hの弾性表面波による研究(主題:音波によるアプローチ:原子系の構造とダイナミクス,音波物性・音響シンポジウム)
- 28a-A-8 STMのスペクトロスコピーへの応用(低温シンポジウム)