菊池 誠 | 電綜研田無
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概要
関連著者
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菊池 誠
電綜研田無
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菊池 誠
電試田無
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早川 尚夫
電試田無
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菊池 誠
電総研田無
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飯塚 隆
電試田無
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岡田 安正
電試田無
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斎藤 充喜
電総研田無
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電試田無
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黒須 楯生
東海大工
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五十嵐 修
電総研
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浜田 秋良
電総研田無
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黒須 楯生
東海大学工学部電子工学科
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阿部 寛
電試田無
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電総研
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御子柴 宣夫
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電試田無
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電試 田無
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飯島 茂
電試 田無
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菊池 誠
電試 田無
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飯塚 孝
電試田無
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早川 尚夫
電子技術総合研究所 田無分室
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斎藤 充喜
電試田無
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久野 一男
東海大学
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斎藤 充喜
電綜研田無
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福島 志郎(実習生)
電試田無
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阿部 寛
電試
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斎藤 充喜
東海大学工学部電子工学科
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菊池 誠
電総研
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菊池 誠
電試田無 /電試田無 /電試田無
著作論文
- Gunn効果による超音波による発生 : 音波物性シンポジウム
- 8p-F-3 Zinc Blende型結晶の(110),(001),(221),(112)面上に成長させたCdSの結晶学的方位と境界格子不一致
- 9p-B-3 Amorphous Semiconductorの光学的性質に対する熱処理の効果
- 4p-N-1 Chalcogenideガラス半導体のPhotoconductivity
- O-doped GaAsのdomain発生のsuppression : 半導体 (GaAs電気的性質ガン効果)
- GaAs acoustoelectric deviceの劣化 : 半導体 (acoustic instability)
- GaAs(基板)-CDSヘテロエピタキシャル成長 : 結晶成長
- 7p-G-3 InSbに於けるAcoustoelectric Current Oscillationの磁場依存性の考察
- 13p-H-4 シリコンおよび磁化ガリウチ中の欠陥
- 半導体 : 金属接触の圧力効果 : 半導体 (圧力効果, 電子顕微鏡による観察)
- n-InSbにおける超音波増巾 (II) : 半導体 (acoustic instability)
- N-InSbにおける超音波増巾 : 半導体(化合物・音波)
- 4a-H-1 CdSからn-InSbに注入した超音波の増巾
- 14p-K-16 CdS(GaAs)中に高電場によって励起されたPhononのInSb中への注入
- 7p-G-2 InSbのACOUSTOELECTRIC DOMAINの映画による観察
- 7p-G-1 InSbにおけるAcoustoelectric Current Oscillationの磁場依存性
- 5a-L-9 domain suppression機構の検討
- 16p-A-12 高比抵抗GaAsの遅い電流振動とトラップ準位
- GaAsにおけるfield-enhanced trapping効果及びGunn効果による電流振動 : 半導体 (GaAs電気的性質ガン効果)
- シリコン中での転位上昇運動のX線観察 : 格子欠陥
- シリコンのindentationによって生じた欠陥の異方性 : 格子欠陥
- シリコン中の機械的損傷による歪み分布のX線観察 : X線粒子線
- 4a-P-4 高不純物濃度Si中の介在物
- 15a-K-9 光照射による酸素ドープGaAsの電流振動
- 14a-G-6 IV族およびIII-V族半導体中の転位周辺領域のX線異常透過による観察
- シリコンの表面損傷によって生じた欠陥 : 格子欠陥