五十嵐 修 | 電総研

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概要

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著作論文

• 8p-F-3 Zinc Blende型結晶の(110),(001),(221),(112)面上に成長させたCdSの結晶学的方位と境界格子不一致
• GaAs(基板)-CDSヘテロエピタキシャル成長 : 結晶成長
• エピタキシャルGaAs_xP_成長層の観察 : 半導体(結晶成長)
• GaAs p-n接合の発光 : 応用半導体
• 1-3-6カルコパイライト半導体単結晶のハロゲン輸送法によるエピタキシャル成長と電子線回折による構造解析評価 (特集:カルコパイライト半導体) -- (薄膜成長)
• ヘテロエピタキシ-における表面形態と結晶軸不整に関する研究
• 開管式密閉型近接法によるHgTeのヘテロエピタキシャル成長

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