4a-P-4 高不純物濃度Si中の介在物
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
Gunn効果による超音波による発生 : 音波物性シンポジウム
-
ガラス半導体
-
10分間講演を有効にするために
-
井上敏他編 AGNE最新元素周期表: 株式会社アグネ(東京), 1962年, 900円(解説書とも)
-
A.Van der Ziel: Fluctuation Phenomena in Semi-conductors. Butterworths Scientific Publications, London, 1959, 168頁, (Semi-conductor Monographsの一冊) 15×23cm, 2,100円.
-
半導体の雑音の問題
-
8p-F-3 Zinc Blende型結晶の(110),(001),(221),(112)面上に成長させたCdSの結晶学的方位と境界格子不一致
-
9p-B-3 Amorphous Semiconductorの光学的性質に対する熱処理の効果
-
4p-N-1 Chalcogenideガラス半導体のPhotoconductivity
-
O-doped GaAsのdomain発生のsuppression : 半導体 (GaAs電気的性質ガン効果)
-
GaAs acoustoelectric deviceの劣化 : 半導体 (acoustic instability)
-
GaAs(基板)-CDSヘテロエピタキシャル成長 : 結晶成長
-
CdSの光学特性の温度依存性 : 半導体・イオン結晶・光物性
-
エピタキシャルGaAs_xP_成長層の観察 : 半導体(結晶成長)
-
GaAs p-n接合の発光 : 応用半導体
-
7p-G-3 InSbに於けるAcoustoelectric Current Oscillationの磁場依存性の考察
-
SOGICONの振動 : 応用半導体
-
5p-A-9 SOGICONについて
-
SOGICONの電気的特性 (II) : 半導体
-
7p-L-8 半導体からの発振現象 II : "SOGICON"の諸特性
-
7p-L-7 半導体からの発振現象 I : "Sogicon"とこれに関連をもつ振動現象
-
13p-H-4 シリコンおよび磁化ガリウチ中の欠陥
-
半導体 : 金属接触の圧力効果 : 半導体 (圧力効果, 電子顕微鏡による観察)
-
n-InSbにおける超音波増巾 (II) : 半導体 (acoustic instability)
-
N-InSbにおける超音波増巾 : 半導体(化合物・音波)
-
4a-H-1 CdSからn-InSbに注入した超音波の増巾
-
14p-K-16 CdS(GaAs)中に高電場によって励起されたPhononのInSb中への注入
-
7p-G-2 InSbのACOUSTOELECTRIC DOMAINの映画による観察
-
7p-G-1 InSbにおけるAcoustoelectric Current Oscillationの磁場依存性
-
5a-L-9 domain suppression機構の検討
-
16p-A-12 高比抵抗GaAsの遅い電流振動とトラップ準位
-
GaAsにおけるfield-enhanced trapping効果及びGunn効果による電流振動 : 半導体 (GaAs電気的性質ガン効果)
-
シリコン中での転位上昇運動のX線観察 : 格子欠陥
-
シリコンのindentationによって生じた欠陥の異方性 : 格子欠陥
-
シリコン中の機械的損傷による歪み分布のX線観察 : X線粒子線
-
4a-P-4 高不純物濃度Si中の介在物
-
15a-K-9 光照射による酸素ドープGaAsの電流振動
-
14a-G-6 IV族およびIII-V族半導体中の転位周辺領域のX線異常透過による観察
-
シリコンの表面損傷によって生じた欠陥 : 格子欠陥
-
4a-L-8 Hot ElectronのGalvanomagnetic Effects
-
3p-L-5 シリコンpn接合のmicroplasma現象
-
CdSe等におけるfilamentery breakdown現象 : 半導体 : 理論と不安定性
-
5a-A-10 CuでcompensateしたCdSeの特性
-
4a-A-6 Si及びGeエピタキシャル層中の欠陥
-
Grain Boundaryの電気的特性 : 半導体
-
4p-L-1 Ge及びSiのGrain Boundaryについての実験
-
Deep Levelによる半導体の電流振動現象II : 半導体(不安定性)
-
半導体-電解液contact(半導体(p-n接合))
-
microplasmaの発生と格子欠陥との関連 : 半導体
-
シリコン中への金の拡散により生じた欠陥 : 格子欠陥
-
化合物半導体中の欠陥の直接観察 : 格子欠陥
-
9a-M-13 シリコン表面の引っかきにより生じた欠陥
-
シリコン中の転位ループの発生(半導体(拡散,エピタキシー)
-
シリコン中のニッケルの析出(半導体(拡散,エピタキシー)
-
4a-A-10 Gaをhigh dopeしたSi中の欠陥
-
7p-L-6 Si dendrite中の格子欠陥
-
Indentationにより生じたSi中の欠陥 : 格子欠陥
-
-
Deep Levelによる半導体の電流振動現象I : 半導体(不安定性)
-
6a-F-3 Cu-doped GeダイオードのV-I特性
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク