4p-N-1 Chalcogenideガラス半導体のPhotoconductivity
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1970-10-03
著者
関連論文
- 物理屋は, 論文は, まだふえつづけるか
- Gunn効果による超音波による発生 : 音波物性シンポジウム
- 8p-F-3 Zinc Blende型結晶の(110),(001),(221),(112)面上に成長させたCdSの結晶学的方位と境界格子不一致
- 9p-B-3 Amorphous Semiconductorの光学的性質に対する熱処理の効果
- 4p-N-1 Chalcogenideガラス半導体のPhotoconductivity
- O-doped GaAsのdomain発生のsuppression : 半導体 (GaAs電気的性質ガン効果)
- GaAs acoustoelectric deviceの劣化 : 半導体 (acoustic instability)
- GaAs(基板)-CDSヘテロエピタキシャル成長 : 結晶成長
- CdSの光学特性の温度依存性 : 半導体・イオン結晶・光物性
- エピタキシャルGaAs_xP_成長層の観察 : 半導体(結晶成長)
- GaAs p-n接合の発光 : 応用半導体
- 5a-A-2 GaPダイオードの発光
- 3a-L-3 Cd-ZnS単結晶の製作とその性質
- CdS-金属contactの整流特性と発光現象 : XX. 半導体
- 19F-25 Ge単結晶からthermal acceptorをひき出す実験
- 7p-G-3 InSbに於けるAcoustoelectric Current Oscillationの磁場依存性の考察
- 13p-H-4 シリコンおよび磁化ガリウチ中の欠陥
- 16p-A-5 ガラス半導体の負容量効果
- 半導体 : 金属接触の圧力効果 : 半導体 (圧力効果, 電子顕微鏡による観察)
- n-InSbにおける超音波増巾 (II) : 半導体 (acoustic instability)
- N-InSbにおける超音波増巾 : 半導体(化合物・音波)
- 4a-H-1 CdSからn-InSbに注入した超音波の増巾
- 14p-K-16 CdS(GaAs)中に高電場によって励起されたPhononのInSb中への注入
- 7p-G-2 InSbのACOUSTOELECTRIC DOMAINの映画による観察
- 7p-G-1 InSbにおけるAcoustoelectric Current Oscillationの磁場依存性
- 5a-L-9 domain suppression機構の検討
- 16p-A-12 高比抵抗GaAsの遅い電流振動とトラップ準位
- GaAsにおけるfield-enhanced trapping効果及びGunn効果による電流振動 : 半導体 (GaAs電気的性質ガン効果)
- シリコン中での転位上昇運動のX線観察 : 格子欠陥
- シリコンのindentationによって生じた欠陥の異方性 : 格子欠陥
- シリコン中の機械的損傷による歪み分布のX線観察 : X線粒子線
- 4a-P-4 高不純物濃度Si中の介在物
- 15a-K-9 光照射による酸素ドープGaAsの電流振動
- 14a-G-6 IV族およびIII-V族半導体中の転位周辺領域のX線異常透過による観察
- シリコンの表面損傷によって生じた欠陥 : 格子欠陥
- ノーベル物理学賞 : トンネルダイオードの周辺
- 4p-H-8 アモルファス半導体は役に立つか? : 応用上の諸問題
- 16p-A-4 ガラス半導体バルク中の負性抵抗領域
- Deep Levelによる半導体の電流振動現象II : 半導体(不安定性)
- 半導体-電解液contact(半導体(p-n接合))
- microplasmaの発生と格子欠陥との関連 : 半導体