Indentationにより生じたSi中の欠陥 : 格子欠陥

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1965-04-06

著者

• 菊池 誠

  電試田無

• 岡田 安正

  電試田無

• 飯田 隆

  電試田無

関連論文

• Gunn効果による超音波による発生 : 音波物性シンポジウム
• ガラス半導体
• 10分間講演を有効にするために
• 井上敏他編 AGNE最新元素周期表: 株式会社アグネ(東京), 1962年, 900円(解説書とも)
• A.Van der Ziel: Fluctuation Phenomena in Semi-conductors. Butterworths Scientific Publications, London, 1959, 168頁, (Semi-conductor Monographsの一冊) 15×23cm, 2,100円.
• 半導体の雑音の問題
• O-doped GaAsのdomain発生のsuppression : 半導体 (GaAs電気的性質ガン効果)
• GaAs acoustoelectric deviceの劣化 : 半導体 (acoustic instability)
• CdSの光学特性の温度依存性 : 半導体・イオン結晶・光物性
• エピタキシャルGaAs_xP_成長層の観察 : 半導体(結晶成長)
• GaAs p-n接合の発光 : 応用半導体
• 7p-G-3 InSbに於けるAcoustoelectric Current Oscillationの磁場依存性の考察
• SOGICONの振動 : 応用半導体
• 5p-A-9 SOGICONについて
• SOGICONの電気的特性 (II) : 半導体
• 7p-L-8 半導体からの発振現象 II : "SOGICON"の諸特性
• 7p-L-7 半導体からの発振現象 I : "Sogicon"とこれに関連をもつ振動現象
• 13p-H-4 シリコンおよび磁化ガリウチ中の欠陥
• 半導体 : 金属接触の圧力効果 : 半導体 (圧力効果, 電子顕微鏡による観察)
• n-InSbにおける超音波増巾 (II) : 半導体 (acoustic instability)
• N-InSbにおける超音波増巾 : 半導体(化合物・音波)
• 4a-H-1 CdSからn-InSbに注入した超音波の増巾
• 14p-K-16 CdS(GaAs)中に高電場によって励起されたPhononのInSb中への注入
• 7p-G-2 InSbのACOUSTOELECTRIC DOMAINの映画による観察
• 7p-G-1 InSbにおけるAcoustoelectric Current Oscillationの磁場依存性
• 16p-A-12 高比抵抗GaAsの遅い電流振動とトラップ準位
• GaAsにおけるfield-enhanced trapping効果及びGunn効果による電流振動 : 半導体 (GaAs電気的性質ガン効果)
• シリコン中での転位上昇運動のX線観察 : 格子欠陥
• シリコンのindentationによって生じた欠陥の異方性 : 格子欠陥
• シリコン中の機械的損傷による歪み分布のX線観察 : X線粒子線
• 4a-P-4 高不純物濃度Si中の介在物
• 15a-K-9 光照射による酸素ドープGaAsの電流振動
• 14a-G-6 IV族およびIII-V族半導体中の転位周辺領域のX線異常透過による観察
• シリコンの表面損傷によって生じた欠陥 : 格子欠陥
• 4a-L-8 Hot ElectronのGalvanomagnetic Effects
• 3p-L-5 シリコンpn接合のmicroplasma現象
• CdSe等におけるfilamentery breakdown現象 : 半導体 : 理論と不安定性
• 5a-A-10 CuでcompensateしたCdSeの特性
• 4p-L-1 Ge及びSiのGrain Boundaryについての実験
• Deep Levelによる半導体の電流振動現象II : 半導体(不安定性)
• 半導体-電解液contact(半導体(p-n接合))
• microplasmaの発生と格子欠陥との関連 : 半導体
• シリコン中への金の拡散により生じた欠陥 : 格子欠陥
• 化合物半導体中の欠陥の直接観察 : 格子欠陥
• 9a-M-13 シリコン表面の引っかきにより生じた欠陥
• シリコン中の転位ループの発生(半導体(拡散,エピタキシー)
• シリコン中のニッケルの析出(半導体(拡散,エピタキシー)
• 4a-A-10 Gaをhigh dopeしたSi中の欠陥
• 7p-L-6 Si dendrite中の格子欠陥
• Indentationにより生じたSi中の欠陥 : 格子欠陥
• Deep Levelによる半導体の電流振動現象I : 半導体(不安定性)
• 6a-F-3 Cu-doped GeダイオードのV-I特性

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク