n-Geの超音波スピン共鳴 : 半導体(化合物・音波)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1968-10-13
著者
関連論文
- 11p-P-9 (TMTTF)_2BF_4の温度・圧力相図
- 27a-HF-6 有機超伝導体 (TMTSF)_2ClO_4の臨界磁場Hc_2の冷却速度依存性
- 31a-K-10 有機合成金属(TMTSF)_2ClO_4における縦磁気抵抗効果
- 12a-Z-7 CdS膜によるフォノン・パルスの検出
- 1a-N-4 臭素をドープしたポリアセチレンのXANESの理論的研究
- 27p-J-2 β-(BEDT-TTF)_2トリハライド混晶系の超伝導
- 3a-H-11 p-Siにおける超音波吸収の磁場によるクエンチング
- 18a-A-14 中間濃度域n-Geにおける超音波吸収
- 18a-A-4 Geにおける超音波・ドナー・スピン共鳴 II
- InSbの縦磁場下における超音波吸収 : 半導体 (acoustic instability)
- Gunn効果による超音波による発生 : 音波物性シンポジウム
- 半導体における超音波スピン共鳴 : 音波物性シンポジウム
- n-GaAsの磁場中に於ける超音波増巾 : 半導体(不安定性)
- n-Geの超音波スピン共鳴 : 半導体(化合物・音波)
- n-InSbにおける異常超音波吸収 : 半導体(化合物・音波)
- 音波物性(昭和42年度における各専門分野研究活動の展望)
- 13a-K-11 Geにおける超音波・スピン共鳴
- 7a-G-2 キャリア・パンチングのない超音波増巾
- 2a-P-4 β-(BEDT-TTF)_2 trihalidesにおける温度-圧力相図
- 2a-P-3 β-(BEDT-TTF)_2I_3の圧縮率
- 12a-Q-5 臭素をドープしたポリアセチレンの偏光依存EXAFS
- 30a-G-12 臭素をドープしたポリアセチレンのEXAFS
- 27a-SB-22 アモルファスGeTeのEXAFS
- 1a-N-6 螢光XANESによるミオグロビンのスピン平衡
- 30a-D-11 表面敏感EXAFSによる単原子界面層の構造解析 (I) : Si/Ge/Si
- 4a-KD-1 TTT錯体結晶の溶媒効果
- 29a-J-2 (DMET)2Xの超伝導の性質と物性の圧力効果
- 27p-J-5 DMET塩の超伝導とその周辺相
- 27p-J-4 非対称ドナーを用いた超伝導物質の探索 : DMET塩
- 1a-S-6 TMTTF-TCNQの電気伝導度の圧力依存性
- 音波物性・音響分科の運営について
- 1a-LD-9 GaAs:Cr における超音波緩和吸収
- 30a-C-12 BiUO_4の高温における弾性定数
- 1a-C-4 正方晶系結晶における音速の角度変化
- 3p-NM-7 PASによる有機金属の反射率測定
- 1p-D-4 GaAs:Crにおける室温での光音響分光
- 5a-D-2 GaAs:Crにおける磁気音響吸収
- 4p-U-6 強磁場下のGe:Gaにおける超音波共鳴吸収
- 4p-M-7 GaAs:Crにおける磁気音響吸収
- 12a-F-5 GaAs:Crにおける超音波吸収
- 12a-H-5 p-HgTeの縦磁気音響効果
- 2a-J-6 有機超伝導体(TMTSF)_2ClO_4の交流帯磁率
- 29a-J-11 (BEDT-TTF)_2I_3の遠赤外分光 II
- 4a-KD-12 非対称イオンを含むTMTSF塩とTMTTF塩の構造変態
- 5a-X-9 光合成における水分解系Mnクラスターの構造 : 蛍光XANES法から
- 1Cp09 蛍光XANES法による酸素発生系Mnの存在状態に関する研究 : II. 光活性化と33kD蛋白質遊離に伴う変化
- 1Cp08 蛍光XANES法による酸素発生系Mnの存在状態に関する研究 : I. S_0, S_1及びS_2状態におけるMnの個数と価数
- 3a-P-7 臭素およびヨウ素をドープしたポリアセチレンの構造
- 4p-YA-6 臭素をドープしたポリアセチレンの偏光X線吸収スペクトルIII : XANES
- 4p-YA-5 ヨウ素をドープしたポリアセチレンの偏光X線吸収スペクトルI : EXAFS
- 2p-KK-10 放射光を利用した蛍光EXAFS測定装置の開発と応用
- 2a-KD-8 臭素をドープしたポリアセチレンの偏光EXAFS II : 濃度依存性
- 28a-QA-6 放射線照射されたβ-(BEDT-TTF)_2I_3の超伝導の圧力効果
- 28a-QA-5 β-(BEDT-TTF)_2I_3の超伝導の放射線照射効果II
- 3p-DS-2 Ge中Gaアクセプタ正孔の緩和時間
- 29a-J-13 (BEDT-TTF)_2(I_3)_(IBr_2)_xの超伝導の圧力依存性
- 29a-J-12 BEDT-TTF・トリハライド混晶系の超伝導と導電性
- 29a-J-10 BEDT-TTF塩のESR
- 28p-RB-3 有機物質における超伝導の特異性
- 12a-H-4 半導体における電子・正孔によるフォノン散乱
- 30p-N-8 P-Siにおける超音波吸収
- 7p-B-6 p-Ge,p-Siでの超音波減衰・熱伝導・熱パルス伝播
- 18a-A-15 中性ドナーによる超音波吸収の磁場依存性
- NaNO_2の相転移点近傍における超音波吸収 : 誘電体
- 2a-P-1 導電性有機電荷移動錯体の結晶成長V. (BEDT・TTF)ポリハライド
- 27a-HF-5 有機導体 (TMTSF)_2ClO_4のSDW相と磁気抵抗
- 27a-HF-4 有機金属 (TMTSF)_2ClO_4のフェルミ面
- 27a-HF-3 (TMTSF)_2ClC_4のSDW相と超伝導相
- 27a-HF-1 (TMTSF)_2ClO_4のESR異方性
- 5a-YA-2 (TMTTF)_2BF_4のESRとπ電子分布
- 4a-KD-13 TMTSF^+,(TMTSF)_2ClO_4のg因子及びスピン分布
- 31p GF-14 銅イオン導電体"Rb_4Cu_I_7Cl_"の相転移
- 30a-E-11 RbCu_4I_Cl_のEXAFS
- 28a-QA-1 有機金属β-(BEDT-TTF)_2 AuI_2の超伝導
- 2a-P-7 有機金属β-(BEDT-TTF)_2 IBr_2の超伝導
- 2a-P-6 有機金属β-(BEDT-TTF)_2 I_3の常圧高温超伝導状態
- 2a-P-5 β-(BEDT-TTF)_2 I_3の2つの超伝導の特性
- 5a-YA-5 (TMTSF)_2ClO_4の開いた軌道と磁気抵抗
- 5a-YA-4 有機超伝導体(TMTSF)_2ClO_4結晶のトンネル効果
- 4a-KD-15 (TMTSF)_2ClO_4/Pb接合の超伝導トンネル効果
- 11p-P-4 (TMTSF)_2ClO_4の磁気抵抗
- 2a-J-9 (TMTSF)_2ClO_4単結晶の対屈曲
- 2a-J-2 有機金属(TMTSF)_2ClO_4の横磁気抵抗の量子振動
- 5a-S-10 3Boson過程におけるパラメトリック不安定II-理論と実験の比較-
- 5a-S-9 3Boson過程におけるパラメトリック不安定I-レーザー光散乱実験--
- 1p-LD-1 準一次元導体の相転移と音波
- 10a-S-8 KCPの低温におけるソフト化
- 10a-S-7 KCPの熱容量異常
- 5a-YA-1 (TMTTF)_2 BF_4の相転移II
- 4a-KD-10 (TMTTF)_2BF_4の相転移
- 2a-J-5 (TMTSF)_2ClO_4のESR : 熱履歴による線幅の先鋭化
- 31a-K-7 有機導体(TMTSF)_2ClO_4の超伝導-金属転移と非線型伝導
- 2a-J-12 TMTTF・TCNQの電気伝導度の圧力依存性 (II)
- 12a-Q-3 臭素をドープしたポリアセチレンのESR
- 2p-J-5 ヨウ素をドープした(CH)_xのESR II
- 31p-K-7 ヨウ素をドープした(CH)_xのESR
- 28a-QA-14 β-(BEDT-TTF)_2トリハライドの合金化
- 28a-QA-10 BEDT-TTF系有機導体の電気的及び磁気的性質
- 2p-J-4 (TMTSF)_2Xの超伝導
- 5a-AE-1 TSeF-TCNQの電荷密度波の短距離秩序