豊田 直樹 | 東北大金研
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概要
関連著者
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豊田 直樹
東北大金研
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佐々木 孝彦
東北大金研
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豊田 直樹
阪府大附属研
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豊田 直樹
東北大・金研
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深瀬 哲郎
東北大金研
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豊田 直樹
東北大院理
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武藤 芳雄
東北大金研
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佐藤 秀樹
東北大金研
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豊田 直樹
東北大学金属材料研究所
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安西 弘行
電総研
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徳本 圓
電総研
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渡辺 洋右
東北大金研
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木下 信盛
電総研
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渡辺 洋右
東北大学金属材料研究所
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小林 司
日電アネルバ
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村田 恵三
電総研
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遠藤 康夫
東北大理
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渡部 司
東北大理
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石野 正弘
東北大金研
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小林 司
東北大金研
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田中 功
山梨大工
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児島 弘直
山梨大工
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伊藤 晋一
東北大理
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児嶋 弘直
東北大多元研
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能登 宏七
東北大金研
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増本 健
東北大金研
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本多 祥晃
電総研
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斉藤 満
岩手大
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高橋 利宏
学習院大理
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吉澤 正人
岩手大工
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安西 弘行
姫工大理
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安西 弘行
姫路工大理
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井上 明久
東北大金研
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岩崎 博
東北大金研
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田中 功
山梨大院医工
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松崎 邦男
東北大学金属材料研究所
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本多 祥晃
電総研、都立大
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武居 文彦
阪大理
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野上 由夫
岡山大理
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神尾 周作
岩手大工
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鹿野田 一司
東大工
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佐々木 尚子
東北大金研
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鹿児島 誠一
東大教養
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宍戸 統悦
東北大金研
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中村 陽介
岩手大工
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土屋 良太
学習院大理
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長田 俊人
東大教養
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児嶋 弘直
山梨大工
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児嶋 弘直
U Toronto
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吉本 則之
岩手大院工
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小池 洋二
東北大金研
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深道 和明
東北大金研
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金子 浩
京大理
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高橋 昭夫
東レ高分子研
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塚本 遵
東レ高分子研
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野上 由夫
京大物理
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石黒 武彦
京大物理
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金子 浩
京大物理
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塚本 遵
高分子研究組合
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高橋 昭夫
高分子研究組合
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武居 文彦
東北大金研
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遠藤 将一
阪大基礎工
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石黒 武彦
電総研
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島津 智明
東北大金研
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吉澤 正人
岩手工大
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斉藤 満
岩手工大
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Lang M
東北大金研
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安西 弘之
姫路工大
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Lang Michael
東北大金研
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中名 生充
東北大金研
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Woods S.b.
アルバータ大学
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Woods S.b.
アルバータ大・物理
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蓮見 真彦
東大教養
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佐藤 保彦
東北大金研
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阿久津 勝美
東北大金研
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渡辺 浩英
東北大金研
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松崎 邦夫
東北大金研
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小林 典男
東北大金研
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奥田 喜一
東大物性研
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藤森 淳
東大理
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阪東 寛
産総研
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太田 俊明
東大理
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藤森 啓安
東北大金研
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福田 承生
東北大金研
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村田 恵三
阪市大院理
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斎藤 満
岩手大工
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Brooks J.
NHMFL
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吉本 則之
岩手大工
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佐藤 学
岩手大工
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山本 高雪
岩手大工
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四谷 任
大阪府産技総研
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吉竹 正明
大阪府産技総研
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新井 敏一
京大低温セ
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鹿野田 一司
学習院大理
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小林 昭子
東大理
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生天目 博文
広大理
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伊東 裕
京大院理
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加藤 礼三
東大物性研
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梶谷 剛
東北大工
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藤森 啓安
東北大・金研
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中村 元彦
奈良教育大
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阪東 寛
電総研
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川又 修一
阪府大工
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奥田 喜一
阪府大工
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武居 文彦
物性研
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菅原 仁
徳島大総台科
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池田 進
高エ研
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立木 昌
金材技研
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斉藤 軍治
物性研
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前田 裕宣
岡山大理
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小林 速男
東邦大理
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鹿野田 一司
分子研
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小林 義明
学習院大理
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村田 惠三
電総研
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Brooks J.
フロリダ州立大
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関山 明
東大理
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中村 元彦
東理大理
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森 道康
東大理
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生田目 博文
東大理
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Brooks J.S.
NHMFL
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中村 敏和
学習院大理
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柴田 薫
原子力機構
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柴田 薫
東北大金研
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柴田 薫
原研量子ビーム
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庄野 安彦
東北大金研
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立木 昌
東北大金研
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田島 裕之
東大理
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四谷 任
(財)大阪科学技術センター
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伊東 裕
京大物理
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新井 敏一
京大物理
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松原 明
京大物理
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小松 啓
東北大金研
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立木 昌
東大新領域:jst-crest
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請井 一利
東北大金研
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岩崎 博
東北大・金研
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岩崎 博
高エネルギー物理学研究所 放射光実験施設
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Hannahs S.
Mit
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小野寺 大
東北大通研
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小林 義明
学習院理
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駒崎 隆裕
ソニー
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菅原 仁
岩手大工
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北川 靖順
岩手大工
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池田 弘毅
岩手大工
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齊藤 満
岩手大工
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駒崎 隆裕
電総研
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Agosta C.C
Clark大
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池田 真吾
東大物性研
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松原 明
京大理
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遠藤 聡
東北大金研
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神尾 周作
岩手工大
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吉本 則之
岩手工大
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佐藤 学
岩手工大
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ラング マイケル
東北大金研
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井口 眞
東大理
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池田 真吾
東大理
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黒田 晴雄
東理大総研
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斉藤 満
岩手大工
-
川又 修一
大阪府大院工:jst-crest
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吉澤 正人
岩手大
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赤浜 裕一
阪大基礎工
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森 道康
東大・理
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松崎 邦男
産業技術総合研究所 先進製造プロセス研究部門
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花田 修治
東北大金研
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梶村 晧二
電総研
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児嶋 弘直
山梨工
-
田中 功
山梨工
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Lang Michael
Institute for Materials Research, Tohoku University, Sendai 980, Japan
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Brooks J.s.
フロリダ州立大
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安西 弘行
姫路工業大学理学部物質工学科
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井上 哲夫
東北大金研
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渡部 政
学習院大理
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黒田 晴雄
東理大
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吉竹 正明
阪府産技総研
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Hannahs S.
Mit-fbnml
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阪東 寛
産業技術総合研
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J.S. Brooks
フロリダ大
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Woods S.b.
アルバータ大物理
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津国 和之
東北大金研
-
駒崎 隆裕
電総研、筑波大
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Fenton E.W.
カナダNRC
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井口 眞
山口東理大基礎工
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山地 邦彦
電総研
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黒田 晴雄
新技術事業団
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加門 和也
関学大理
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上条 長生
大工試
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坂下 寛文
関学大理
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Lang Michael
Institute For Materials Research Tohoku University Sendai 980 Japan
-
冨塚 明
長崎大教養
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斉藤 洋子
東北大金研
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請井 一利
東北大学金属材料研究所
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岡嶋 道生
阪大基礎工
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上間 健有
東北大金研
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王 文魁
東北大金研
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小菊 史男
東北大金研
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Suryanarayana C.
東北大金研
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武藤 芳雄
東北大通研
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菊地 健次
東北大通研
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中村 陽介
岩手工大
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松崎 邦男
東北大金研
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Adrian H.
Erlangen-Nurnberg大・理
著作論文
- 13p-C-9 有機導体α-(BEDT-TTF)_2KHg(SCN)_4の音波測定
- 27a-K-8 κ-(BEDT-TTF)_2Cu(NCS)_2の光電子分光
- 4a-K-11 高導電性ポリアセチレンにおける異常磁気抵抗
- 30p-G-5 高導電性ポリアセチレンの極低温下電気伝導
- 25p-Q-13 偏極冷中性子による超伝導体の混合状態の研究
- 27p-PS-49 Zr-Nスパッタ膜の^3He温度領域での物性
- 3a-S-11 有機導体α-(NEDT-TTF)_2KHg(SCN)_4の音波測定II
- 31p-YJ-7 κ-(BEDT-TTF)_2Cu(NCS)_2の中性子非弾性散乱
- 31a-YJ-9 有機伝導体α-(BEDT-TTF)_2KHg(SCN)_4の高磁場角度依存型磁気抵抗振動効果
- 13p-C-8 有機導体α-(BEDT-TTF)_2KHg(SCN)_4の角度依存型磁気抵抗振動とフェルミ面
- 13p-C-6 α-(BEDT-TTF)_2KHg(SCN)_4の磁化率と低温相
- 13a-C-4 α-Et_2Me_2N[Ni(dmit)_2]_2の強磁場下磁気抵抗
- 12p-C-3 (BEDT-TTF)2Cu(NCS)2のH体とD体の格子パラメータ比較
- 12p-C-2 κ-(BEDT-TTF)_2Cu(NCS)_2の熱膨張 : Tcの一軸性圧力依存性
- 1p-C-5 κ-(BEDT-TTF)_2Cu(NCS)_2の超音波測定(2)
- 1p-C-3 κ-(BEDT-TTF)_2CuN(CN)_2Br系の重水素化による幾何学的同位元素効果
- 1a-C-11 α-(BEDT-TTF)_2KHg(SCN)_4の電流磁気効果
- 30p-S-4 α-(BEDT-TTF)_2KHg(SCN)_4の強磁場電子相 (I)
- 28p-K-9 有機伝導体α-(BEDT-TTF)_2KHg(SCN)_4の磁気的性質
- 27p-K-5 可逆磁化曲線より得られた磁場侵入長II.κ-(BEDT-TTF)_2Cu(NCS)_2, Cu[N(CN)_2]Br
- 27p-K-4 κ-(BEDT-TTF)_2X (X=Cu(NCS)_2, Cu[N(CN)_2]Br)における直流磁化の方向依存性
- 27p-K-1 高温有機超伝導体(BEDT-TTF)_2-Cu(NCS)_2, -CuN(CN)_2Brの格子異常とその考察
- 28a-YE-10 偏極冷中性子による超伝導体の混合状態の研究
- 31p-ZR-5 BEDT-TTF有機超伝導塩の磁束状態
- 1p-C-6 κ-(BEDT-TTF)_2Cu(NCS)_2の磁気トルク
- 27p-K-3 磁場侵入長に対する交流帯磁率、μSRの実験へのコメント
- 28a-ZL-7 偏極冷中性子による超伝導体の混合状態の研究
- 25a-PS-25 偏極中性子減偏極法による超伝導体の混合状態の研究
- 30a-M-2 (BEDT-TTF)_2KHg(SCN)_4の^1H-NMR
- 30a-M-1 α-(BEDT-TTF)_2KHg(SCN)_4の相図に関する考察
- 29p-M-6 κ-(BEDT-TTF)_2Cu(NCS)_2での可逆的磁化曲線による磁場侵入長の決定
- 29p-M-5 κ-(BEDT-TTF)_2Cu[N(CN)_2]Brの磁場中超伝導転移
- 30a-ZF-4 κ-(BEDT-TTF)_2Cu[N(CN)_2]Brの格子定数測定
- 30p-ZF-3 κ-(BEDT-TTF)_2Cu[N(CN)_2]Brの電気抵抗、磁気抵抗
- 30p-ZF-12 (BEDT-TTF)_2KHg(SCN)_4の低温相
- 30p-ZF-8 アニオン分子に銅イオンを含むBEDT-TTF有機超伝導体での混合原子価状態の可能性
- 27p-Z-4 (BEDT-TTF)_2Cu(NCS)_2における双晶及び格子定数の温度変化
- 27p-Z-2 κ-(BEDT-TTF)_2Cu(NCS)_2のマグネティックブレイクダウン効果II
- 27p-Z-1 (BEDT-TTF)_2X(X=Cu(NCS)_2, KHg(SCN)_4他)の磁化率
- 27a-Z-10 (BEDT-TTF)_2KHg(SCN)_4の低温電子状態
- 27a-Z-7 (BEDT-TTF)_2KHg(SCN)_4の電気抵抗の異方性
- 27a-Z-3 κ-(BEDT-TTF)_2Cu[N(CN)_2]Brの上部臨界磁場
- 2p-K-15 (BEDT-TTF)_2KHg(SCN)_4の8Kでの電気抵抗、磁化の異常
- 2a-K-8 (BEDT-TTF)_2KHg(SCN)_4のフェルミ面
- 2a-K-7 κ(BEDT-TTF)_2Cu(NCS)_2のマグネティックブレイクダウン効果
- 5p-S4-8 (BEDT-TTF)_2X_1(X=I_3,IBr_2,Cu(NCS)_2)のフェルミ面の電子状態I
- 2a-L-6 Er_Ho_xRh_4B_4の超音波吸収
- 2p-K-13 (BEDT-TTF)_2MHg(NCS)_4の磁気抵抗効果と低温電子状態
- 3p-M-14 有機超伝導体(BEDT-TTF)系での多体効果による繰り込みについて
- 3p-M-6 有機金属(BEDT-TTF)_2Xの磁気抵抗の角度依存性における振動現象
- Er_2Ba_2(Cu,Pt)_2O_8単結晶の成長と結晶構造
- 4a-M-3 β-(BEDT-TTF)_2I_3のアニール効果と強磁場磁気抵抗
- 4a-M-2 β-(BEDT-TTF)_2I_3のTc=2K状態での上部臨界磁場
- 5p-S4-9 (BEDT-TTF)_2X[X=I_3,IBr_2,Cu(NCS)_2]のフェルミ面の電子状態II
- 5p-S4-6 κ-(BEDT-TTF)_2Cu(NCS)_2のH_の異方性とその圧力依存性
- 2a-KE-9 高圧下におけるNb_3Siの非晶質からA15型への結晶化
- 12a-P-13 V_3Siの超伝導状態における音速の磁場効果
- 12a-P-9 微小単結晶NbSe_2の超伝導比熱
- 2p-L-2 単一相A15-Nb_3Siの超伝導II
- 30a-Q-11 非晶質合金の高圧変態によるA15Nb_3Siの合成
- 11p-D-14 (Er_Ho_x)Rh_4B_4の超音波吸収 II
- 5p-AB-9 (V_Nb_x)_3SiのTc
- 偏極中性子減偏極法による超伝導体の混合状態の研究
- 4a-C-1 Nb-Ti合金の高磁場中電気抵抗の-lnT依存性
- 30p-Q-14 ErRh_4B_4 の超音波吸収
- 12a-S-8 V_3Siの磁化II
- 5a-C-12 V_3Siの超音波吸収
- 5a-C-11 V_3Siの磁化
- 12a-D-10 単結晶V_3Si.Nb_3Snのストレスーストレイン曲線
- 30a-Q-9 一軸性圧力下でのV_3Siの構造相転移と超伝導
- 31a-BC-9 V_3Siの熱膨脹及び混合状態における磁歪
- 12a-S-7 V_3Siの熱膨脹
- 7a-G-15 V_3Siの超伝導状態における超音波異常 II
- 6a-N-1 層状化合物NbSe_2の超伝導
- 27a-K-9 κ-(BEDT-TTF)_2Cu(NCS)_2の超音波測定
- 2p-RM-12 非晶質合金超伝導体Zr_Ir_の電気伝導とゆらぎ
- 4p-D-4 β-(ET)_2Xのシュブニコフ・ドハース振動 II
- 3p-E4-12 Ti添加Nb_3Sn合金のマルテンサイト変態
- 28a-QE-14 準結晶及び非晶質相Al-Mn合金の電気抵抗及び磁気抵抗
- 3p-C-3 非晶質超伝導体における実験則
- 2p-L-3 単結晶Nb_3Snの電気抵抗と超伝導
- 5p-W-13 単結晶V_3Siの混合状態における比熱異常
- 11p-B-9 単結晶V_3Siの比熱
- 29a-L-4 A15型(V_Nb_x)_3Si系の超伝導
- 28a-K-6 A-15型合金のEXAFS(金属)
- 29p-JE-11 ErRh_4B_4の衝撃波効果(低温)
- 31a-L4-7 非晶質Be膜の超伝導と局在(低温(超伝導一般))
- 1a-G4-12 有機導体(TMTSF)_2CIO_4の強磁場下での1-V特性(分子性結晶・液晶・有機半導体)
- 28p-A-3 A15型化合物の問題点(低温シンポジウム)
- 29p-EA-9 β-(BEDT-TTF)_2I_3の高いTc状態のHc_2(29p EA 分子性結晶・液晶・有機半導体)
- 28p-P-5 (BEDT-TTF)_2X,[X=I_3,IBr_2,Cu(NCS)_2]のフェルミ面の電子状態III(28pP 分子性結晶・液晶・有機半導体(BEDT-TTF塩))