3p-E4-12 Ti添加Nb_3Sn合金のマルテンサイト変態

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1988-09-16

著者

• 豊田 直樹

  東北大金研

• 豊田 直樹

  東北大・金研

• 渡辺 洋右

  東北大金研

• 小松 啓

  東北大金研

• 渡辺 洋右

  東北大学金属材料研究所

• 豊田 直樹

  阪府大附属研

• 井上 哲夫

  東北大金研

関連論文

• 31p-YS-8 有機導体α-(BEDT-TTF)_2KHg(SCN)_4の超音波測定III
• 13p-C-9 有機導体α-(BEDT-TTF)_2KHg(SCN)_4の音波測定
• 25a-ZB-12 Zr-N薄膜温度素子の物性
• 27a-K-8 κ-(BEDT-TTF)_2Cu(NCS)_2の光電子分光
• 4a-K-11 高導電性ポリアセチレンにおける異常磁気抵抗
• 30p-G-5 高導電性ポリアセチレンの極低温下電気伝導
• 25p-Q-13 偏極冷中性子による超伝導体の混合状態の研究
• BEDT-TTF塩の高分解能光電子分光と温度変化
• 27p-PS-49 Zr-Nスパッタ膜の^3He温度領域での物性
• 24pYG-10 λ-(BETS)_2FeCl_4の磁気トルクII
• 24pR-15 λ-(BETS)_2FeCl_4の磁気トルク
• 低次元有機伝導体の低温電子相転移
• 28a-C-2 κ-(BEDT-TTF)_2Cu(NCS)_2におけるトランスファー積分の温度依存性
• α-(BEDT-TTF)_2MHg(SCN)_4, (M=K, Rb, NH_4)におけるトランスファー積分の温度依存性
• α-(BEDT-TTF)_2MHg(XCN)_4[M=K, NH_4, Rb, X=S, Se]の格子定数とHOMOバンドの温度変化
• 3a-S-11 有機導体α-(NEDT-TTF)_2KHg(SCN)_4の音波測定II
• 31p-YJ-7 κ-(BEDT-TTF)_2Cu(NCS)_2の中性子非弾性散乱
• 31a-YJ-9 有機伝導体α-(BEDT-TTF)_2KHg(SCN)_4の高磁場角度依存型磁気抵抗振動効果
• 13p-C-8 有機導体α-(BEDT-TTF)_2KHg(SCN)_4の角度依存型磁気抵抗振動とフェルミ面
• 13p-C-6 α-(BEDT-TTF)_2KHg(SCN)_4の磁化率と低温相
• 13a-C-4 α-Et_2Me_2N[Ni(dmit)_2]_2の強磁場下磁気抵抗
• 12p-C-3 (BEDT-TTF)2Cu(NCS)2のH体とD体の格子パラメータ比較
• 12p-C-2 κ-(BEDT-TTF)_2Cu(NCS)_2の熱膨張 : Tcの一軸性圧力依存性
• 1p-C-5 κ-(BEDT-TTF)_2Cu(NCS)_2の超音波測定(2)
• 1p-C-3 κ-(BEDT-TTF)_2CuN(CN)_2Br系の重水素化による幾何学的同位元素効果
• 1a-C-11 α-(BEDT-TTF)_2KHg(SCN)_4の電流磁気効果
• 30p-S-4 α-(BEDT-TTF)_2KHg(SCN)_4の強磁場電子相 (I)
• 28p-K-9 有機伝導体α-(BEDT-TTF)_2KHg(SCN)_4の磁気的性質
• 27p-K-5 可逆磁化曲線より得られた磁場侵入長II.κ-(BEDT-TTF)_2Cu(NCS)_2, Cu[N(CN)_2]Br
• 27p-K-4 κ-(BEDT-TTF)_2X (X=Cu(NCS)_2, Cu[N(CN)_2]Br)における直流磁化の方向依存性
• 27p-K-1 高温有機超伝導体(BEDT-TTF)_2-Cu(NCS)_2, -CuN(CN)_2Brの格子異常とその考察
• 28a-YE-10 偏極冷中性子による超伝導体の混合状態の研究
• 31p-ZR-5 BEDT-TTF有機超伝導塩の磁束状態
• 1p-C-6 κ-(BEDT-TTF)_2Cu(NCS)_2の磁気トルク
• 27p-K-3 磁場侵入長に対する交流帯磁率、μSRの実験へのコメント
• 28a-ZL-7 偏極冷中性子による超伝導体の混合状態の研究
• 25a-PS-25 偏極中性子減偏極法による超伝導体の混合状態の研究
• 30a-M-2 (BEDT-TTF)_2KHg(SCN)_4の^1H-NMR
• 30a-M-1 α-(BEDT-TTF)_2KHg(SCN)_4の相図に関する考察
• 29p-M-6 κ-(BEDT-TTF)_2Cu(NCS)_2での可逆的磁化曲線による磁場侵入長の決定
• 29p-M-5 κ-(BEDT-TTF)_2Cu[N(CN)_2]Brの磁場中超伝導転移
• 30a-ZF-4 κ-(BEDT-TTF)_2Cu[N(CN)_2]Brの格子定数測定
• 30p-ZF-3 κ-(BEDT-TTF)_2Cu[N(CN)_2]Brの電気抵抗、磁気抵抗
• 30p-ZF-12 (BEDT-TTF)_2KHg(SCN)_4の低温相
• 30p-ZF-8 アニオン分子に銅イオンを含むBEDT-TTF有機超伝導体での混合原子価状態の可能性
• 27p-Z-4 (BEDT-TTF)_2Cu(NCS)_2における双晶及び格子定数の温度変化
• 27p-Z-2 κ-(BEDT-TTF)_2Cu(NCS)_2のマグネティックブレイクダウン効果II
• 27p-Z-1 (BEDT-TTF)_2X(X=Cu(NCS)_2, KHg(SCN)_4他)の磁化率
• 27a-Z-10 (BEDT-TTF)_2KHg(SCN)_4の低温電子状態
• 27a-Z-7 (BEDT-TTF)_2KHg(SCN)_4の電気抵抗の異方性
• 27a-Z-3 κ-(BEDT-TTF)_2Cu[N(CN)_2]Brの上部臨界磁場
• 2p-K-15 (BEDT-TTF)_2KHg(SCN)_4の8Kでの電気抵抗、磁化の異常
• 2a-K-8 (BEDT-TTF)_2KHg(SCN)_4のフェルミ面
• 2a-K-7 κ(BEDT-TTF)_2Cu(NCS)_2のマグネティックブレイクダウン効果
• 5p-S4-8 (BEDT-TTF)_2X_1(X=I_3,IBr_2,Cu(NCS)_2)のフェルミ面の電子状態I
• 2a-L-6 Er_Ho_xRh_4B_4の超音波吸収
• 2p-K-13 (BEDT-TTF)_2MHg(NCS)_4の磁気抵抗効果と低温電子状態
• 3p-M-14 有機超伝導体(BEDT-TTF)系での多体効果による繰り込みについて
• 3p-M-6 有機金属(BEDT-TTF)_2Xの磁気抵抗の角度依存性における振動現象
• Er_2Ba_2(Cu,Pt)_2O_8単結晶の成長と結晶構造
• 4a-M-3 β-(BEDT-TTF)_2I_3のアニール効果と強磁場磁気抵抗
• 4a-M-2 β-(BEDT-TTF)_2I_3のTc=2K状態での上部臨界磁場
• 5p-S4-9 (BEDT-TTF)_2X[X=I_3,IBr_2,Cu(NCS)_2]のフェルミ面の電子状態II
• 5p-S4-6 κ-(BEDT-TTF)_2Cu(NCS)_2のH_の異方性とその圧力依存性
• 2a-KE-9 高圧下におけるNb_3Siの非晶質からA15型への結晶化
• 12a-P-13 V_3Siの超伝導状態における音速の磁場効果
• 12a-P-9 微小単結晶NbSe_2の超伝導比熱
• 2p-L-2 単一相A15-Nb_3Siの超伝導II
• 30a-Q-11 非晶質合金の高圧変態によるA15Nb_3Siの合成
• 11p-D-14 (Er_Ho_x)Rh_4B_4の超音波吸収 II
• 5p-AB-9 (V_Nb_x)_3SiのTc
• 偏極中性子減偏極法による超伝導体の混合状態の研究
• 4a-C-1 Nb-Ti合金の高磁場中電気抵抗の-lnT依存性
• 30p-Q-14 ErRh_4B_4 の超音波吸収
• 12a-S-8 V_3Siの磁化II
• 5a-C-12 V_3Siの超音波吸収
• 5a-C-11 V_3Siの磁化
• 12a-D-10 単結晶V_3Si.Nb_3Snのストレスーストレイン曲線
• 30a-Q-9 一軸性圧力下でのV_3Siの構造相転移と超伝導
• 31a-BC-9 V_3Siの熱膨脹及び混合状態における磁歪
• 12a-S-7 V_3Siの熱膨脹
• 7a-G-15 V_3Siの超伝導状態における超音波異常 II
• 6a-N-1 層状化合物NbSe_2の超伝導
• 27a-K-9 κ-(BEDT-TTF)_2Cu(NCS)_2の超音波測定
• 2p-RM-12 非晶質合金超伝導体Zr_Ir_の電気伝導とゆらぎ
• 4p-D-4 β-(ET)_2Xのシュブニコフ・ドハース振動 II
• 3p-E4-12 Ti添加Nb_3Sn合金のマルテンサイト変態
• 28a-QE-14 準結晶及び非晶質相Al-Mn合金の電気抵抗及び磁気抵抗
• 3p-C-3 非晶質超伝導体における実験則
• 2p-L-3 単結晶Nb_3Snの電気抵抗と超伝導
• 5p-W-13 単結晶V_3Siの混合状態における比熱異常
• 11p-B-9 単結晶V_3Siの比熱
• 29a-L-4 A15型(V_Nb_x)_3Si系の超伝導
• 28a-K-6 A-15型合金のEXAFS(金属)
• 29p-JE-11 ErRh_4B_4の衝撃波効果(低温)
• 31a-L4-7 非晶質Be膜の超伝導と局在(低温(超伝導一般))
• 1a-G4-12 有機導体(TMTSF)_2CIO_4の強磁場下での1-V特性(分子性結晶・液晶・有機半導体)
• 28p-A-3 A15型化合物の問題点(低温シンポジウム)
• 29p-EA-9 β-(BEDT-TTF)_2I_3の高いTc状態のHc_2(29p EA 分子性結晶・液晶・有機半導体)
• 28p-P-5 (BEDT-TTF)_2X,[X=I_3,IBr_2,Cu(NCS)_2]のフェルミ面の電子状態III(28pP 分子性結晶・液晶・有機半導体(BEDT-TTF塩))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク