黒田 晴雄 | 東大理
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概要
関連著者
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黒田 晴雄
東大理
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黒田 晴雄
東大理、新技術開発事業団
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黒田 晴雄
新技術事業団
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黒田 晴雄
東理大
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難波 秀利
東大理
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田島 裕之
東大理
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薬師 久弥
東大理
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徳本 圓
電総研
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大柳 宏之
電総研
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石黒 武彦
電総研
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難波 秀利
東大. 理
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小杉 信博
京大工
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田村 雅史
東大理
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朝倉 清高
東大理
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松下 正
高エ研
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藤川 高志
横国大工
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朝倉 清高
北大触媒化学研究センター
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小林 昭子
東大理
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小林 速男
東邦大理
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小杉 信博
東大理
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白川 英樹
筑波大物質
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松下 正
Kek
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太田 俊明
広大理
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根本 宏明
筑波大
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白川 英樹
内閣府総合科学技術会議
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薬師 久弥
分子研
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松下 正
Kek-pf
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朝倉 清高
北大触媒セ
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木下 修一
東大理
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近藤 寛
東大理
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近藤 寛
化技研
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高良 和武
高工研
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白川 英樹
筑波大・工
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菅野 忠
東大理
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菅野 忠
東大
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太田 俊明
東大理
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山口 徹
東大 理
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高田 恭孝
Kek-pf
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伊藤 正久
理研
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石黒 武彦
京大理:crest(科技団)
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北島 義典
高エ研
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横山 利彦
広大理
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高良 和武
KEK
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高田 恭孝
広大理
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北島 義典
KEK-PF
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安西 弘行
電総研
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井口 洋夫
分子研
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松下 正
高エ研放射光
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難波 秀利
立命館大理工
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明山 浩一
東大理
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加藤 礼三
東邦大理
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黒田 晴雄
東大 理
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高良 和武
高エ研
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船橋 学
理学電機
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山口 徹
東大理
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中西 紀元
東大理
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谷口 雅樹
広大理
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加藤 礼三
東大物性研
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村田 好正
物性研
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太田 俊明
立命館大学SRセンター
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斉藤 軍治
分子研
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池本 勲
東大理
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加藤 礼三
東大理
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木下 信盛
電総研
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Hannahs S.
Mit
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藤川 高志
千葉大院・自然
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Agosta C.C
Clark大
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池田 真吾
東大物性研
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池田 真吾
東大理
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前田 篤志
三洋電機ニューマテリアル研
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増田 理麻
東大理
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大川 祐司
東大理
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斎藤 軍治
東大物性研
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Hannahs S.
Mit-fbnml
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前田 篤志
新技術事業団
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松浦 智之
横国大工
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大門 寛
東大理
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菅野 忠
東大 理
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船橋 学
新技術開発事業団
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佐竹 徹
新技術事業団
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藤森 俊成
新技術事業団
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難波 秀利
東大 理
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植山 公助
新技術
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黒田 晴雄
東大・理
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前田 篤志
三洋電機(株)二ユーマテリアル研究所
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小林 速男
東邦大 理
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黒田 晴雄
東京大学・理学部
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菅 滋正
阪大基礎工
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藤森 淳
東大理
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井口 洋夫
宇宙航空研究開発機構
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石井 秀司
京都大学大学院工学研究科材料工学専攻:(現)(株)イオン工学研究所
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菅 滋正
物性研
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Brooks J.
NHMFL
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森 初果
超工研
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田中 昭二
超工研
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安西 弘行
姫路工大理
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溝川 貴司
東大理
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森 健彦
東工大工
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森 健彦
分子研
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横山 利彦
東大理
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菊地 耕一
東大理
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鹿児島 誠一
東大教養
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生天目 博文
東大理
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高木 英典
東大工
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内田 慎一
東大工
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松原 秀樹
Engineering Research Institute University Of Tokyo
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永崎 洋
東大工
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窪田 政一
東大物性研
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Brooks J.
フロリダ州立大
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野原 進一
東大理
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生田目 博文
東大理
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植田 義文
徳山高専
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Brooks J.S.
NHMFL
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窪田 政一
物性研
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小杉 信博
京大分子工学
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北島 義典
高エネルギー加速器研究機構pf
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細谷 資明
東大物性研
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藤川 高志
横浜国立大学工学部
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堤 喜登美
金沢大理
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小泉 光生
原研
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堤 喜登美
東大教養
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宮原 恒〓
Kek Pf
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松原 秀樹
阪大基礎工
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小泉 光生
新技術
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横山 浩一
広島大理
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矢持 秀起
東大物性研
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西原 克浩
広大理
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Brooks J.s.
フロリダ州立大
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Swanson A.
Boston大
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Brooks J.
Boston大
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Agosta C.
MIT
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黒田 靖雄
東大理
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島田 広道
新技術開発事業団黒田固体表面プロジェクト
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深山 晋
新技術開発事業団黒田固体表面プロジェクト
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田島 裕之
新技術開発事業団黒田固体表面プロジェクト
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前田 篤志
新技術開発事業団黒田団体表面プロジェクト
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佐竹 徹
新技術開発事業団黒田固体表面プロジェクト
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黒田 晴雄
新技術開発事業団黒田固体表面プロジェクト
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藤川 高志
横浜国大工
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今川 大
横国大工
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岡本 穏冶
東大理
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山崎 好直
東大理
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斎藤 聡
横国大工
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井野 正三
東大理
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金田 修明
東大理
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斎藤 軍治
物性研
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大高 明浩
東大理
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松下 正
高工研
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J.S. Brooks
フロリダ大
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鵜川 彰人
分子研
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細谷 資明
物性研
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片桐 元
東大理
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太田 俊明
KEK
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高橋 亮
東大理
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田島 裕史
東大理
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老泉 博昭
横国大工
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松浦 智之
横浜国大工
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石井 菊次郎
東大理
-
藤川 高志
東大理
-
高橋 亮
東理大理
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手塚 好弘
東大理
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薬師 久弥
東大 理
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高良 和武
高エネルギー加速器科学奨励会
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田中 一宣
電総研
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伊藤 正久
原研
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浅井 整一
広大理
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綾戸 宏
富士フィルム足柄研
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織田 昌平
富士フィルム足柄研
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佐藤 能雅
東大薬
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石井 秀司
東大理
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楠 美智子
新技術事業団
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藤森 俊成
新技術開発事業団
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谷 真佐人
東大教養
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金井 保之
東大教養
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横山 浩一
広大理
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井手 大輔
広大理
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浅井 整一
広島大学理学部
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北島 義典
KEKPF
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内藤 俊雄
東大理
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Clark R.A.
North Wales大
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Underhill A.E.
North Wales大
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森定 郁生
広大理
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森 健彦
東大理
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佐々木 行美
東大理
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難波 秀利
東大・理
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野口 昭彦
東大・理
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李 相吉
東大理
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北島 義典
東大理
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前田 篤志
新技術開発事業団
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村井 卓郎
東大理
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井手 大輔
広島大学理学部
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今川 大
横浜国大工
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大門 寛
奈良先端大物質創成
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黒田 晴雄
東京大学理学部
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佐藤 能雅
東大 大学院薬学系研究科
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伊藤 正彦
理研
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田中 一宣
Jrcat-融合研
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森定 郁生
広島大学理学部
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黒田 晴雄
新技術開発事業団
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手塚 好弘
川鉄ハイテク研
著作論文
- 26p-P-10 Si(100)上の表面水酸基による低速電子の負イオン共鳴散乱と吸着状態
- 3a-C4-11 K/Si(001)の光電子分光II
- 2a-G-4 有機金属(BEDT-TTF)_2X磁気的量子振動
- 2a-G-2 θ型類似構造をもつ(BEDT-TTF)_2KHg(SCN)_4の偏光反射スペクトル
- 6a-ZA-5 銅K吸収スペクトルによるYBa_2Cu_3O_yの酸素量と電子状態の相関の研究
- 6p-C3-2 高温超伝導関連酸化物単結晶の偏光CuK吸収スペクトル
- 28a-D-18 高温超伝導体のCu ls→3d XANESと価数
- 25p-Z-10 X線吸収端近傍微細構造を用いた窒素原子の吸着によるNi(111)表面再配列の研究
- 27a-Q-6 EXAFS理論の新展開(1)単結晶における球面波効果
- 30a-M-12 α-Et_2Me_2N[M(dmit)_2]_2の磁気抵抗
- 28p-ZF-1 交差型フェルミ面を持つ[M(dmit)_2]塩
- 1a-N-4 臭素をドープしたポリアセチレンのXANESの理論的研究
- 31p-G-11 有効質量近似による(BEDT-TTF)_2Xの電子構造の解析
- 1a-CK-6 (DEDP)(TCNQ)_4 I,II 及び (DMPE)(TCNQ)_4 の物性
- 2a-K-2 θ-(BEDT-TTF)_2I_3のシュプニコフ・ドハース効果
- 27a-L-11 水素吸着系へのXANESの応用 : 理論的研究
- 30p-E-3 短距離秩序多重散乱理論によるXANESの計算
- 29p-P-4 動的理論による光イオン化断面積の計算
- EXAFS〔Extended Absorption Fine Structure〕とその応用
- 7p-Q-3 イオン結晶のX線光電子スペクトルのサテライトとエネルギーロス構造の研究
- 30a-H-1 電荷移動錯体単結晶の反射スペクトル
- 10a-S-10 TFT-カチオンラジカル塩の単結晶偏光吸収スペクトル
- 6p-P-2 TTF-ハライドの単結晶偏光吸収スペクトル
- 12a-Q-5 臭素をドープしたポリアセチレンの偏光依存EXAFS
- 27p-L-1 フォトンファクトリーEXAFS測定装置
- 30a-G-12 臭素をドープしたポリアセチレンのEXAFS
- 27a-SB-22 アモルファスGeTeのEXAFS
- 5p-PS-55 NaCuO_2,La_4BaCu_5O_の光電子分光
- 2a-P-11 銅K吸収スペクトルの理論計算 : 終状態効果と配位子場効果
- 2a-P-10 2価、3価銅化合物のCu 1s→3d XANES
- 27p-B-7 EXAFSによるAgBr_I_x混晶の局所構造解析
- 1p-Z-11 表面EXAFSによる(1×1)S/Ni(7 9 11)および(√×√)R30゜S/Ni(7 9 11)の構造決定
- 2p-A-4 イオン結晶の内殻電子の光イオン化断面積
- 1a-CK-9 TTF 陽イオンラジカル塩の磁性
- 6p-P-1 X線光電子分光法によるTTF錯体の電荷移動量の決定
- 4a-A-15 偏光X線法によるCu(II)錯体の内殻吸収におけるshake-downの解明
- 物質の局所構造を知る新しい方法--EXAFS
- 2a-Z-7 fcc-Sm-Yb超格子のエピタキシャル成長
- 5a-Q-4 Eu/Yb超格子の構造
- 有機超伝導体への期待 (有機導電体)
- シンクロトロン放射光 (加速器と先端技術)
- 4a-KD-12 非対称イオンを含むTMTSF塩とTMTTF塩の構造変態
- 26p-M-16 SnSe, SnTeの光電子および逆光電子分光
- EXAFSとXANESによる表面解析--表面構造研究の新しい手法
- 非晶系の原子配列--EXAFS法を中心にして (どこまでわかるか)
- 3a-P-7 臭素およびヨウ素をドープしたポリアセチレンの構造
- 4p-YA-6 臭素をドープしたポリアセチレンの偏光X線吸収スペクトルIII : XANES
- 4p-YA-5 ヨウ素をドープしたポリアセチレンの偏光X線吸収スペクトルI : EXAFS
- 2a-KD-8 臭素をドープしたポリアセチレンの偏光EXAFS II : 濃度依存性
- シンクロトロン放射-1-総論
- 29p-M-4 κ型のBEDT-TTF塩の反射スペクトル
- 5a-PS-42 半導体検出器によるc(2x2)S/Ni(100)表面の軟X線定在波測定及び構造解析
- 2a-E-8 (√7×√7)R19°S/Cu(111)の表面再配列構造 : SEXAFSと軟X線定在波法による解析
- 3a-M-12 伝導性[Ni(dmit)_2]塩の偏光反射スペクトル(II)
- 3a-M-11 [Pd(dmit)_2]塩の反射スペクトル
- 3p-B4-14 K/Cu(111)系のカリウムK吸収端構造の研究
- 3p-B4-12 表面EXAFS法、X線定在波法によるCl/Ni(111)系の表面局所構造
- 4a-KD-3 BEDT-TTF塩の反射スペクトル
- 28p-Z-5 Si(100)上へのジメチルゲルマンの吸着と光分解
- 27a-E-12 Ni(7911)ステップ面の表面物性
- 25p-PS-37 角度分解光電子分光によるNi(7 9 11)ステップ面の電子状態の研究
- 24a-PS-10 Si(100)上に吸着したアンモニアの光分解
- 2a-E-5 Ni(7911)ステップ面へのNa吸着の研究
- 30p-TA-11 価電子領域の光刺激脱離における2電子励起過程
- 6p-T-9 水素吸着によるNi(7911)面のステップ構造変化
- 5a-B4-5 シンクロトロン放射励起によるH_2O/Si(100)の光刺激脱離スペクトル
- 31a-T-5 新球面鏡分析器によるシンクロトロン放射光電子の角度分布パターンの測定
- 2p-S-2 c(2×2)S/Ni(110)の表面EXAFS,XANES
- 7p-Q-2 X線光電子分光法におけるマルチディテクター方式の開発
- 12p-Z-12 Cu,Cu_2O,CuOのX線光電子スペクトル
- 3p-KE-12 X線光電子分光法におけるNaKα線の利用
- 3p-KE-11 X線光電子分光法による仕事関数の測定
- シンクロトロン放射は材料研究にどのように利用されるか
- 30a-E-11 RbCu_4I_Cl_のEXAFS
- 酸化マグネシウム(MgO)に添加した金属イオンの周辺構造とMgOの触媒物性に与える影響に関する研究 (〔第57回〕触媒討論会特集号(予稿))
- EXAFSによる酸化物担持Ru3(CO)12触媒の構造決定 (化学における構造決定) -- (EXAFS・XANES)
- シリカ固定化超薄膜アモルファス酸化ニオブ触媒の調製とその触媒特性に関する研究 (第56回触媒討論会特集号(予稿)) -- (合金触媒など)
- III. 平板結晶による角度分散法
- 29a-J-8 超伝導を示すBEDT-TTF塩の反射スペクトル
- ベンジジン-1, 3, 5-トリニトロベンゼン錯体の結晶構造
- 実験室的EXAFS測定装置
- 非晶系の原子配列 : EXAFS法を中心にして
- 3p-NS-4 シンクロトロン放射光と表面科学
- 31a-M2-8 シンクロトロン放射VUV,軟X線固体表面分光解析設備(表面・界面)
- 30a-JF-1 電荷移動錯体の高圧下における反射スペクトル(分子性結晶・液晶・有機半導体)
- 28p-LM-1 Niフタロシアニン錯体の偏光Ni-K吸収スペクトル(イオン結晶・光物性)
- 31p-B2-16 高温超伝導関連酸化物のCu1s→3d XANES(イオン結晶・光物性(SOR VUV))
- 2p-D4-6 ヨウ素をドープしたポリアセチレンの偏光X線吸収スペクトル : II. XANES(2p D4 分子性結晶・液晶・有機半導体,分子性結晶・有機半導体・液晶)
- 31p-D4-7 BEDT-TTF塩の反射スペクトル(31p D4 分子性結晶・液晶・有機半導体,分子性結晶・有機半導体・液晶)
- 29a-P-9 伝導性[Ni(dmit)_2]塩の偏光反射スペクトル(29aP 分子性結晶・液晶・有機半導体(DMET塩など))
- 29p-EA-3 β-(BEDT-TTF)_2I_3の反射スペクトルの温度依存性(29p EA 分子性結晶・液晶・有機半導体)