シンクロトロン放射は材料研究にどのように利用されるか

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• アグネ技術センターの論文

著者

• 黒田 晴雄

  東大理

• 黒田 晴雄

  新技術事業団

関連論文

• 26p-P-10 Si(100)上の表面水酸基による低速電子の負イオン共鳴散乱と吸着状態
• 3a-C4-11 K/Si(001)の光電子分光II
• 13a-C-4 α-Et_2Me_2N[Ni(dmit)_2]_2の強磁場下磁気抵抗
• 2a-G-4 有機金属(BEDT-TTF)_2X磁気的量子振動
• 2a-G-2 θ型類似構造をもつ(BEDT-TTF)_2KHg(SCN)_4の偏光反射スペクトル
• 6a-ZA-5 銅K吸収スペクトルによるYBa_2Cu_3O_yの酸素量と電子状態の相関の研究
• 6p-C3-2 高温超伝導関連酸化物単結晶の偏光CuK吸収スペクトル
• YBa_2Cu_3O_ペロブスカイトの酸素欠損と超伝導
• 27p-PS-70 高温超伝導体のESR・磁化率
• 27p-PS-68 高温超伝導体YBa_2Cu_3O_単結晶の反射スペクトル
• 28a-D-18 高温超伝導体のCu ls→3d XANESと価数
• 25p-Z-10 X線吸収端近傍微細構造を用いた窒素原子の吸着によるNi(111)表面再配列の研究
• 27a-Q-6 EXAFS理論の新展開(1)単結晶における球面波効果
• 30a-M-12 α-Et_2Me_2N[M(dmit)_2]_2の磁気抵抗
• 28p-ZF-1 交差型フェルミ面を持つ[M(dmit)_2]塩
• 1a-N-4 臭素をドープしたポリアセチレンのXANESの理論的研究
• 31p-G-11 有効質量近似による(BEDT-TTF)_2Xの電子構造の解析
• 1a-CK-6 (DEDP)(TCNQ)_4 I,II 及び (DMPE)(TCNQ)_4 の物性
• 2a-K-2 θ-(BEDT-TTF)_2I_3のシュプニコフ・ドハース効果
• 27a-L-11 水素吸着系へのXANESの応用 : 理論的研究
• 30p-E-3 短距離秩序多重散乱理論によるXANESの計算
• 29p-P-4 動的理論による光イオン化断面積の計算
• EXAFS〔Extended Absorption Fine Structure〕とその応用
• 7p-Q-3 イオン結晶のX線光電子スペクトルのサテライトとエネルギーロス構造の研究
• 30a-H-1 電荷移動錯体単結晶の反射スペクトル
• 10a-S-10 TFT-カチオンラジカル塩の単結晶偏光吸収スペクトル
• 6p-P-2 TTF-ハライドの単結晶偏光吸収スペクトル
• 12a-Q-5 臭素をドープしたポリアセチレンの偏光依存EXAFS
• 27p-L-1 フォトンファクトリーEXAFS測定装置
• 30a-G-12 臭素をドープしたポリアセチレンのEXAFS
• 27a-SB-22 アモルファスGeTeのEXAFS
• 29p-T-9 Cl/Cu(100)表面上のCl原子の熱振動異方性
• Cu(100)表面上の塩素原子の熱振動異方性
• 5p-PS-55 NaCuO_2,La_4BaCu_5O_の光電子分光
• 2a-P-11 銅K吸収スペクトルの理論計算 : 終状態効果と配位子場効果
• 2a-P-10 2価、3価銅化合物のCu 1s→3d XANES
• 27p-B-7 EXAFSによるAgBr_I_x混晶の局所構造解析
• 1p-Z-11 表面EXAFSによる(1×1)S/Ni(7 9 11)および(√×√)R30゜S/Ni(7 9 11)の構造決定
• 2p-A-4 イオン結晶の内殻電子の光イオン化断面積
• 1a-CK-9 TTF 陽イオンラジカル塩の磁性
• 6p-P-1 X線光電子分光法によるTTF錯体の電荷移動量の決定
• 30p-YS-2 超伝導体α-(EDT-TTF)[Ni(dmit)_2]の物性III
• 28p-YJ-6 α-EDT-TTF[Ni(dmit)_2]の物性 II
• 13a-C-5 常圧超伝導体α-EDT-TTF[Ni(dmit)_2]の物性
• 4a-A-15 偏光X線法によるCu(II)錯体の内殻吸収におけるshake-downの解明
• 物質の局所構造を知る新しい方法--EXAFS
• 2a-Z-7 fcc-Sm-Yb超格子のエピタキシャル成長
• 5a-Q-4 Eu/Yb超格子の構造
• 有機超伝導体への期待 (有機導電体)
• シンクロトロン放射光 (加速器と先端技術)
• 4a-KD-12 非対称イオンを含むTMTSF塩とTMTTF塩の構造変態
• 26p-M-16 SnSe, SnTeの光電子および逆光電子分光
• EXAFSとXANESによる表面解析--表面構造研究の新しい手法
• 非晶系の原子配列--EXAFS法を中心にして (どこまでわかるか)
• 3a-P-7 臭素およびヨウ素をドープしたポリアセチレンの構造
• 4p-YA-6 臭素をドープしたポリアセチレンの偏光X線吸収スペクトルIII : XANES
• 4p-YA-5 ヨウ素をドープしたポリアセチレンの偏光X線吸収スペクトルI : EXAFS
• 2a-KD-8 臭素をドープしたポリアセチレンの偏光EXAFS II : 濃度依存性
• シンクロトロン放射-1-総論
• 29p-M-4 κ型のBEDT-TTF塩の反射スペクトル
• 5a-PS-42 半導体検出器によるc(2x2)S/Ni(100)表面の軟X線定在波測定及び構造解析
• 2a-E-8 (√7×√7)R19°S/Cu(111)の表面再配列構造 : SEXAFSと軟X線定在波法による解析
• 3a-M-12 伝導性[Ni(dmit)_2]塩の偏光反射スペクトル(II)
• 3a-M-11 [Pd(dmit)_2]塩の反射スペクトル
• 3p-B4-14 K/Cu(111)系のカリウムK吸収端構造の研究
• 3p-B4-12 表面EXAFS法、X線定在波法によるCl/Ni(111)系の表面局所構造
• 4a-KD-3 BEDT-TTF塩の反射スペクトル
• 28p-Z-5 Si(100)上へのジメチルゲルマンの吸着と光分解
• 27a-E-12 Ni(7911)ステップ面の表面物性
• 25p-PS-37 角度分解光電子分光によるNi(7 9 11)ステップ面の電子状態の研究
• 24a-PS-10 Si(100)上に吸着したアンモニアの光分解
• 2a-E-5 Ni(7911)ステップ面へのNa吸着の研究
• 30p-TA-11 価電子領域の光刺激脱離における2電子励起過程
• 6p-T-9 水素吸着によるNi(7911)面のステップ構造変化
• 5a-B4-5 シンクロトロン放射励起によるH_2O/Si(100)の光刺激脱離スペクトル
• 31a-T-5 新球面鏡分析器によるシンクロトロン放射光電子の角度分布パターンの測定
• 2p-S-2 c(2×2)S/Ni(110)の表面EXAFS,XANES
• 7p-Q-2 X線光電子分光法におけるマルチディテクター方式の開発
• 12p-Z-12 Cu,Cu_2O,CuOのX線光電子スペクトル
• 3p-KE-12 X線光電子分光法におけるNaKα線の利用
• 3p-KE-11 X線光電子分光法による仕事関数の測定
• シンクロトロン放射は材料研究にどのように利用されるか
• 30a-E-11 RbCu_4I_Cl_のEXAFS
• 酸化マグネシウム(MgO)に添加した金属イオンの周辺構造とMgOの触媒物性に与える影響に関する研究 (〔第57回〕触媒討論会特集号(予稿))
• EXAFSによる酸化物担持Ru3(CO)12触媒の構造決定 (化学における構造決定) -- (EXAFS・XANES)
• シリカ固定化超薄膜アモルファス酸化ニオブ触媒の調製とその触媒特性に関する研究 (第56回触媒討論会特集号(予稿)) -- (合金触媒など)
• III. 平板結晶による角度分散法
• 29a-J-8 超伝導を示すBEDT-TTF塩の反射スペクトル
• ベンジジン-1, 3, 5-トリニトロベンゼン錯体の結晶構造
• 実験室的EXAFS測定装置
• 非晶系の原子配列 : EXAFS法を中心にして
• 3p-NS-4 シンクロトロン放射光と表面科学
• 31a-M2-8 シンクロトロン放射VUV,軟X線固体表面分光解析設備(表面・界面)
• 30a-JF-1 電荷移動錯体の高圧下における反射スペクトル(分子性結晶・液晶・有機半導体)
• 28p-LM-1 Niフタロシアニン錯体の偏光Ni-K吸収スペクトル(イオン結晶・光物性)
• 31p-B2-16 高温超伝導関連酸化物のCu1s→3d XANES(イオン結晶・光物性(SOR VUV))
• 2p-D4-6 ヨウ素をドープしたポリアセチレンの偏光X線吸収スペクトル : II. XANES(2p D4 分子性結晶・液晶・有機半導体,分子性結晶・有機半導体・液晶)
• 31p-D4-7 BEDT-TTF塩の反射スペクトル(31p D4 分子性結晶・液晶・有機半導体,分子性結晶・有機半導体・液晶)
• 29a-P-9 伝導性[Ni(dmit)_2]塩の偏光反射スペクトル(29aP 分子性結晶・液晶・有機半導体(DMET塩など))
• 29p-EA-3 β-(BEDT-TTF)_2I_3の反射スペクトルの温度依存性(29p EA 分子性結晶・液晶・有機半導体)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク