村田 好正 | 物性研
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概要
関連著者
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村田 好正
物性研
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物性研
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東大物性研
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物性研
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物性研
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物性研
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物性研
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物性研
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物性研
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学習院大理:物性研
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東大教養
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東大原子力セ
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赤沢 方省
物性研
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谷口 雅樹
広大院理
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小林 紘一
東大 原子力研総セ
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藤本 文範
阪大産研
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小牧 研一郎
東大院総合
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坂本 浩一
物性研
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山本 雅樹
物性研
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山下 博
東大原セ
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山下 博
東大理
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小山 正
物性研
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山本 雅樹
東大物性研
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難波 秀利
東大物性研
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井野 正三
東大 理
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大門 寛
東大 理
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花田 貴
東大 理
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花田 貴
理研フロンティア
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関 正美
原研 那珂
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小林 啓介
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関 正美
物性研
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関 正美
東大物性研
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辛 埴
物性研
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加瀬 晃
物性研
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山梨大教育
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伊藤 久司
物性研
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服部 健雄
東北大学未来科学技術共同研究センター
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難波 秀利
学習院大理
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永野 真一郎
東大 理
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Vilalta E.
東大教養
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山下 博
東大原子力センター
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渡部 俊太郎
物性研
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間瀬 一彦
理研
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難波 秀利
東大理
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黒田 晴雄
東大理
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土井 一郎
物性研
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石田 晏穂
物性研
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田畑 健
物性研
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宮尾 正大
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築野 孝
住友電工
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宮原 恒〓
Kek Pf
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東北大科研
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石坂 彰利
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石坂 彰利
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相沢 俊
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楠 勲
東北大学多元物質科学研究所
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相澤 俊
物材機構物質研
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相澤 俊
東大・理・井野研
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岸川 淳
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学習院大(理)
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村上 俊一
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武蔵工大電
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物性研
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ビラルタ エウジェニ
東大教養
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菅原 英直
東北大理
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金森 順次郎
阪大
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石井 武比古
筑波大物質
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津田 惟雄
東理大理
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木下 是雄
学習院大学
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クラウザー ルース
物性研
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青木 貞人
物性研
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物性研
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服部 健雄
武蔵工大工
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内川 清
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丹羽 達雄
日本光学
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太田 俊明
広大理
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小林 啓介
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森田 瑞穂
大阪大学大学院工学研究科
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森田 瑞穂
大阪大学大学院工学研究科精密科学・応用物理学専攻
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後藤 哲二
東邦大学
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黒田 晴雄
東大理、新技術開発事業団
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金森 順次郎
阪大理
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宋 文奉
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村田 好正
東大理学部化学教室
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伊藤 徹三
東大理学部化学教室
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上原 博通
東大理学部化学教室
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難波 秀利
東大. 理
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木下 是雄
学習院大理
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尾嶋 正治
Ntt電子応用研究所
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岩崎 紀子
東大物性研
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村田 好正
東大(物性研)
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後藤 哲二
学習院大(理)
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村田 好正
学習院大(理)
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木下 是雄
学習院大(理)
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村田 好正
学習院大 理
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村上 俊一
学習院理学部
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村田 好正
学習院理学部
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川村 茂之
学習院大・理
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永倉 一郎
群大教育
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大門 寛
東大理
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永野 眞一郎
東大 理
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宋 文奉
慶大理工
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黒田 晴雄
新技術事業団
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宮尾 正大
静岡大電子研
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植山 公助
新技術
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金森 順次郎
大阪大学
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A Peremans
物性研
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川村 朋晃
NTT電子応用研究所
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金森 順次郎
阪大院理
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エウジェニ ビラルタ
東大教養
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出井 陽治
東大理
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増田 正孝
東大理
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葛見 徹
東理大理
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Klauser R.
物性研
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NTT電子応用研
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川村 朋晃
NTT電子応用研
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水野 精義
都立大理
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尾嶋 正治
NTT電子応用研
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L.E. Vilalta
東大教養
著作論文
- 30p-P-8 半導体の内殻励起領域における光電子分光
- 4a-E-4 K/Cu(100)の光電子分光
- 26p-O-3 ^1H(^N,αγ)^C核反応によるW(110)表面の水素吸着の測定
- 29a-S-11 ^1H(^N,αγ-1)^C核反応の共鳴エネルギー幅
- 27p-C-12 ^1H(^N, αγ_1)^C核反応によるW(001)表面の水素定量
- 2p-R-7 ^1H(^N,αγ)^C核反応によるW(100)表面の水素定量
- 31a-T-6 レーザーを用いた角度分解共鳴二光子光電子分光による表面研究の装置製作
- 3p-B4-4 Surface structure studies of NbMo(100)alloys
- 3a-C4-11 K/Si(001)の光電子分光II
- 3a-C4-7 Impurity effects of the SiO_2-Si(100)interface studied by Angle-Resolved UPS
- 29a-D-6 Si(001)の角度分解光電子分光
- 29a-D-5 Si(001)面からの二次電子放出
- 27a-D-9 Cu(001)-Kの角度分解光電子分光
- 2p-S-9 アモルファス酸化イリジウムのUPSスペクトルと電気化学的特性
- 2p-S-8 低速電子回折像の迅速測定II
- 1a-S-2 Si(001)2×1-Csの低温における構造相転移
- 2a-RJ-9 K/Cu(100)の角度分解型SOR光電子分光
- 13a-PS-11 物性研PGMを用いた分光研究
- 13a-PS-10 物性研SOR超高真空平面回折格子斜入射分光器の特性
- 30p-P-7 NiySi(y=0, 0.5, 1, 1.5, 2, 2.5, 3)からの共鳴型光電子放出 II
- 3a-NGH-23 NiSi_x(x=0,2/5,1/2,2/3,1/1,2/1,∞)からの共鳴型光電子放出
- 1a-S-3 Ge(111)の秩序-無秩序転移と不整合相
- 29a-L-7 MgO(001)からのLEED強度計算
- 30p-BPS-30 シングルドメインPt(001)再配列表面のNO吸着に伴なう構造緩和過程のLEEDによる研究III : シングルドメイン生成機構の考察とまとめ
- 24p-X-2 レーザー励起分子脱離
- 5a-PS-43 NOの吸着に伴うシングルドメインpt(001)再配列表面の、(20×5)から(1×1)への構造緩和過程のLEEDによる研究
- 2a-E-1 (1+1)共鳴多光子イオン化法による、pt(001)-NOの紫外レーザー刺激脱離の研究 II : 照射レーザー偏光依存性
- 2p-T-5 (1+1)共鳴多光子イオン化法による、Pt(100)-NOの紫外レーザー刺激脱離の研究I : 並進・回転エネルギー分布
- 2p-T-4 Pt(100)表面上に化学吸着したNOの紫外レーザー刺激脱離IV : 偏光・波長依存性
- 5a-W-1 Pt(100)表面上に化学吸着したNOの紫外レーザー刺激脱離III
- 5a-B4-4 Pt(100)表面上に化学吸着したNOの光刺激脱離を含む3光子過程によるNO^+の生成。
- 6a-L-11 低速電子の飛行時間法のエネルギー分析による団体表面の研究
- 測定精度の検討 : 電子回折による分子構造決定の精度シンポジウム
- 30p-D-3 Si(001)面へのLi吸着
- 31p-J-9 Si(100)面へのCs吸着
- 4a-U-3 菊池パターンにおける振動励起
- 31p KA-10 MgO(001)面の低速電子エネルギー損失スペクトル
- 1a GB-6 低速電子線照射によるMgO (001) 面からの発光
- 5a-BK-7 MgO(001)の紫外光電子分光の回折効果
- 1a-BH-5 MgO(001)表面の電子状態 II
- 6p-L-8 RHEEDによるMgO(001)表面の研究
- 6a-H-11 低速電子線回折における菊地像の表面波共鳴III
- 低速電子回折における菊池像の固体表面物性研究への応用(「表面電子系の理論」報告,基研短期研究会)
- 5a-P-4 低速電子回折における菊池像の表面波共鳴II
- 5a-P-3 低速電子回折における菊池像の表面波共鳴I
- 12a-J-3 低速電子線による菊池像の測定と考察
- 13p-K-5 低中速電子線回折による菊池パターンの測定
- 11a-S-6 MgO(100)表面近傍の格子欠陥からの2次電子放出
- 28a-K-12 飛行時間型2次電子放出分光によるMgO(100)表面近傍の電子状態・格子振動の測定
- 2p-D-6 UHV飛行時間電子分光装置の開発
- 31a-L-3 飛行時間電子分光法によるNiO(100),MgO(l00)の表面格子振動の観測
- 2p-NM-9 飛行時間法電分光によるSi(100)酸化面の測定
- 1a-BF-13 低速電子分光(VPS,ELS)によるNi-Cr(1:1)合金(001)表面での測定
- 6a-L-9 真空紫外光電子分光法と電子のエネルギー損失スペクトルによるNi単結晶上の酸素吸着
- 6p-J-14 MgO(001)劈開面の真空紫外光電子分光
- 2p-Q-13 MgO(001)劈開面の極紫外光電子スペクトル
- 1p-S-9 Si(111)-Auの光電子回折
- 1p-S-3 Si(111)√×√-Gaの光電子回折
- 30p-D-8 Si(111)√×√-AlのSOR光による光電子回折
- 30p-D-7 Si(111)√×√-GaのSOR光による光電子回折
- 1p-KK-12 低速電子回折像の迅速測定I
- 2p-E-12 アルカリ金属/Cu(001)における構造相転移
- 4a-RJ-10 Si(111)2×1へのCs吸着に伴う表面電子状態の変化
- 2p-RJ-7 Cu(100)上K単原子層の整合・不整合転移
- 12p-Y-8 アルカリ原子/Cu(100)系のLEED観察
- 12p-Y-6 Cs/Si(111)2×1系の光電子スペクトル
- 29p-Y-4 S/Ni(100)からのSOR光による光電子回折
- 28a-E-4 紫外レーザー刺激による吸着分子の脱離機構の研究
- 27a-R-5 (1+1)共鳴多光子イオン化法による、Pt(001)-NOの紫外レーザー刺激脱離の研究III : 吸着状態依存性
- 31a-L-11 Si(111)面の酸化過程の研究
- 2p-NM-10 Si(111)上の酸化膜のイオン衝撃による電子構造の変化
- 6a-C4-8 低速N_2^+イオンの解離性散乱II
- 29a-P-5 超低速イオンの吸着過程 II
- 27p-C-11 Cu(001)上でのN^+とN^+_2イオンの散乱角度分布
- 3a-S-4 Cu(100)上でのN^+_2低速イオンビームの散乱
- 28a-H-11 H(15N,αγ)12C核反応によるH/W(001)のH振動モードの測定(表面・界面)
- 31a-M2-8 シンクロトロン放射VUV,軟X線固体表面分光解析設備(表面・界面)
- 31a-M2-4 K/Si(001)の光電子分光(表面・界面)
- 28a-H-3 金属表面上の吸着種のレーザー誘起脱離(表面・界面)
- 30p-H-6 Si(001)の角度分解光電子分光 II(表面・界面)
- 31a-M2-5 Photoemission study of NaF and KF overlayers on GaAs surfaces.
- 1a-F4-4 Pt(100)上に化学吸着したNOからの紫外レーザー刺激NO+脱離(表面・界面)
- 27a-H-8 Si(001)清浄表面及び修飾表面からの二次電子放出(表面・界面)
- 2p-K3-7 低速N2+イオンの解離性散乱(表面・界面)
- 1p-BG-13 ^1H(^N,αγ_1)^C共鳴核反応によるW(100)表面の水素定量(1p BG 表面・界面)
- 29a-BG-7 Si(001)におけるc(4×2)-2×1間の秩序無秩序転移(29a BG 表面・界面)
- 2p-A1-10 Cu(001)上のK単原子層形成に伴う電子状態の変化(2p A1 表面・界面,量子エレクトロニクス)