相澤 俊 | 東大・理・井野研
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概要
関連著者
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相沢 俊
無機材研
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相澤 俊
物材機構物質研
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相澤 俊
東大・理・井野研
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築野 孝
住友電工
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大門 寛
東大理
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井野 正三
東大 理
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東大 理
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物性研
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物性研
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物・材機構物質研
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東大理
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東大 理
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相沢 俊
東大 理
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築野 孝
東大 理
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東大 理
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東大 理
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理研フロンティア
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東大理
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新井 正男
物材機構
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菱田 俊一
物材機構物質研
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菱田 俊一
物材機構
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菱田 俊一
東京大学工学部工業化学科 : (現)東京大学理学部化学科
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物質・材料研究機構 物質研究所
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常行 真司
東大・理・塚田研
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井上 悟
独立行政法人物質・材料研究機構物質研究所
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物質・材料研究機構
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物質・材料研究機構 物質研究所
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井上 悟
物材機構物質研
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物材機構物質研
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科学技術庁無機材質研究所
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末原 茂
無機材研
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末原 茂
無機材質研究所
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相澤 俊
物・材機構物質研
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新井 正男
計算センター
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永野 眞一郎
東大 理
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末原 茂
内閣府総合科学技術会議事務局
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井上 悟
無機材質研
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菱田 俊一
科学技術庁無機材質研究所
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井上 悟
無機材質研究所
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永野 真一郎
東大・理・井野研
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相沢 俊
東大理
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永野 真一郎
東大理
著作論文
- 19pPSB-26 Te/Ni(111)表面の√構造
- 27pPSA-14 NbB_2(0001)およびZrB_2(0001)表面の内殻準位シフトの第一原理計算(領域9ポスターセッション)(領域9)
- 26a-P-7 イオン励起オージェ電子分光法によるSi(111)表面構造の研究
- 27p-C-10 イオン励起AESによるSi表面の吸着構造の研究
- 1p-S-9 Si(111)-Auの光電子回折
- 1p-S-3 Si(111)√×√-Gaの光電子回折
- 表面(サブゼミ,サブゼミの報告,1985年度物性若手夏の学校報告)
- 5a-E-6 RHEEDによるSi(111)面上へのAl吸着系の構造研究