大門 寛 | 東大理

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概要

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関連著者

• 大門 寛

  東大理

• 井野 正三

  東大理

• 花田 貴

  東大理

• 福谷 克之

  東大理

• 花田 貴

  理研フロンティア

• 手塚 好弘

  東大理

• 築野 孝

  住友電工

• 築野 孝

  東大理

• 相沢 俊

  無機材研

• 相澤 俊

  物材機構物質研

• 相澤 俊

  東大・理・井野研

• 松本 裕敦

  東大 理

• 松本 裕敦

  東大理

• 手塚 好弘

  川鉄ハイテク研

• 長谷川 修司

  東大理

• 山中 俊朗

  北大触媒セ

• 花田 貴

  東工大工材研

• 難波 秀利

  東大理

• 黒田 晴雄

  東大理

• 霜越 文夫

  東大理

• 山中 俊朗

  北大 触媒化学研究セ

• 山中 俊朗

  東大理

• 永野 真一郎

  東大 理

• 遠藤 彰

  東大理

• 永野 真一郎

  東大理

• 河野 祐一

  東大理

• 谷口 雅樹

  広大理

• 菅 滋正

  物性研

• 村田 好正

  物性研

• 難波 秀利

  立命館大理工

• 朽津 耕三

  東大理

• 宮原 恒〓

  Kek Pf

• 小久保 靖

  日本電子

• 遠藤 彰

  東京大学理学部

• 朽津 耕三

  長岡技科大

• 太田 俊明

  広大理

• 山本 陽一

  東大理

• 黒田 晴雄

  東大理、新技術開発事業団

• 金田 修明

  東大理

• 大高 明浩

  東大理

• 林 茂雄

  電通大材料科学

• 富田 健

  日本電子(株)

• 富田 健

  日本電子株式会社

• 日比野 浩樹

  東大・理

• 井野 正三

  東大 理

• 黒田 晴雄

  新技術事業団

• 日比野 浩樹

  東大理

• 原田 嘉晏

  日本電子

• 植山 公助

  新技術

• 李 相吉

  東大理

• 林 茂雄

  電通大材料

• 大門 寛

  奈良先端大物質創成

• 矢部 正也

  富士テクノサーベイ

• 佐藤 則忠

  富士電機総合研

• 相沢 俊

  東大理

• 富田 健

  日本電子

• 出井 陽治

  東大理

• 増田 正孝

  東大理

• 宮原 恒〓

  KEK

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著作論文

• 6p-T-2 RHEED-TRAXSを使った表面構造解析装置の作製
• 26a-P-7 イオン励起オージェ電子分光法によるSi(111)表面構造の研究
• 27p-C-10 イオン励起AESによるSi表面の吸着構造の研究
• 6p-B4-4 Ge(111)表面上のGeの成長
• 30p-TA-1 入射角依存RHEED-TRAXSによるSi(111) : 金属吸着構造の研究
• 30a-D-8 Si(111)-Ge表面の超構造と相転移の研究II
• 4p-E-10 Si,Geの(111)表面上の7×7,5×5,2×8構造に対する統一的模型II
• 4a-RJ-4 Si(111)7×7構造のRHEED強度解析
• 4a-RJ-3 Si,Geの(111)表面上の7×7,5×5,2×8構造に対する統一的模型
• 2a-RJ-12 RHEEDの励起X線分光II
• 31a-T-5 新球面鏡分析器によるシンクロトロン放射光電子の角度分布パターンの測定
• 6a-B4-6 UHV-高分解能SEMの作成
• 14a-J-2 電子線の分子内多重散乱.II.微分散乱断面積の簡便な計算法
• 30a-TA-13 UHV-SEMによるAu、Agの吸着したSi表面の観察
• 6p-T-3 RHEED-TRAXS用X線検出素子の冷却特性
• 5p-W-13 Ge(111)-Sn表面上のGe成長中のRHEED強度振動とX線分光
• 30a-TA-3 Si(111)δ-7×7 : H表面の角度分解光電子分光
• 26p-P-7 アルカリ吸着によるSi(111)7×7表面準位の消滅過程
• 5a-E-6 RHEEDによるSi(111)面上へのAl吸着系の構造研究
• 6p-B4-5 RHEEDによるダイヤモンド(111)表面の観察
• 新型二次元像表示型電子分光器の開発とそれを用いた表面電子回折
• タイトル無し
• 3a-F4-1 円盤状一次元回折パターン(表面・界面)
• 30a-H-12 Si(111)-Ge表面における2種の7×7構造(表面・界面)
• 31a-M2-8 シンクロトロン放射VUV,軟X線固体表面分光解析設備(表面・界面)
• 30p-H-12 Si(111)-Au表面超構造のUPS,XPSによる研究(表面・界面)
• 30p-H-10 電子線励起X線全反射角分光法によるSi、Ge表面の吸着過程と構造の研究 II(表面・界面)
• 30p-H-5 Si(111)-√3×√3Ga構造のRHEEDによる研究(表面・界面)
• 3a-F4-5 Si上のGe成長の研究(表面・界面)
• 30a-H-14 イオン励起AESによるSi(111)-Snの研究(表面・界面)
• 29a-TJ-2 RHEEDによるダイヤモンド(111)表面上のSi吸着系の研究(29aTJ 表面・界面)
• 29a-TJ-6 角度分解光電子分光法によるSi(111)-Li表面の研究(29aTJ 表面・界面)
• 31p-A1-1 RHEEDによるSi(111)-Mg吸着系の観察(31p A1 表面・界面,量子エレクトロニクス)
• 31p-A1-2 Ge(111)7×7-Sn上のアルカリ吸着による7×7構造の研究(31p A1 表面・界面,量子エレクトロニクス)
• 31p-A1-4 Si(111)7×7構造のRHEED強度解析II(31p A1 表面・界面,量子エレクトロニクス)

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