福谷 克之 | 東大理

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著作論文

• 6p-B4-4 Ge(111)表面上のGeの成長
• 30a-D-8 Si(111)-Ge表面の超構造と相転移の研究II
• 5p-W-13 Ge(111)-Sn表面上のGe成長中のRHEED強度振動とX線分光
• 6p-B4-5 RHEEDによるダイヤモンド(111)表面の観察
• 30a-H-12 Si(111)-Ge表面における2種の7×7構造(表面・界面)
• 30p-H-10 電子線励起X線全反射角分光法によるSi、Ge表面の吸着過程と構造の研究 II(表面・界面)
• 3a-F4-5 Si上のGe成長の研究(表面・界面)
• 29a-TJ-2 RHEEDによるダイヤモンド(111)表面上のSi吸着系の研究(29aTJ 表面・界面)

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