花田 貴 | 東大理

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概要

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• 井野 正三

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• 花田 貴

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• 市川 禎宏

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著作論文

• 6p-B4-4 Ge(111)表面上のGeの成長
• 30a-D-8 Si(111)-Ge表面の超構造と相転移の研究II
• 4p-E-10 Si,Geの(111)表面上の7×7,5×5,2×8構造に対する統一的模型II
• 4a-RJ-4 Si(111)7×7構造のRHEED強度解析
• 4a-RJ-3 Si,Geの(111)表面上の7×7,5×5,2×8構造に対する統一的模型
• 2a-RJ-12 RHEEDの励起X線分光II
• 14p-T-6 RHEED-SSD法による螢光X線分光
• 30a-H-12 Si(111)-Ge表面における2種の7×7構造(表面・界面)
• 3p-F4-9 液体金属表面のRHEED I(表面・界面)
• 30p-H-5 Si(111)-√3×√3Ga構造のRHEEDによる研究(表面・界面)
• 31p-A1-4 Si(111)7×7構造のRHEED強度解析II(31p A1 表面・界面,量子エレクトロニクス)

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