5p-W-13 Ge(111)-Sn表面上のGe成長中のRHEED強度振動とX線分光

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1989-09-12

著者

• 霜越 文夫

  東大理

• 井野 正三

  東大理

• 大門 寛

  東大理

• 福谷 克之

  東大理

関連論文

• 3a-C-12 FASTBUSシステムの試作
• 3p-J-4 Si(111)上のInの吸着構造と表面電気伝導
• 31p-PSB-55 Si(111)-√3×√3-Pb上にPbを蒸着した場合の表面構造と電気伝導
• 31a-J-5 電子線励起X線全反射角分光(RHEED-TRAXS)の理論、X線放出角依存性
• 30a-PS-22 低温に於けるAg/Si(111)-√×√-Agの電気伝導
• 29a-J-13 Si(111)表面の構造と光電気伝導
• 28p-PSB-10 Si(111)表面構造に依存した電気伝導の電界効果3
• 2p-PSA-49 Si(111)-√×√-(Au, Ag)からのAgの等温脱離過程
• 2p-PSA-27 Si(111)上のAgのエピタクシャル成長
• 31a-WC-7 In/Si(111)√3x√3-Ga表面構造におけるUHV-SEMコントラストとX線強度の測定
• 31a-WC-6 Si(111)5x2-Auの表面電気伝導とバンドベンディング
• 28p-PSB-22 Si(111) 表面構造に依存した電気伝導の電界効果 2
• 28p-PSB-16 RHEED-TRAXS法によるSi(111)上での2種金属の加熱時における成長様式の観察
• 15a-DH-6 Si(111)√×√-GaにInを吸着させた表面のUHV-SEMによる観察
• 14p-DJ-11 低温のSi(111)表面構造上におけるエピタクシャル成長
• 14p-DJ-6 Si(111)表面構造に依存した電気伝導の電界効果
• 14p-DJ-5 Si(111)上の表面構造に依存した電気伝導とバンドベンデイング
• 13a-PS-11 Si(111)表面上のInのエピタクシャル成長と電気伝導
• 1a-H-2 Si(111)面上に吸着させたAg原子熱脱離過程のイオン励起 : TRAXS(total reflection angle x-ray spectroscopy)による測定
• 1a-H-1 清浄および金属吸着Si(111)表面構造の相転移
• 4a-T-2 高分解能を要求する検出器信号のケーブル伝送
• 退官者の挨拶・退官者を送る
• 27a-ZS-13 Si(111)-(Au, Ag)吸着層からの脱離過程
• 6p-T-2 RHEED-TRAXSを使った表面構造解析装置の作製
• 3p-B4-9 イオン励起TRAXS装置の作成
• 27p-C-10 イオン励起AESによるSi表面の吸着構造の研究
• 10a-KF-10 68000を使用したFASTBUS Processor Interface
• 26a-ZE-2 二次元表示型分析器の改良とグラファイトのバンドの二次元測定
• 25p-PS-40 2次元表示型分析器によるSi(111)δ-7×7-Hの光電子放出パターン
• 6p-B4-4 Ge(111)表面上のGeの成長
• 27p-PSA-11 Ge/Ge(111)結晶成長シミュレーション
• 3p-AG-10 ^MeV ^Ne 反応による重イオン反応実験
• 12p-DL-8 電子線定在波を使った新しい方法による表面構造解析
• 25p-Y-5 入射角依存RHEED-TRAXSによるSi(111)-√×√-Inの構造解析
• 30p-TA-1 入射角依存RHEED-TRAXSによるSi(111) : 金属吸着構造の研究
• 30a-D-8 Si(111)-Ge表面の超構造と相転移の研究II
• 4p-E-10 Si,Geの(111)表面上の7×7,5×5,2×8構造に対する統一的模型II
• 4a-RJ-4 Si(111)7×7構造のRHEED強度解析
• 4a-RJ-3 Si,Geの(111)表面上の7×7,5×5,2×8構造に対する統一的模型
• 2a-RJ-12 RHEEDの励起X線分光II
• 14p-T-6 RHEED-SSD法による螢光X線分光
• 2a-AG-13 ^C(α,2α)反応による^C核のβ_2,β_4変形測定
• 1a-SB-3 ^C核のP,α崩壊測定
• 30p-G-7 低温でRHEEDによるSi(111)面上の金属の成長
• 24p-R-9 RHEEDによるSi(111)-Cu表面構造の解析
• 28a-YE-14 KCI微結晶表面に吸着したAu多重双晶粒子ミセルの電子顕微鏡観察
• 低温に於けるSi(111)-√x√-Ag上のAg蒸着過程のRHEED/STMの観察
• Au吸着Si(111)表面のドメイン構造
• 有機金属ミセルの顕微鏡観察
• 3p-K-10 Au吸着Si(111)表面の高温STM観察II
• マイクロコンピュ-タ制御分光器の製作 (「マイクロコンピュ-タ」)
• 4a-SB-7 直接結合型割算回路
• 4a-FB-9 高計数粒子選別器の実用化(I)重イオンの粒子分離の関数と実測例
• 27p-E-1 高計数の粒子選別器の実用化 (I)粒子選別の凾数と実験
• Si上のAgの表面構造と結晶成長
• 2a-B-2 Si(111)表面上のAgの成長
• 5p-NR-7 Ag/Si系のStranski-Krastanov成長に対する表面汚染効果
• 4p-C-3 RHEEDによるSi(111)面上のAgの成長の初期段階
• 反射高速電子回折(RHEED)によるSi(111)表面上のAgの成長 : 微粒子・薄膜
• 9a-Z-10 Si(111)-Agの表面構造のRHEEDによる研究III
• 6p-L-6 Si(111)-Agの表面構造のRHEEDによる研究
• 31a-T-5 新球面鏡分析器によるシンクロトロン放射光電子の角度分布パターンの測定
• 6a-B4-6 UHV-高分解能SEMの作成
• 15a-DH-5 Si(111)上の2種の金属の成長モードとUHV-SEMによる観察
• 27a-ZS-9 入射角依存RHEED-TRAXSによるSi(111)上のAu, Agの深さ分布の測定
• 12a-Y-5 RHEEDによるSn/Si(110)表面構造の研究
• 3a-U-3 RHEEDによるSi(110)清浄表面の観察
• Si(111)表面上のAgの吸着・脱離過程のその場SEM-SREM観察
• 30a-PS-20 RHEEDによるSi(111)-√×√-Au表面の秩序-無秩序相転移の研究
• 3p-AC-7 Si(m)-In表面のRHEEDによる研究
• 25a-R-6 Si(100)上のInSbの脱離過程
• 2P-E-11 Si(100)上のInSbのエビタクシャル成長の初期過程
• 29a-G-2 Si(111)-7×7、5×2-Au、√×√-Ag表面から放出される2次電子のエネルギー、角度分布
• 27p-PSA-3 UHV-SEMにおける2次電子コントラストの半定量的測定
• 27a-ZS-8 Si(111)-Bi, In吸着構造のUHV-SEM観察
• 30p-BPS-10 Au,Agを同時に吸着させたSi(111)のUHV-SEM観察
• 24p-R-7 室温付近でAgを吸着させたSi(111)の高分解能UHV-SEM観察
• 5p-E-6 UHV-SEMによるAu.Agの吸着したSi(111)の観察
• 30a-TA-13 UHV-SEMによるAu、Agの吸着したSi表面の観察
• 27p-Y-4 RHEEDによるSi(110)-Au系表面構造の研究
• 1p-A-6 Si(111)表面のGa蒸着による表面構造
• 1p-A-5 表面構造に関係した菊池図形の観察
• 1a-A-3 Si(111)7×7構造の模型の検討
• 2a-NM-2 Si(III)7×7構造の逆格子ロッド II
• 1a-N-8 Si(111) 7×7構造の逆格子ロッド
• 3p-U-3 Si(111)7×7およびGe(111)2×8構造の解析
• 3a-U-5 Si(111)7×7構造の電子回折強度II
• 3a-U-4 RHEEDによるGe(111)-Sn,In表面構造の観察 II
• 28a-P-9 Si(111)7×7表面構造の電子回折強度
• 28a-P-8 RHEEDによるGe(111)-Sn, In表面構造の観察
• 27p-Q-2 反射高速電子回折による半導体研究の現状と将来
• 5. Si(111)7×7表面構造の解析(固体表面及び吸着子の理論,研究会報告)
• 数種のアルカリハロゲン化物結晶上に真空蒸着されたパラジウム微粒子の方位と晶癖〔英文〕
• 31p-YF-4 Si(111)-n×1-Ca表面構造のRHEED-STM観察
• 31p-YF-3 Si(111)基板上のCa及びSrの吸着構造と相転移
• 27a-ZD-9 電子回折X線分光によるSi(100)表面におけるGe,Snのドープ過程の研究
• 6p-T-3 RHEED-TRAXS用X線検出素子の冷却特性
• 12a-E-11 高分解能を要求するタイミングディスクリミネェターの性能
• 27a-ZD-8 入射角依存RHEED-TRAXS装置の改良と精密測定
• 5p-W-13 Ge(111)-Sn表面上のGe成長中のRHEED強度振動とX線分光

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク