服部 健雄 | 武蔵工大工
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概要
関連著者
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服部 健雄
武蔵工大工
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服部 健雄
東北大学未来科学技術共同研究センター
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依田 芳卓
JASRI, SPring-8
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高橋 敏男
東京大学物性研究所
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高橋 敏男
東大物性研
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依田 芳卓
Jasri
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三木 一司
物材機構
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矢代 航
物材機構ナノマテ
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隅谷 和嗣
東大物性研
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高橋 健介
武蔵工大工
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三木 一司
物材機構ナノマテ
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三木 一司
電総研
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矢代 航
東大新領域
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矢代 航
物材機構ナノマテ:産総研ナノテク
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服部 健雄
東京工業大学フロンティア研究機構
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三木 一司
物材機構ナノマテ:産総研ナノテク
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三木 一司
物材・材料研究機構 ナノマテリアル研究所
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三木 一司
産業技術総合研究所 ダイヤモンド研究センター
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三木 一司
物質・材料研究機構 ナノマテリアル研究所
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三木 一司
(独)物質・材料研究機構 ナノ有機センター
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三木 一司
(独)物質・材料研究機構ナノ有機センターナノアーキテクチャーグループ
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服部 健雄
東京工大 フロンティア研究機構
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窪田 政一
東大物性研
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村田 好正
物性研
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窪田 政一
物性研
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Heimlich C.V.
物性研
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森田 瑞穂
東北大工
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大見 忠弘
東北大工
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森田 瑞穂
大阪大学大学院工学研究科
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森田 瑞穂
大阪大学大学院工学研究科精密科学・応用物理学専攻
著作論文
- 3a-C4-7 Impurity effects of the SiO_2-Si(100)interface studied by Angle-Resolved UPS
- 13aTJ-9 SiO_2/Si 界面下に誘起されたメゾスコピックスケール歪みの解明 : 位相敏感 X 線回折法による(X 線・粒子線 : X 線, 領域 10)
- 14pXG-10 SiO_2/Si 界面下に誘起された歪み場中の静的構造揺らぎ(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)