三木 一司 | (独)物質・材料研究機構ナノ有機センターナノアーキテクチャーグループ
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概要
関連著者
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三木 一司
物材機構
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三木 一司
電総研
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三木 一司
物質・材料研究機構 ナノマテリアル研究所
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三木 一司
物材・材料研究機構 ナノマテリアル研究所
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三木 一司
物材機構ナノマテ:産総研ナノテク
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三木 一司
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三木 一司
(独)物質・材料研究機構 ナノ有機センター
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依田 芳卓
Jasri
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矢代 航
物材機構ナノマテ:産総研ナノテク
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隅谷 和嗣
東大物性研
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三木 一司
電子技術総合研究所
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矢代 航
東大新領域
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高橋 敏男
東京大学物性研究所
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高橋 敏男
東大物性研
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高橋 健介
武蔵工大工
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東北大学未来科学技術共同研究センター
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服部 健雄
東京工業大学フロンティア研究機構
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依田 芳卓
JASRI, SPring-8
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山崎 聡
産総研ナノテク部門
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依田 芳卓
高輝度光科学研究センター
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坂本 邦博
電総研
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山本 淳
産総研エネルギー技術
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北島 正弘
防衛大理工
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服部 健雄
武蔵工大工
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矢代 航
物材機構ナノマテ
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三木 一司
物材機構ナノマテ
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隅谷 和嗣
東京大学物性研究所
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高橋 健介
武蔵工業大学工学部
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服部 健雄
武蔵工業大学工学部
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三木 一司
産業技術総合研究所ナノテクノロジー研究部門
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成島 哲也
物質・材料研究機構 ナノマテリアル研究所
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坂本 邦博
電子技術総合研究所
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西澤 正泰
半導体MIRAI産業技術総合研究所次世代半導体研究センター
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北島 正弘
物材機構
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服部 健雄
武蔵工業大学シリコンナノ科学研究センター
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阿山 みよし
宇都宮大学大学院工学研究科
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田中 秀和
阪大産研
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椎木 弘
大阪府立大学産学官連携機構先端科学イノベーションセンター
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岩田 太
静岡大学
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大沢 通夫
富士電機アドバンストテクノロジー(株)
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小池 洋二
東北大工
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秋永 広幸
産総研ナノ機能合成プロ
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安藤 康夫
東北大学大学院工学研究科応用物理学専攻
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宮崎 照宣
東北大学原子分子材料科学高等研究機構(WPI)
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吉田 隆
名大工
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斗内 政吉
阪大超伝導フォトニクス
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安藤 康夫
東北大工
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齋藤 彰
大阪大学大学院工学研究科
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竹田 美和
名大工
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向田 昌志
山形大学工学部
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川瀬 晃道
理化学研究所
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川瀬 晃道
理研
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尾崎 雅則
阪大院・工
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尾崎 雅則
阪大・工
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青野 正和
阪大工
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馬渡 健児
東北大院理
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坂本 一之
千葉大院融合
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寿栄松 宏仁
東大理
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和田 隆博
龍谷大理工
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木村 英樹
東海大学
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鎌倉 望
東北大学電気通信研究所
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山本 公
アルバック・ファイ(株)
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秋永 広幸
産総研
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青野 正和
大阪大学大学院工学研究科
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青野 正和
物材機構mana
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依田 芳卓
財団法人高輝度光科学研究センター
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財満 鎭明
名古屋大学大学院工学研究科
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毛塚 博史
東京工科大
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寿栄松 宏仁
東大理物理
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寿栄松 宏仁
東京大学理学部物理教室
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Setvin M.
物材機構
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Eriksson P.
IFM Linkoping Univ.
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Uhrberg R.
IFM Linkoping Univ.
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坂木 一之
東北大院理
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坂田 修身
(財)高輝度光科学研究センター
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勝山 俊夫
東大生研ナノエレ連携研
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八井 浄
長岡技術科学大学極限エネルギー密度工学研究センター
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進藤 春雄
東海大
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田村 收
産総研
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伊藤 雅英
筑波大
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馬場 俊彦
横国大
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藤田 安彦
都立工業高専
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小笠原 宗博
東芝研開セ
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筒井 哲夫
九大院総理工
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小川 真一
松下電器半導体社
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粟野 祐二
富士通研
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藤田 静雄
京大国際融合創造セ
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脇坂 健一郎
三洋電機
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佐藤 芳之
NTT-AT
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白井 肇
埼玉大
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林 康明
京都工繊大工芸
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岡本 隆之
理研
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梶川 浩太郎
東工大
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財満 鎭明
名大
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影島 愽之
NTT物性科学基礎研究所
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鳥海 明
東大
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金田 千穂子
富士通研
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川田 善正
静岡大
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山本 哲也
高知工大
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酒井 朗
名大院工
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櫻庭 政夫
東北大通研
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中川 清和
山梨大工
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梶川 靖友
島根大総理工
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竹田 美和
名大院工
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小田中 紳二
阪大
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田中 三郎
豊橋技大
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王 鎮
情報通信研究機構
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芝山 敦史
ニコン
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佐波 俊哉
KEK
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栖原 敏明
阪大
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宮崎 照宣
東北大院工
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安藤 康夫
東北大院工
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松本 仁
防衛大材料
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鵜殿 治彦
茨城大工
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末益 崇
筑波大物理工
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鈴木 恒則
東海大理
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喜岡 俊英
東理大工
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福井 孝志
北大量集センタ
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高橋 庸夫
NTT物性基礎研
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岡田 勝行
物材機構
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尾松 孝茂
千葉大
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栗村 直
物材機構
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松尾 二郎
京大
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藤原 巧
長岡技科大
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白谷 正治
九大院システム情報
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篠原 正典
長崎大学
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山本 淳
電総研
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太田 敏隆
電総研
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坂田 修身
JASRI
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桑原 裕司
阪大工
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Bowler D.r.
オックスフォード大学
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矢代 航
物質・材料研究機構ナノマテリアル研究所
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三木 一司
物質・材料研究機構ナノマテリアル研究所
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矢代 航
産業技術総合研究所ナノテクノロジー研究部門
-
矢代 航
産総研
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三木 一司
産総研
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向田 昌志
山形大
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Owen J.H.G.
オックスフォード大
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Briggs G.A.D.
オックスフォード大
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Bowler D.
ロンドン大学
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酒井 朗
大阪大学
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Eriksson P.
Ifm Linkoping Univ.:nims
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山崎 聡
JRCAT-融合研
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山本 淳
電子技術総合研究所
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太田 敏隆
電子技術総合研究所
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加藤 英和
名古屋大学大学院工学研究科
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松井 恒雄
名古屋大学大学院工学研究科
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桑原 祐司
理研
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尾崎 雅則
大阪大学
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Funakubo H
Dep. Of Innovative And Engineered Materials Tokyo Inst. Of Technol.
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舟窪 浩
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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金田 千穂子
富士通研究所
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安田 哲二
Jrcat-産総研:次世代半導体-産総研
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林 英樹
名古屋市工業研究所
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宮崎 照宣
東北大工
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林 康明
京都工芸繊維大学大学院
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松尾 二郎
京都大学工学研究科附属量子理工学研究実験センター
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吉本 護
東京工業大学応用セラミックス研究所
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鈴木 恒則
東京工科大学
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藤田 安彦
東京都立産業技術高等専門学校
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山本 哲也
東京都立産業技術高等専門学校
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栗村 直
独立行政法人物質・材料研究機構光材料センター
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吉本 護
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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阿山 みよし
宇都宮大学・院・工
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高橋 庸夫
北大
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篠原 正典
長崎大学大学院生産科学研究科
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田中 三郎
豊橋技術科学大学
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松尾 二郎
京大院工
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鳥海 明
東大・物工
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鳥海 明
東大院工
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白井 肇
埼玉大学大学院 理工学研究科 機能材料工学専攻
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蓮沼 隆
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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川田 善正
静岡大学 工学部
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尾松 孝茂
千葉大学大学院自然科学研究科
-
尾松 孝茂
千葉大学
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坂田 修身
Jst-crest:高輝度光科学研
-
坂田 修身
高輝度光科学研究センター
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坂田 修身
Spring-8 Jasri
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坂田 修身
財団法人 高輝度光科学研究センター
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木村 英樹
東海大学大学院総合理工学研究科
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八井 浄
長岡技術科学大学 極限エネルギー密度工学研究センター
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山部 紀久夫
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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栖原 敏明
大阪大学大学院工学研究科
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林康 明
京都工芸繊維大学工芸学部電子情報工学科
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松畑 洋文
電子技術総合研究所
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白谷 正治
九大
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岡田 勝行
千葉大工
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鈴木 恒則
東海大学理学部
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Tanaka S
Superconducting Sensor Laboratory Itami Laboratory
-
Yatsui K
Technological Univ. Nagaoka Nagaoka Jpn
-
Yatsui Kiyoshi
Laboratory Of Beam Technology Department Of Electrical Engineering Nagaoka University Of Technology
-
林 康明
京都工芸繊維大学大学院工芸科学研究科
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伊藤 雅英
筑波大物理工
-
田村 收
産総研 計測標準研究部門
-
大沢 通夫
富士電機アドバンストテクノロジー
-
末益 崇
筑波大
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馬場 俊彦
横浜国立大学工学研究院
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脇坂 健一郎
三洋電機(株)md技開センターbu
-
高橋 庸夫
北海道大学 大学院情報科学研究科
-
福井 孝志
北海道大学大学院情報科学研究科
著作論文
- 30aRD-1 Si(110)-(16×2)表面の電子状態(30aRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 第51回応用物理学関係連合講演会(2004年)
- 13aTJ-9 SiO_2/Si 界面下に誘起されたメゾスコピックスケール歪みの解明 : 位相敏感 X 線回折法による(X 線・粒子線 : X 線, 領域 10)
- 14pXG-10 SiO_2/Si 界面下に誘起された歪み場中の静的構造揺らぎ(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
- SiO_2/Si界面下に誘起された格子歪み : 位相敏感X線回折法による(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 位相敏感X線回折法によるSiO_2/Si界面以下の微小歪みの測定(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)
- 19aTH-5 多波回折を利用したSiO_2/Si界面付近の微小歪みの測定
- 23pWB-8 Si(001)表面上のビスマス原子細線の構造 II : 構造の理論的検討と輸送・熱電特性制御への展開
- Si-Ge系多重量子井戸構造薄膜の熱電特性
- 応用物性
- 応用物性
- 原子的に平坦化されたSi(111)表面へのCuナノ細線の形成と原子間力顕微鏡およびフーリエ変換赤外分光法による評価
- 19pPSB-35 H_2Oの2分子解離吸着によるSi(100)-(2x1)表面上でのC欠陥生成
- 水素化シリコン系薄膜の成長初期過程-走査トンネル顕微鏡によるナノスケール観察-
- X線逆格子イメージング法を用いた表界面ナノ構造評価
- 23pWB-7 Si(001)表面上のビスマス原子細線の構造 I. : X線定在波法による界面構造解析
- 低エネルギー電子照射による結晶欠陥の原子レベル回復現象
- Si表面で形成されるBi細線の電子顕微鏡観察
- DNAテンプレートを利用する金属ナノアレイの調製
- 26a-O-11 Cs/Graphite(0001)の低速電子エネルギー損失スペクトル、オージェ電子スペクトル
- 27aYM-7 プローブ顕微鏡法による半導体格子欠陥・ナノ構造の形成初期過程(領域10, 領域4合同格子欠陥・ナノ(半導体),領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
- 18aWD-5 オゾンによるSi(111)表面のナノスケールサイト選択酸化
- 溶媒蒸発により伴われるDNAのナノファイバ形成
- シリコン(001)表面の欠陥構造 (表面エレクトロニクスに関する調査報告) -- (表面形成と微視構造)
- 24aCE-1 X線多波回折現象を利用したX線照射効果のその場観察(24aCE X線・粒子線(X線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))