西澤 正泰 | 半導体MIRAI産業技術総合研究所次世代半導体研究センター
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概要
関連著者
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西澤 正泰
半導体MIRAI産業技術総合研究所次世代半導体研究センター
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山崎 聡
産総研ナノテク部門
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西澤 正泰
産業技術総合研究所 次世代半導体研究センター
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山崎 聡
筑波大学 電子・物理工学専攻
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山崎 聡
東芝メディカルシステムズ株式会社:jeita超音波専門委員会
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山崎 聡
Jrcat(アトムテクノロジー研究体)-nair(産業技術融合領域研究所)
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三木 一司
物材機構
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三木 一司
電総研
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山崎 聡
JRCAT-融合研
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安田 哲二
Jrcat-産総研:次世代半導体-産総研
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三木 一司
物材機構ナノマテ:産総研ナノテク
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三木 一司
物材・材料研究機構 ナノマテリアル研究所
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三木 一司
産業技術総合研究所 ダイヤモンド研究センター
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三木 一司
物質・材料研究機構 ナノマテリアル研究所
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三木 一司
(独)物質・材料研究機構 ナノ有機センター
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三木 一司
(独)物質・材料研究機構ナノ有機センターナノアーキテクチャーグループ
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西澤 正泰
JRCAT-産総研
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西澤 正泰
半導体miraiプロジェクト 産業技術総合研究所 ナノ電子デバイス研究センター
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安田 哲二
Jrcat-nair
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西澤 正泰
産業技術総合研
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鎌倉 望
東北大学電気通信研究所
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篠原 正典
長崎大学
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森田 行則
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
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高木 信一
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
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三木 一司
産業技術総合研究所ナノテクノロジー研究部門
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高木 信一
東京大学
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金山 敏彦
産業技術総合研究所
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高木 信一
東京大学大学院 工学系研究科
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前田 辰郎
半導体MIRAI産業技術総合研究所次世代半導体研究センター
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篠原 正典
長崎大学大学院生産科学研究科
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蓮沼 隆
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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山部 紀久夫
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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森田 行則
産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター
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前田 辰郎
産業技術総合研究所
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金山 敏彦
産総研次世代半導体
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高木 信一
半導体miraiプロジェクト 超先端電子技術開発機構(aset)
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徳田 規夫
筑波大学 電子・物理工学専攻
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蓮沼 隆
筑波大学 電子・物理工学専攻
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山部 紀久夫
筑波大学 電子・物理工学専攻
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三木 一司
ナノテク部門-産総研
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篠原 正典
東北大電通研
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鎌倉 望
東北大電通研
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木村 康男
東北大電通研
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庭野 道夫
東北大電通研
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篠原 正典
東北大学電気通信研究所
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庭野 道夫
東北大学電気通信研究所ナノスピン実験施設
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多田 哲也
産業技術総合研究所
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金山 敏彦
半導体MIRAIプロジェクト, 産業技術総合研究所 ナノ電子デバイス研究センター
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BOLOTOV Leonid
半導体MIRAIプロジェクト, 産業技術総合研究所 ナノ電子デバイス研究センター
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Bolotov L.
アトムテクノロジー研究体-オングストロームテクノロジー研究機構
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Bolotov Leonid
半導体miraiプロジェクト 産業技術総合研究所 ナノ電子デバイス研究センター
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BOLOTOV Leonid
アトムテクノロジー研究体-オングストロームテクノロジー研究機構
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金山 敏彦
半導体miraiプロジェクト 産業技術総合研究所 ナノ電子デバイス研究センター
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金山 敏彦
産業技術総合研 次世代半導体研究セ
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森田 行則
半導体mirai産業技術総合研究所次世代半導体研究センター
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高木 信一
東大 大学院工学系研究科
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福田 浩一
産業技術総合研究所
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BOLOTOV Leonid
筑波大学
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鈴木 腕
富士通セミコンダクター
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佐藤 成生
富士通セミコンダクター
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有本 宏
産業技術総合研究所
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森田 行則
半導体MIRAI-産総研ASRC
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徳田 規夫
金沢大学大学院自然科学研究科電子情報科学専攻:産業技術総合研究所エネルギー技術研究部門:独立行政法人科学技術振興機構,CREST
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Bolotov L.
:次世代半導体-産総研
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西澤 正泰
MIRAI Project
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井藤 浩志
MIRAI Project
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Bolotov L.
MIRAI Project
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金山 敏彦
MIRAI Project
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西澤 正泰
:次世代半導体-産総研
著作論文
- Ge窒化膜を界面層とするHfO_2/Ge MIS構造の特性(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 原子的に平坦化されたSi(111)表面へのCuナノ細線の形成と原子間力顕微鏡およびフーリエ変換赤外分光法による評価
- 19pPSB-35 H_2Oの2分子解離吸着によるSi(100)-(2x1)表面上でのC欠陥生成
- 24aPS-32 Si(111)-(7×7)表面でのSiH_nCl_吸着におけるCl置換効果
- 走査型トンネル顕微鏡を用いた二次元不純物分布計測
- STMによるキャリア分布測定のデバイスシミュレーション
- 6pPSB-12 Si(100)-(2x1)清浄表面上におけるドーパントのSTM観察(表面界面結晶成長,領域9)