西澤 正泰 | 産業技術総合研究所 次世代半導体研究センター
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
西澤 正泰
産業技術総合研究所 次世代半導体研究センター
-
山崎 聡
産総研ナノテク部門
-
西澤 正泰
半導体MIRAI産業技術総合研究所次世代半導体研究センター
-
山崎 聡
筑波大学 電子・物理工学専攻
-
山崎 聡
東芝メディカルシステムズ株式会社:jeita超音波専門委員会
-
山崎 聡
Jrcat(アトムテクノロジー研究体)-nair(産業技術融合領域研究所)
-
三木 一司
物材機構
-
三木 一司
電総研
-
山崎 聡
JRCAT-融合研
-
安田 哲二
Jrcat-産総研:次世代半導体-産総研
-
三木 一司
物材機構ナノマテ:産総研ナノテク
-
三木 一司
物材・材料研究機構 ナノマテリアル研究所
-
三木 一司
産業技術総合研究所 ダイヤモンド研究センター
-
三木 一司
物質・材料研究機構 ナノマテリアル研究所
-
三木 一司
(独)物質・材料研究機構 ナノ有機センター
-
三木 一司
(独)物質・材料研究機構ナノ有機センターナノアーキテクチャーグループ
-
西澤 正泰
JRCAT-産総研
-
安田 哲二
Jrcat-nair
-
西澤 正泰
産業技術総合研
-
鎌倉 望
東北大学電気通信研究所
-
篠原 正典
長崎大学
-
多田 哲也
産総研次世代半導体研究センター
-
三木 一司
産業技術総合研究所ナノテクノロジー研究部門
-
鈴木 腕
株式会社半導体先端テクノロジーズ 基盤技術研究部
-
篠原 正典
長崎大学大学院生産科学研究科
-
蓮沼 隆
筑波大学大学院数理物質科学研究科
-
有本 宏
MIRAI-Selete
-
山部 紀久夫
筑波大学大学院数理物質科学研究科
-
金山 敏彦
産総研次世代半導体
-
徳田 規夫
筑波大学 電子・物理工学専攻
-
蓮沼 隆
筑波大学 電子・物理工学専攻
-
山部 紀久夫
筑波大学 電子・物理工学専攻
-
三木 一司
ナノテク部門-産総研
-
篠原 正典
東北大電通研
-
鎌倉 望
東北大電通研
-
木村 康男
東北大電通研
-
庭野 道夫
東北大電通研
-
篠原 正典
東北大学電気通信研究所
-
庭野 道夫
東北大学電気通信研究所ナノスピン実験施設
-
多田 哲也
産業技術総合研究所
-
Bolotov L.
アトムテクノロジー研究体-オングストロームテクノロジー研究機構
-
Bolotov Leonid
半導体miraiプロジェクト 産業技術総合研究所 ナノ電子デバイス研究センター
-
BOLOTOV Leonid
アトムテクノロジー研究体-オングストロームテクノロジー研究機構
-
金山 敏彦
産業技術総合研 次世代半導体研究セ
-
福田 浩一
産業技術総合研究所
-
BOLOTOV Leonid
筑波大学
-
鈴木 腕
富士通セミコンダクター
-
佐藤 成生
富士通セミコンダクター
-
有本 宏
産業技術総合研究所
-
西澤 正泰
産業技術総合研究所
-
徳田 規夫
金沢大学大学院自然科学研究科電子情報科学専攻:産業技術総合研究所エネルギー技術研究部門:独立行政法人科学技術振興機構,CREST
著作論文
- 原子的に平坦化されたSi(111)表面へのCuナノ細線の形成と原子間力顕微鏡およびフーリエ変換赤外分光法による評価
- 19pPSB-35 H_2Oの2分子解離吸着によるSi(100)-(2x1)表面上でのC欠陥生成
- 24aPS-32 Si(111)-(7×7)表面でのSiH_nCl_吸着におけるCl置換効果
- STMによるキャリア分布測定のデバイスシミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)