STMによるキャリア分布測定のデバイスシミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
STMによるキャリアプロファイル測定では、探針のポテンシャルが表面ポテンシャルに影響を与え、試料内の電流分布によっても表面ポテンシャルが変動するため、正確なキャリアプロファイルの抽出には、3次元デバイスシミュレーションを用いた解析が必要となる。
- 2011-11-03
著者
-
多田 哲也
産総研次世代半導体研究センター
-
鈴木 腕
株式会社半導体先端テクノロジーズ 基盤技術研究部
-
有本 宏
MIRAI-Selete
-
金山 敏彦
産総研次世代半導体
-
西澤 正泰
産業技術総合研究所 次世代半導体研究センター
-
多田 哲也
産業技術総合研究所
-
Bolotov L.
アトムテクノロジー研究体-オングストロームテクノロジー研究機構
-
Bolotov Leonid
半導体miraiプロジェクト 産業技術総合研究所 ナノ電子デバイス研究センター
-
BOLOTOV Leonid
アトムテクノロジー研究体-オングストロームテクノロジー研究機構
-
金山 敏彦
産業技術総合研 次世代半導体研究セ
-
福田 浩一
産業技術総合研究所
-
BOLOTOV Leonid
筑波大学
-
鈴木 腕
富士通セミコンダクター
-
佐藤 成生
富士通セミコンダクター
-
有本 宏
産業技術総合研究所
-
西澤 正泰
産業技術総合研
-
西澤 正泰
産業技術総合研究所
関連論文
- 22pGR-15 遷移金属内包Siクラスター凝集膜の構造解析(22pGR ゼオライト・クラスレート,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pXJ-4 遷移金属安定化2重グラフェンシート構造のシリコン半導体超薄膜II(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 18aWH-9 遷移金属安定化2重グラフェンシート構造のシリコン半導体超薄膜(ナノ構造量子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- チャネル不純物分布を正確に反映した離散化表面ポテンシャルモデルとその超高速不純物濃度ばらつき解析への応用(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 三次元プロセスシミュレータHySyProSにおける酸化計算部の開発
- 25pA02P 非中性プラズマトラップの高機能化2 : 改善のための検討(プラズマ基礎, (社) プラズマ・核融合学会第21回年会)
- 21aTA-1 遷移金属で安定化したグラフェンシート状単一シリコン原子層の構造モデル(21aTA 領域9,領域7合同 グラフェン・グラファイトの形成と評価II,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 金属クラスターを用いた10nm径シリコン円柱列のエッチング加工 (特集 ナノ加工技術)
- 原子的に平坦化されたSi(111)表面へのCuナノ細線の形成と原子間力顕微鏡およびフーリエ変換赤外分光法による評価
- 19pPSB-35 H_2Oの2分子解離吸着によるSi(100)-(2x1)表面上でのC欠陥生成
- 三次元プロセスシミュレータHySyProSにおける酸化計算部の開発
- ゲートLERがsub-50nm N-MOSFETのextension不純物分布へ及ぼす影響の直接評価(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 25aXA-8 遷移金属内包シリコンクラスターが凝集したアモルファス材料の振動計算(25aXA 液体・アモルファス,領域6(金属,超低温超伝導・密度波))
- 13pWH-6 フッ化フラーレンとシリコン基板表面の電荷移動(FET, 領域 8)
- 14aYD-3 電荷移動ドーピングと点電荷モデルによるシミュレーション(ナノチューブ伝導, 領域 7)
- 13pWH-6 フッ化フラーレンとシリコン基板表面の電荷移動(FET, 領域 7)
- 蛋白質の三次元配置化法
- 3R1400 酵素により駆動される微小運動素子の創製(28.バイオエンジニアリング,一般講演,日本生物物理学会第40回年会)
- 金属クラスターを用いたシリコンナノ円柱の加工とフォトニック結晶の作製
- 3P151ジュール熱による局所領域のキネシンモーターの活性制御
- 25pYF-12 フラーレンおよびその誘導体の電子線照射による構造変化
- 1B1700 キネシン分子で駆動される微小管運動を操る
- 新結晶・新物質 金属クラスターを形成核とするナノ構造の自己形成的エッチング加工
- 25aL-8 金属クラスターを凝縮核とする自己形成マスクを用いたナノ構造のエッチング加工
- 金属クラスターを形成核とするナノ構造のエッチング加工
- 金属クラスタを用いたナノ構造の形成
- 固体物理の応用--フラ-レンを利用した電子線露光用レジストの開発
- 酸窒化ゲート絶縁膜を用いたPMOSの不均一なボロンの熱抜け
- 微細MOSトランジスタの加工揺らぎが二次元キャリア分布に及ぼす影響の直接測定
- Sub-100nm MOSFETのエクステンション領域におけるキャリア分布評価(先端CMOS及びプロセス関連技術)
- 26aTF-4 遷移金属内包シリコンクラスター薄膜の合成と構造評価(ゼオライト・クラスター,領域7,分子性固体・有機導体)
- 24aPS-32 Si(111)-(7×7)表面でのSiH_nCl_吸着におけるCl置換効果
- 走査型トンネル顕微鏡を用いた二次元不純物分布計測
- エリプソメトリー法による微細パターンモニター
- Si(111)-(7×7)表面への水素化シリコンクラスターイオンの堆積
- 28pXE-7 水素化Siクラスターの質量選別成長とSi単結晶表面への堆積
- 28p-ZF-5 水素化シリコンクラスターのシリコン表面上への堆積特性
- 25p-YE-4 Si(111)表面上水素化シリコンクラスターのSTM観察
- 25p-YE-3 水素化シリコンクラスターの輸送・堆積。
- 27aYB-4 シリコンリッチなアモルファス遷移金属シリサイドの構造と電子状態(液体金属,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
- 29pXC-10 遷移金属内包シリコンクラスターの安定性とOctet則(29pXC 領域4,領域5合同 磁性半導体・その他,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 12aYB-12 遷移金属-Si クラスター TMSi_ (TM=Hf, Ta, W, Re, Os, Ir) の安定性(低対称系・格子欠陥, 領域 4)
- 次世代半導体材料・プロセス基盤技術の開発--半導体MIRAIプロジェクト (OHM創刊90周年特集 日本の産業再生に向けて(第2弾))
- 半導体MIRAIプロジェクトとナノテクノロジー
- 23pWB-15 水素化ヒ素シリコンクラスターイオンAsSi_nH_x^+の成長
- 23pTA-3 Lateral assembling of hydrogen-saturated silicon clusters of silicon surfaces
- 23pTA-2 水素化シリコンクラスターイオンを堆積したSi(111)-(7×7)表面の昇温挙動
- 24pW-12 水素化シリコンクラスターのシリコン表面上への堆積 (3)
- 27pZ-13 水素化シリコンクラスターのシリコン表面上への堆積 (2)
- トランジスタ微細化・高性能化のための計測解析技術 (特集 半導体製造分野の計測・解析・試験技術)
- 25aEG-9 遷移金属内包Siクラスターが凝集したアモルファス材料の電子構造解析(25aEG 液体金属,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 28aB13P Kanayama-Trap配位におけるイオンの閉じ込めと輸送の基礎研究(プラズマ基礎)
- STMによるキャリア分布測定のデバイスシミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- STMによるキャリア分布測定のデバイスシミュレーション
- Tunnel FETの非局所モデリング : デバイスモデルと回路モデル(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- C-12-37 トンネルFETを用いたSRAMにおけるマージン改善手法の提案(メモリ及びデバイス・回路強調設計技術,C-12.集積回路,一般セッション)