12aYB-12 遷移金属-Si クラスター TMSi_<12> (TM=Hf, Ta, W, Re, Os, Ir) の安定性(低対称系・格子欠陥, 領域 4)
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 2004-08-25
著者
-
内田 紀行
産総研ナノ電子デバイス研究センター
-
宮崎 剛英
産総研計算科学研究部門
-
金山 敏彦
産総研ナノ電子デバイス研究センター:筑波大学数理物質科学研究科
-
金山 敏彦
産総研次世代半導体
-
内田 紀行
産総研次世代半導体研究センター
-
宮崎 剛英
産総研計算科学
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