23pTH-1 四重極イオントラップを用いた水素化ボロンクラスターの創製II(クラスレート・新物質,領域7,分子性固体・有機導体)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 2007-08-21
著者
-
木村 薫
東大・新領域
-
木村 薫
東大 工
-
内田 紀行
産総研ナノ電子デバイス研究センター
-
大石 佑治
東大・新領域
-
山口 政晃
東大・新領域
-
金山 敏彦
産総研・ナノ電子デバイス研究センター
-
金山 敏彦
産総研ナノ電子デバイス研究センター:筑波大学数理物質科学研究科
-
金山 敏彦
産総研次世代半導体研究センター
-
内田 紀行
産総研・次世代半導体研究センター
-
金山 敏彦
産総研・次世代半導体研究センター
-
金山 敏彦
半導体miraiプロジェクト 産業技術総合研究所 ナノ電子デバイス研究センター
関連論文
- 23aGS-11 六方晶窒化ホウ素へのLiインターカレーションII(23aGS グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22pGR-11 ボロン正20面体クラスター固体へのLiイオン注入(22pGR ゼオライト・クラスレート,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22pGR-15 遷移金属内包Siクラスター凝集膜の構造解析(22pGR ゼオライト・クラスレート,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pHY-4 Al-Pd-Mn準結晶のPdのNi置換における熱電性能(21pHY 準結晶,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 22pGR-14 B_4Cにおける高圧下での微細構造変化(2)(22pGR ゼオライト・クラスレート,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22pGR-13 Liドープα菱面体晶ボロンの超伝導(22pGR ゼオライト・クラスレート,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21aYJ-1 陽電子消滅法によるAlReSi近似結晶の空孔評価と電気物性(21aYJ 準結晶,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 27pYK-1 陽電子消滅法によるAlReSi近似結晶の空孔評価と電気物性(27pYK 準結晶,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 26pYD-8 Li, Me, Vドープβ菱面体晶ボロンの核磁気共鳴(クラスレート2,領域7,分子性固体・有機導体)
- 30pYG-6 Liドープβ菱面体晶ボロンの核磁気共鳴(30pYG クラスレート,領域7(分子性固体・有機導体))
- 1a-F-9 透過型EELSによるB_クラスター固体の電子エネルギー損失スペクトル
- 25aYB-5 AlPdMn準結晶のPdのNi置換と陽電子消滅実験(準結晶,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
- 21pYJ-3 高分解能EELSを用いたAl基合金の内殻電子励起スペクトルの研究(21pYJ 準結晶/液体金属,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 20pYJ-10 Al-Pd-TM (TM:Mn,Re)準結晶の熱電物性(20pYJ 準結晶,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 20pYJ-9 Al_2RuとGa_2Ru結晶の電子密度分布と熱電物性(20pYJ 準結晶,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 24aXP-3 AlPdMn(Si)準結晶及び近似結晶の電気物性 : Al-Ga元素置換効果(準結晶,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
- 24aXP-6 陽電子消滅法を用いた1/1-AlReSi近似結晶の構造型原子空孔からの評価(準結晶,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
- 20aRF-4 陽電子消滅法を用いたAlPdMn(Si)準結晶・近似結晶の空孔サイトの研究(準結晶,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
- 20pRF-1 Cd-Ca系準結晶及び近似結晶の陽電子消滅による研究(準結晶,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
- 28aXE-6 陽電子消滅コインシデンスドップラー測定法による1/1-AlReSi近似結晶の研究(28aXE 準結晶(理論,構造,物性(Al系)),領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 19pYK-9 陽電子消滅法による1/1-AlReSi系近似結晶の研究(準結晶(構造,電子物性,表面,空孔),領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 27pYQ-9 陽電子消滅法による1/1-AlReSiの欠陥サイトの研究(準結晶(構造),領域6(金属,超低音,超電導・密度波))
- 26pYD-9 TEM-EELSによるLiドープ処理alpha-rhombohedral-boronの電子構造の研究(クラスレート2,領域7,分子性固体・有機導体)
- 30pYG-4 α菱面体晶ボロンの高純度化とLiドープによる超伝導探索(30pYG クラスレート,領域7(分子性固体・有機導体))
- 19aRG-2 正方晶ボロンナノベルトのMgドープと電気物性測定II(クラスレート,領域7,分子性固体・有機導体)
- 25aYB-6 透過型電子顕微鏡用いたMgドープボロンナノベルトの電子構造の研究II(25aYB チューブ構造・物性,領域7(分子性固体・有機導体))
- 30aRC-4 透過型電子顕微鏡を用いたMgドープボロンナノベルトの研究(30aRC クラスター・ゼオライト,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23aWF-7 ボロンナノベルトの構造と電気伝導における中性子照射の影響(23aWF ゼオライト・分子性固体,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23pTH-4 ボロンナノベルトの電気伝導における放射線照射の影響(クラスレート・新物質,領域7,分子性固体・有機導体)
- 27aYH-4 六方晶窒化ホウ素へのLiインターカレーション(27aYH グラフェン・グラファイト関連,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21aTA-1 遷移金属で安定化したグラフェンシート状単一シリコン原子層の構造モデル(21aTA 領域9,領域7合同 グラフェン・グラファイトの形成と評価II,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pYK-11 ボロン正20面体クラスター固体の自己補償(シミュレーション,転位,点欠陥・照射損傷),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 26pYD-7 原子内包ボロン系正二十面体クラスターA@B_(A=B, Sc-Zn)の安定性に関するDFT計算(クラスレート2,領域7,分子性固体・有機導体)
- 26pYD-6 B-VおよびB-Zr系アモルファス半導体の金属結合-共有結合転換II(クラスレート2,領域7,分子性固体・有機導体)
- 25pYD-2 バッファガスによるクラスターの水素数制御(クラスレート1,領域7,分子性固体・有機導体)
- 領域7「物性解析技術の進歩と物質機能探索の融合を目指して」(第64回年次大会シンポジウムの報告)
- 内部拡散法により作製したMgB_2線材の構造とJ_c特性
- 30pYG-8 Vドープβ菱面体晶ボロンのホール効果(30pYG クラスレート,領域7(分子性固体・有機導体))
- 30pYG-7 VとMgを共ドープしたβ菱面体晶ボロンの構造と電気物性(30pYG クラスレート,領域7(分子性固体・有機導体))
- 30pYG-3 水素化ボロンクラスターの正二十面体構造から平面構造への遷移エネルギー障壁(30pYG クラスレート,領域7(分子性固体・有機導体))
- 30pYG-2 B_4Cにおける高圧下での微細構造変化(30pYG クラスレート,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23pTG-1 Liドープβ菱面体晶ボロンのサイト占有と電気物性(クラスレート1,領域7,分子性固体・有機導体)
- 23pTG-3 金属ドープβ菱面体晶ボロンの電子状態計算(クラスレート1,領域7,分子性固体・有機導体)
- 19aRG-3 ボロン系正20面体クラスター固体のホール効果測定(クラスレート,領域7,分子性固体・有機導体)
- 19aRG-4 V/Mg/Liドープβ菱面体晶ボロンの電子密度分布解析(クラスレート,領域7,分子性固体・有機導体)
- 19aRG-5 Liドープβ菱面体晶ボロンのドープサイトに関する評価(クラスレート,領域7,分子性固体・有機導体)
- 30aRC-3 Liドープβ菱面体晶ボロンの合成、構造と物性(30aRC クラスター・ゼオライト,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22pWF-11 α-Boronの高温高圧合成の可能性(2)(22pWF クラスレート,領域7(分子性固体・有機導体))
- 26aTF-1 α-Boronにおけるクラスター構造と電子密度の圧力変化(ゼオライト・クラスター,領域7,分子性固体・有機導体)
- 30pYG-1 ボロンナノベルトの構造解析(30pYG クラスレート,領域7(分子性固体・有機導体))
- 26pZB-1 同位体^Bを凝縮したボロンナノベルトの電気物性(26pZB クラスレート,領域7(分子性固体・有機導体))
- 30aRC-5 正方晶ボロンナノベルトの光伝導における環境応答性(30aRC クラスター・ゼオライト,領域7(分子性固体・有機導体))
- 内部Mg拡散法によるMgB_2線材の作製
- 25aXA-8 遷移金属内包シリコンクラスターが凝集したアモルファス材料の振動計算(25aXA 液体・アモルファス,領域6(金属,超低温超伝導・密度波))
- 13pWH-6 フッ化フラーレンとシリコン基板表面の電荷移動(FET, 領域 8)
- 13pWH-6 フッ化フラーレンとシリコン基板表面の電荷移動(FET, 領域 7)
- 20pRA-4 III族正20面体クラスター固体の金属結合-共有結合転換と物性(領域7,領域6,領域8合同シンポジウム かご状ナノ空間を利用した新物質系,領域7,分子性固体・有機導体)
- 20pRA-4 III族正20面体クラスター固体の金属結合-共有結合転換と物性(20pRA 領域7.領域6.領域8合同シンポジウム 主題:かご状ナノ空間を利用した新物質系,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 31a-YL-6 β菱面体晶ボロンのフォトルミネッセンススペクトル
- 15a-K-4 正20面体ボロン系固体の電子構造と光物性
- 31p-M-7 ボロン系固体の電子構造と光物性
- 25a-ZG-8 ボロン系における半導体準結晶の可能性
- 28p-M-14 サッカーボールを含むボロン系固体の電子構造と光物性
- 26aTF-4 遷移金属内包シリコンクラスター薄膜の合成と構造評価(ゼオライト・クラスター,領域7,分子性固体・有機導体)
- 23aZB-3 α-Boronの高圧下における20面体クラスターの変化(23aZB クラスター・ゼオライト,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23aZB-2 水素化ボロンクラスターの構造と結合(23aZB クラスター・ゼオライト,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23pTG-2 ボロン正20面体クラスター固体のELFによる結合評価(クラスレート1,領域7,分子性固体・有機導体)
- α-rhombohedral Boron の超伝導転移温度の圧力依存性
- 20pTG-6 レーザーアニールによるシリコン酸化膜中でのシリコンナノ結晶ドット形成過程(水素ダイナミクス,微粒子・クラスタ,表面磁性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 23pTH-1 四重極イオントラップを用いた水素化ボロンクラスターの創製II(クラスレート・新物質,領域7,分子性固体・有機導体)
- 30aRC-2 四重極イオントラップによる水素化ボロンクラスターの創製(30aRC クラスター・ゼオライト,領域7(分子性固体・有機導体))
- 14pQA-4 多重極イオントラップの特性シミュレーション(プラズマ基礎 : 強結合, 非中性, 波動, 加熱, 領域 2)
- Si(111)-(7×7)表面への水素化シリコンクラスターイオンの堆積
- 28pXE-7 水素化Siクラスターの質量選別成長とSi単結晶表面への堆積
- 28p-ZF-5 水素化シリコンクラスターのシリコン表面上への堆積特性
- 25p-YE-4 Si(111)表面上水素化シリコンクラスターのSTM観察
- 25p-YE-3 水素化シリコンクラスターの輸送・堆積。
- 27aYB-4 シリコンリッチなアモルファス遷移金属シリサイドの構造と電子状態(液体金属,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
- 27pYB-2 Si表面上に堆積したMoを核としたのMoSi_nクラスター形成(27pYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 29pXC-10 遷移金属内包シリコンクラスターの安定性とOctet則(29pXC 領域4,領域5合同 磁性半導体・その他,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pWN-7 多重極イオントラップ装置を用いたクラスター成長(イオン源,イオントラップ,新領域)
- 12aYB-12 遷移金属-Si クラスター TMSi_ (TM=Hf, Ta, W, Re, Os, Ir) の安定性(低対称系・格子欠陥, 領域 4)
- 28pYQ-11 Composite Islands of Hydrogenated Silicon Clusters Formed on Si(111)-(7×7) Surfaces : Formation and Tunneling Spectroscopy Study
- 28pXE-8 ヒ素をドープした水素化シリコンクラスターイオンの構造と電子状態
- 28a-G-13 準結晶Al_Cu_Ru_のESR II
- 25p-Q-5 準結晶Al_Cu_Ru_のESR
- 27pTB-1 物性解析技術の進歩と物質機能探索の融合を目指して : はじめに(27pTB 領域7シンポジウム:物性解析技術の進歩と物質機能探索の融合を目指して,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23pWB-15 水素化ヒ素シリコンクラスターイオンAsSi_nH_x^+の成長
- 8p-E-8 正20面体B_12クラスターの電子状態
- 27pEG-10 Al-Cu-Ru三元系準結晶及び近似結晶の熱電物性(27pEG 準結晶,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 27pEG-8 陽電子をプローブとしたAl系準結晶・近似結晶における空孔型格子欠陥の研究(27pEG 準結晶,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 26pEH-13 AlReSi近似結晶のSPSによる組織改善と陽電子消減法による構造欠陥の評価(26pEH 液体金属・準結晶・金属一般,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 27pEG-11 Al_Pd_(Mn_Fe_x)_9準結晶の作製と熱電特性(27pEG 準結晶,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 27pEG-2 半導体準結晶への2つのアプローチのその後とボロン系準結晶の発見(27pEG 準結晶,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 22pTD-9 ボロン正20面体クラスター固体の自己補償II(22pTD クラスレート系,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27aGF-2 半導体準結晶への2つのアプローチのその後とボロン系"準結晶"の発見(27aGF 準結晶,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 28pEN-1 準結晶の新展開-多様な物質分野との学融合- : はじめに(趣旨説明)(28pEN 領域6,領域7,領域8合向シンポジウム:準結晶の新展開-多様な物質分野との学融合-,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 27aXF-5 ボロン及びアルミの水素化クラスターに関する研究(27aXF 籠状物質・ネットワーク物質,領域7(分子性固体・有機導体))
- 26aDE-4 AlCuRu準結晶の元素置換による熱電物性への影響(準結晶(電子構造・熱電物性),領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 26pDC-10 1/1-AlReSi近似結晶の電気物性の組織改善効果、空孔濃度及び化学結合性(準結晶(物性)・金属間化合物,領域6, ビーム物理領域合同,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))