金山 敏彦 | 産総研・ナノ電子デバイス研究センター

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• 金山 敏彦

  産総研・ナノ電子デバイス研究センター

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  産総研次世代半導体研究センター

• 金山 敏彦

  半導体miraiプロジェクト 産業技術総合研究所 ナノ電子デバイス研究センター

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• 木村 薫

  東大・新領域

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  東大・新領域

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  JRCAT-NAIR

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• 木村 薫

  東京大学大学院新領域創成科学研究科

• 篠塚 雄三

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  東大一新領域

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  筑波大数理物質(電子・物理)

• 村上 裕彦

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• 村上 裕彦

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• 内田 紀行

  産総研次世代半導体研究センター

• 村上 浩一

  筑波大

• 宮崎 剛英

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  和歌山大シス工

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  Jrcat-atp

• Bolotov Leonid

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• 金藤 浩史

  産総研次世代半導体研究センター

• 木村 薫

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• 矢幡 洋

  筑波大院数理物質

• 内田 紀行

  筑波大院数理物質

• 金山 敏彦

  筑波大院数理物質

• 内田 紀行

  度総研一次世代半導体研究センター

• 金山 敏彦

  度総研一次世代半導体研究センター

• 正 知晃

  東京大学大学院新領域

• 三吉 佑治

  東京大学大学院新領域

• OTOV Leonid

  JRCAT-融合研

• 木村 薫

  東京大学大学院工学系研究科材料学

• 桐原 和大

  東大IML:東大新領域

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著作論文

• 21pXJ-4 遷移金属安定化2重グラフェンシート構造のシリコン半導体超薄膜II(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 18aWH-9 遷移金属安定化2重グラフェンシート構造のシリコン半導体超薄膜(ナノ構造量子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25pYD-2 バッファガスによるクラスターの水素数制御(クラスレート1,領域7,分子性固体・有機導体)
• 30pYG-3 水素化ボロンクラスターの正二十面体構造から平面構造への遷移エネルギー障壁(30pYG クラスレート,領域7(分子性固体・有機導体))
• 28p-YL-3 イオントラップを用いたSinH_x^+クラスターの成長
• 26aTF-4 遷移金属内包シリコンクラスター薄膜の合成と構造評価(ゼオライト・クラスター,領域7,分子性固体・有機導体)
• 23aZB-2 水素化ボロンクラスターの構造と結合(23aZB クラスター・ゼオライト,領域7(分子性固体・有機導体))
• 27pZ-12 金属原子を内包した水素化Siクラスターの成長
• 28p-ZF-4 水素化金属-シリコンクラスターイオン : MSi_nH_X^+(M=Ta, W, Re)の成長
• 25p-YE-2 水素化Siクラスターイオン:Si_nH_x^+(n>10)の成長
• 励起ナノプロセッシングの展望
• 水素化シリコンクラスターの安定性と構造
• 23pTH-1 四重極イオントラップを用いた水素化ボロンクラスターの創製II(クラスレート・新物質,領域7,分子性固体・有機導体)
• 30aRC-2 四重極イオントラップによる水素化ボロンクラスターの創製(30aRC クラスター・ゼオライト,領域7(分子性固体・有機導体))
• 14pQA-4 多重極イオントラップの特性シミュレーション(プラズマ基礎 : 強結合, 非中性, 波動, 加熱, 領域 2)
• 27pYB-2 Si表面上に堆積したMoを核としたのMoSi_nクラスター形成(27pYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pWN-7 多重極イオントラップ装置を用いたクラスター成長(イオン源,イオントラップ,新領域)
• 28pYQ-11 Composite Islands of Hydrogenated Silicon Clusters Formed on Si(111)-(7×7) Surfaces : Formation and Tunneling Spectroscopy Study
• 28pXE-8 ヒ素をドープした水素化シリコンクラスターイオンの構造と電子状態

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