内田 紀行 | 産総研次世代半導体研究センター

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概要

• 同名の論文著者
• 産総研次世代半導体研究センターの論文著者

関連著者

• 内田 紀行

  産総研ナノ電子デバイス研究センター

• 金山 敏彦

  産総研ナノ電子デバイス研究センター:筑波大学数理物質科学研究科

• 金山 敏彦

  産総研次世代半導体

• 内田 紀行

  産総研次世代半導体研究センター

• 木村 薫

  東大・新領域

• 桐原 和大

  産総研ナノテク

• 木村 薫

  東大 工

• 多田 哲也

  産総研次世代半導体研究センター

• 大柳 宏之

  産総研光技術部門

• 桐原 和大

  産総研界面ナノ

• 宮崎 剛英

  産総研計算科学研究部門

• 金山 敏彦

  産総研・ナノ電子デバイス研究センター

• 金山 敏彦

  産総研次世代半導体研究センター

• 日浦 英文

  NEC基礎・環境研

• 多田 哲也

  産業技術総合研究所

• 日浦 英文

  NEC 基礎研

• 金藤 浩史

  産総研次世代半導体研究センター

• 木村 薫

  東大大学院新領域

• 日浦 英文

  NECナノエレ研

• 金山 敏彦

  半導体miraiプロジェクト 産業技術総合研究所 ナノ電子デバイス研究センター

• 宮崎 剛英

  産総研計算科学

• 日浦 英文

  Nec基礎研

• 桐原 和大

  東大IML:東大新領域

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著作論文

• 13pWH-6 フッ化フラーレンとシリコン基板表面の電荷移動(FET, 領域 7)
• 26aTF-4 遷移金属内包シリコンクラスター薄膜の合成と構造評価(ゼオライト・クラスター,領域7,分子性固体・有機導体)
• 12aYB-12 遷移金属-Si クラスター TMSi_ (TM=Hf, Ta, W, Re, Os, Ir) の安定性(低対称系・格子欠陥, 領域 4)

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