日浦 英文 | NECナノエレ研

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概要

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関連著者

• 日浦 英文

  NEC 基礎研

• 日浦 英文

  NECナノエレ研

• 日浦 英文

  Nec基礎研

• 日浦 英文

  NEC基礎・環境研

• 金山 敏彦

  産総研ナノ電子デバイス研究センター:筑波大学数理物質科学研究科

• 二瓶 史行

  NEC基礎研

• 落合 幸徳

  JST

• 落合 幸徳

  Nec基礎・環境研究所

• 本郷 廣生

  東京工業大学工学部電気電子工学科

• 二瓶 史行

  Nec基礎・環境研究所

• Nihey F

  Nec Fundamental And Environmental Res. Lab. Tsukuba Jpn

• Nihey Fumiyuki

  Nec Fundamental Research Laboratories

• 本郷 廣生

  NECグリーンイノベーション研究所

• 二瓶 史行

  大阪大学大学院理学研究科物理学専攻

• Nihey Fumiyuki

  Fundamental Research Laboratories Nec Corporation

• 多田 哲也

  産総研次世代半導体研究センター

• 金山 敏彦

  産総研・ナノ電子デバイス研究センター

• 金山 敏彦

  産総研次世代半導体

• 金山 敏彦

  産総研次世代半導体研究センター

• 多田 哲也

  産業技術総合研究所

• 金山 敏彦

  JRCAT-NAIR

• 金山 敏彦

  半導体miraiプロジェクト 産業技術総合研究所 ナノ電子デバイス研究センター

• 日浦 英文

  アトムテクノロジー研究体 (JRCAT)-ATP

• 金山 敏彦

  JRCAT-AIST

• 内田 紀行

  産総研ナノ電子デバイス研究センター

• 本郷 廣生

  NEC基礎研

• 石田 真彦

  NEC基礎・環境研究所

• 落合 幸徳

  Nec基礎・環境研

• 岡田 晋

  筑波大学大学院数理物質科学研究科

• 谷垣 勝己

  Nec基礎研究所

• 谷垣 勝己

  NEC 基礎研

• エブソン トーマス

  NEC 基礎研

• 谷垣 勝巳

  日本電気・基礎研

• 岡田 晋

  筑波大計科セ:crest

• 渡邊 賢司

  物材機構

• 二瓶 史行

  日本電気(株)基礎研

• 落合 幸徳

  日本電気(株)基礎研究所

• 藤田 淳一

  Nec基礎研究所

• 藤田 淳一

  Nec基研

• 河合 孝純

  NECナノエレ研

• 藤田 淳一

  Nec 基礎研

• 宮本 良之

  NECナノ研

• 谷口 尚

  物材研

• 谷口 尚

  物質・材料研究機構 物質研究所

• 谷口 尚

  物質・材料研究機構

• 谷口 尚

  (独)物質・材料研究機構ナノスケール物質萌芽ラボ 超高圧グループ

• 多田 哲也

  産総研・次世代半導体研究センター

• 内田 紀行

  産総研・次世代半導体研究センター

• 金山 敏彦

  産総研・次世代半導体研究センター

• 内田 紀行

  産総研次世代半導体研究センター

• 宮本 良之

  Necナノエレ研

• 谷口 尚

  NIMS

• 谷口 尚

  物質・材料研究機構 超高圧グループ

• 日浦 英文

  日本電気・基礎研

• エブソン トーマス

  日本電気・基礎研

• アジャヤン パリケル

  日本電気・基礎研

• 二瓶 史行

  日本電気(株)基礎・環境研究所ナノテクノロジーtg

• 日浦 英文

  日本電気(株)基礎・環境研究所ナノテクノロジーTG

• 本郷 廣生

  日本電気(株)基礎・環境研究所ナノテクノロジーTG

• 石田 真彦

  日本電気(株)基礎・環境研究所ナノテクノロジーTG

• 二瓶 史行

  技術研究組合 単層cnt融合新材料研究開発機構

• 谷口 尚

  物質・材料研究機構 先端材料プロセスユニット 超高圧グループ

• 多田 哲也

  産総研・次世代半導体

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著作論文

• 21aTA-8 グラフェン引き裂きにおける原子スケール端構造の安定性 : 分子動力学シミュレーション(21aTA 領域9,領域7合同 グラフェン・グラファイトの形成と評価II,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 13pWH-6 フッ化フラーレンとシリコン基板表面の電荷移動(FET, 領域 8)
• 14aYD-3 電荷移動ドーピングと点電荷モデルによるシミュレーション(ナノチューブ伝導, 領域 7)
• 13pWH-6 フッ化フラーレンとシリコン基板表面の電荷移動(FET, 領域 7)
• 30a-C-1 カーボン・ナノチューブの生成機構と構造
• 分子エレクトロニクスの基盤技術(6)カーボンナノチューブトランジスタ
• カーボンナノチューブの抵抗評価と合成
• カーボンナノチューブトランジスタ
• カーボンナノチューブの高性能トランジスタへの応用
• CS-6-4 カーボンナノチューブ(CS-6.ナノデバイスのための薄膜・材料技術-有機と無機/金属から絶縁体-あらゆる可能性を求めて,エレクトロニクス2)
• 水素終端されたSi(100)表面上に自己形成される"分子ワイヤー"
• 27pZ-12 金属原子を内包した水素化Siクラスターの成長
• 28p-ZF-4 水素化金属-シリコンクラスターイオン : MSi_nH_X^+(M=Ta, W, Re)の成長
• 25p-YE-2 水素化Siクラスターイオン:Si_nH_x^+(n>10)の成長
• 31a-D-4 グラファイト表面の電子ビーム加熱による変化
• 27p-J-12 フラーレン、カーボン・ナノチューブの合成と生成機構
• 機械的はく離法で作成した六方晶系窒化ホウ素(hBN)薄膜の評価
• デバイス応用に向けたグラフェン基板の研究開発 (特集 創エネ,省エネ,蓄エネマテリアルとしての「グラフェン」とその可能性)

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