金山 敏彦 | 産総研ナノ電子デバイス研究センター:筑波大学数理物質科学研究科
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概要
関連著者
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金山 敏彦
産総研ナノ電子デバイス研究センター:筑波大学数理物質科学研究科
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内田 紀行
産総研ナノ電子デバイス研究センター
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金山 敏彦
産総研次世代半導体
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金山 敏彦
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金山 敏彦
半導体miraiプロジェクト 産業技術総合研究所 ナノ電子デバイス研究センター
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金山 敏彦
JRCAT-AIST
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JRCAT(融合研)
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多田 哲也
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木村 薫
東大・新領域
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アトムテクノロジー研究体-オングストロームテクノロジー研究機構
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Bolotov Leonid
半導体miraiプロジェクト 産業技術総合研究所 ナノ電子デバイス研究センター
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BOLOTOV Leonid
アトムテクノロジー研究体-オングストロームテクノロジー研究機構
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木村 薫
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山口 政晃
東大・新領域
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Bolotov Leonid
Jrcat-atp
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東大・新領域
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渡辺 美代子
アトムテクノロジー研究体-オングストロームテクノロジー研究機構
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内田 紀行
産総研・次世代半導体研究センター
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金山 敏彦
産総研・次世代半導体研究センター
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渡辺 美代子
アトムテクノロジー研究体(atp)
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日浦 英文
NEC 基礎研
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日浦 英文
NECナノエレ研
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宮崎 剛英
産総研計算科学
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内田 紀行
産総研ナノ電子デバイス
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金山 敏彦
産総研ナノ電子デバイス
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日浦 英文
Nec基礎研
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金山 敏彦
産総研ナノ電子デバイス研究センター
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金山 敏彦
アトムテクノロジー研究体 産業技術総合領域研究所
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内田 紀行
産総研次世代半導体研究センター
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渡辺 美代子
JRCAT(ATP)
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日浦 英文
アトムテクノロジー研究体 (JRCAT)-ATP
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木村 薫
東大工
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内田 紀行
産総研・ナノ電子デバイス研究センター
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古賀 健司
産業技術融合領域研
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古賀 健司
産業技術融合領域研究所
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日浦 英文
NEC基礎・環境研
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多田 哲也
JRCAT-NAIR
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多田 哲也
アトムテクノロジー研究体, 産業技術融合領域研究所
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宮崎 剛英
産総研ナノシステム
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正知 晃
東大・新領域
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内田 紀行
アトムテクノロジー研究体-産業技術融合領域研究所
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桐原 和大
産総研ナノテク
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村上 浩一
筑波大院数物
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村上 浩一
筑波大学数理物質科学研究科
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大柳 宏之
産総研光技術部門
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大岩 和弘
通信総合研究所・生体物性G
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桐原 和大
産総研界面ナノ
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鮫島 健一郎
産総研ナノ電子デバイス研究センター
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松下 祐介
産総研ナノ電子デバイス研究センター
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木村 薫
東京大学大学院新領域創成科学研究科
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上田 太郎
産業技術総合研究所
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大石 佑治
東大一新領域
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山口 政晃
東大一新領域
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木村 薫
東大一新領域
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金山 敏彦
融合研
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中山 高博
Jrcat-atp
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村上 裕彦
アトムテクノロジー研究体(atp)
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村上 裕彦
ATP
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平塚 祐一
北陸先端大・マテリアル
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多田 哲也
産総研・次世代半導体研究センター
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植草 弘一郎
JRCAT-NAIR
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Univ. Birmingham
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平塚 祐一
工技院・融合研
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多田 哲也
工技院・融合研
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金山 敏彦
工技院・融合研
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上田 太郎
工技院・融合研
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内田 紀行
筑波大数理物質(電子・物理)
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大岩 和弘
情報通信研究機構
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Bolotov Leonid
産総研-asrc
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金藤 浩史
産総研次世代半導体研究センター
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木村 薫
東大大学院新領域
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宮崎 剛英
電子技術総合研究所
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Bolotov L.
JRCAT(ATP)
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松下 祐介
産総研ナノ電子デバイス研究センター:筑波大学数理物質科学研究科
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矢幡 洋
筑波大院数理物質
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内田 紀行
筑波大院数理物質
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金山 敏彦
筑波大院数理物質
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内田 紀行
度総研一次世代半導体研究センター
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金山 敏彦
度総研一次世代半導体研究センター
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正 知晃
東京大学大学院新領域
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三吉 佑治
東京大学大学院新領域
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OTOV Leonid
JRCAT-融合研
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鮫島 健一郎
産総研ナノ電子デバイス研究センター:筑波大学数理物質科学研究科
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大岩 和弘
通信総合研
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植草 弘一郎
Jrcat-nair:青学大理工
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木村 薫
東京大学大学院工学系研究科材料学
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多田 哲也
産総研・次世代半導体
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桐原 和大
東大IML:東大新領域
著作論文
- 22pGR-15 遷移金属内包Siクラスター凝集膜の構造解析(22pGR ゼオライト・クラスレート,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21aTA-1 遷移金属で安定化したグラフェンシート状単一シリコン原子層の構造モデル(21aTA 領域9,領域7合同 グラフェン・グラファイトの形成と評価II,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pYD-2 バッファガスによるクラスターの水素数制御(クラスレート1,領域7,分子性固体・有機導体)
- 30pYG-3 水素化ボロンクラスターの正二十面体構造から平面構造への遷移エネルギー障壁(30pYG クラスレート,領域7(分子性固体・有機導体))
- 28p-YL-3 イオントラップを用いたSinH_x^+クラスターの成長
- 25aXA-8 遷移金属内包シリコンクラスターが凝集したアモルファス材料の振動計算(25aXA 液体・アモルファス,領域6(金属,超低温超伝導・密度波))
- 13pWH-6 フッ化フラーレンとシリコン基板表面の電荷移動(FET, 領域 8)
- 13pWH-6 フッ化フラーレンとシリコン基板表面の電荷移動(FET, 領域 7)
- 25pYF-12 フラーレンおよびその誘導体の電子線照射による構造変化
- 1B1700 キネシン分子で駆動される微小管運動を操る
- 新結晶・新物質 金属クラスターを形成核とするナノ構造の自己形成的エッチング加工
- 25aL-8 金属クラスターを凝縮核とする自己形成マスクを用いたナノ構造のエッチング加工
- 金属クラスターを形成核とするナノ構造のエッチング加工
- 金属クラスタを用いたナノ構造の形成
- 固体物理の応用--フラ-レンを利用した電子線露光用レジストの開発
- 26aTF-4 遷移金属内包シリコンクラスター薄膜の合成と構造評価(ゼオライト・クラスター,領域7,分子性固体・有機導体)
- 23aZB-2 水素化ボロンクラスターの構造と結合(23aZB クラスター・ゼオライト,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27pZ-12 金属原子を内包した水素化Siクラスターの成長
- 28p-ZF-4 水素化金属-シリコンクラスターイオン : MSi_nH_X^+(M=Ta, W, Re)の成長
- 25p-YE-2 水素化Siクラスターイオン:Si_nH_x^+(n>10)の成長
- 23pTH-1 四重極イオントラップを用いた水素化ボロンクラスターの創製II(クラスレート・新物質,領域7,分子性固体・有機導体)
- 30aRC-2 四重極イオントラップによる水素化ボロンクラスターの創製(30aRC クラスター・ゼオライト,領域7(分子性固体・有機導体))
- 14pQA-4 多重極イオントラップの特性シミュレーション(プラズマ基礎 : 強結合, 非中性, 波動, 加熱, 領域 2)
- Si(111)-(7×7)表面への水素化シリコンクラスターイオンの堆積
- 28pXE-7 水素化Siクラスターの質量選別成長とSi単結晶表面への堆積
- 28p-ZF-5 水素化シリコンクラスターのシリコン表面上への堆積特性
- 25p-YE-4 Si(111)表面上水素化シリコンクラスターのSTM観察
- 25p-YE-3 水素化シリコンクラスターの輸送・堆積。
- 27aYB-4 シリコンリッチなアモルファス遷移金属シリサイドの構造と電子状態(液体金属,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
- 27pYB-2 Si表面上に堆積したMoを核としたのMoSi_nクラスター形成(27pYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 29pXC-10 遷移金属内包シリコンクラスターの安定性とOctet則(29pXC 領域4,領域5合同 磁性半導体・その他,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pWN-7 多重極イオントラップ装置を用いたクラスター成長(イオン源,イオントラップ,新領域)
- 12aYB-12 遷移金属-Si クラスター TMSi_ (TM=Hf, Ta, W, Re, Os, Ir) の安定性(低対称系・格子欠陥, 領域 4)
- 28pYQ-11 Composite Islands of Hydrogenated Silicon Clusters Formed on Si(111)-(7×7) Surfaces : Formation and Tunneling Spectroscopy Study
- 28pXE-8 ヒ素をドープした水素化シリコンクラスターイオンの構造と電子状態
- 23pWB-15 水素化ヒ素シリコンクラスターイオンAsSi_nH_x^+の成長
- 23pTA-3 Lateral assembling of hydrogen-saturated silicon clusters of silicon surfaces
- 23pTA-2 水素化シリコンクラスターイオンを堆積したSi(111)-(7×7)表面の昇温挙動
- 24pW-12 水素化シリコンクラスターのシリコン表面上への堆積 (3)
- 27pZ-13 水素化シリコンクラスターのシリコン表面上への堆積 (2)
- 25aEG-9 遷移金属内包Siクラスターが凝集したアモルファス材料の電子構造解析(25aEG 液体金属,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))