桐原 和大 | 東大IML:東大新領域

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概要

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関連著者

• 桐原 和大

  東大IML:東大新領域

• 桐原 和大

  産総研ナノテク

• 木村 薫

  東大新領域

• 桐原 和大

  産総研界面ナノ

• 越崎 直人

  産総研ナノテク

• 越崎 直人

  製品科研

• Koshizaki Naoto

  Nanoarchitectonics Research Center (narc) National Institute Of Advanced Industrial Science And Tech

• Koshizaki Naoto

  Nanoarchitectonics Research Center Aist

• 川口 建二

  産総研

• 川口 健二

  産総研ナノテク

• 佐々木 毅

  産総研ナノテク

• 木村 薫

  東大 工

• 佐々木 毅

  物質研

• 川口 建二

  産総研界面ナノ

• 越崎 直人

  産総研界面ナノ

• 越崎 直人

  物質工学工業技術研究所

• Koshizaki N

  National Inst. Materials And Chemical Res. Ibaraki Jpn

• Koshizaki Naoto

  Institute Of Industrial Science University Of Tokyo

• 兵藤 宏

  東理大基礎工

• 曽我 公平

  東理大基礎工

• 佐々木 毅

  産総研界面ナノ

• 清水 禎樹

  産総研ナノテク

• 兵藤 宏

  東大新領域

• 木村 薫

  東大・新領域

• 曽我 公平

  東京理大 基礎工

• 清水 禎樹

  産総研界面ナノ

• 山本 博之

  原子力機構

• 佐藤 庸平

  東北大多元研

• 寺内 正己

  東北大多元研

• 社本 真一

  原子力機構

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  東大新領域

• 越崎 直人

  産総研ナノシステム

• 加藤 健一

  JASRI

• 山田 洋一

  筑波大学大学院数理物質科学研究科

• 山田 洋一

  筑波大院

• 山田 洋一

  原子力機構量子ビーム応用

• 根津 暁充

  東理大基礎工

• Wang Zhongke

  産総研界面ナノ

• 曽我 公平

  東大院新領域

• Soga K

  Univ. Tokyo Tokyo Jpn

• 曽我 公平

  東理大基礎工 材料工学

• Soga Kohei

  Dep. Of Materials Sci. And Technol. Tokyo Univ. Of Sci.

• 曽我 公平

  東理大・基礎工・材料工学

• 岡田 純平

  宇宙航空研究開発機構

• 加藤 健一

  理研

• 高田 昌樹

  理研

• 永地 健紀

  東大新領域

• 江坂 文孝

  原子力機構

• 西堀 英治

  名大工

• 高田 昌樹

  JASRI

• 高田 昌樹

  名大工

• 坂田 誠

  名大工

• 山本 春也

  原子力機構

• 木村 薫

  東京大学

• 金 泓基

  東大新領域

• 岡田 純平

  宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部

• 大柳 宏之

  産総研光技術部門

• 岡田 純平

  東大新領域

• 千葉 則行

  中大理工

• 岩崎 考志

  中大理工

• 内田 紀行

  産総研ナノ電子デバイス研究センター

• 木村 薫

  東京大学大学院新領域創成科学研究科

• 倉橋 毅

  東大創域工

• 二宮 敏行

  中大理工

• 桐原 和大

  東大創域工

• 木村 薫

  東大創域工

• 金山 敏彦

  産総研・ナノ電子デバイス研究センター

• 金山 敏彦

  産総研ナノ電子デバイス研究センター:筑波大学数理物質科学研究科

• 金山 敏彦

  産総研次世代半導体

• 金山 敏彦

  産総研次世代半導体研究センター

• 永田 智啓

  東大工

• 二宮 敏行

  東大理

• 川口 建二

  産総研ナノテク

• Zhongke Wang

  産総研界面ナノ

• Takata Masaki

  Jasri Spring-8

• 内田 紀行

  産総研次世代半導体研究センター

• 加藤 建一

  高輝度光科学研究セ

• 金藤 浩史

  産総研次世代半導体研究センター

• 木村 薫

  東大大学院新領域

• 金山 敏彦

  半導体miraiプロジェクト 産業技術総合研究所 ナノ電子デバイス研究センター

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著作論文

• 22pGR-11 ボロン正20面体クラスター固体へのLiイオン注入(22pGR ゼオライト・クラスレート,領域7(分子性固体・有機導体))
• 19aRG-2 正方晶ボロンナノベルトのMgドープと電気物性測定II(クラスレート,領域7,分子性固体・有機導体)
• 25aYB-6 透過型電子顕微鏡用いたMgドープボロンナノベルトの電子構造の研究II(25aYB チューブ構造・物性,領域7(分子性固体・有機導体))
• 30aRC-4 透過型電子顕微鏡を用いたMgドープボロンナノベルトの研究(30aRC クラスター・ゼオライト,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22pXA-5 Vドープβ菱面体晶ボロンの電子密度分布解析(クラスター・ゼオライト,領域7(分子性固体・有機導体))
• 23aWF-7 ボロンナノベルトの構造と電気伝導における中性子照射の影響(23aWF ゼオライト・分子性固体,領域7(分子性固体・有機導体))
• 23pTH-4 ボロンナノベルトの電気伝導における放射線照射の影響(クラスレート・新物質,領域7,分子性固体・有機導体)
• 27pYH-12 AlPdRe準結晶のESR
• 26pYK-11 ボロン正20面体クラスター固体の自己補償(シミュレーション,転位,点欠陥・照射損傷),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 19aRG-4 V/Mg/Liドープβ菱面体晶ボロンの電子密度分布解析(クラスレート,領域7,分子性固体・有機導体)
• 30pYG-1 ボロンナノベルトの構造解析(30pYG クラスレート,領域7(分子性固体・有機導体))
• 26pZB-1 同位体^Bを凝縮したボロンナノベルトの電気物性(26pZB クラスレート,領域7(分子性固体・有機導体))
• 30aRC-5 正方晶ボロンナノベルトの光伝導における環境応答性(30aRC クラスター・ゼオライト,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22pXA-1 正方晶ボロンナノベルトの高温電気伝導(クラスター・ゼオライト,領域7(分子性固体・有機導体))
• 25aYK-5 正方晶ボロンナノベルトのMgドープと電気物性測定(クラストレート,領域7(分子性固体・有機導体))
• 15aWE-5 正方晶ボロンナノベルトの電気物性(クラスレート・ゼオライト, 領域 7)
• 26aTF-4 遷移金属内包シリコンクラスター薄膜の合成と構造評価(ゼオライト・クラスター,領域7,分子性固体・有機導体)
• 23aTK-7 MBE による AlPdRe 準結晶薄膜の作製と電気物性 II
• 31pZC-12 MBE による AlPdRe 準結晶薄膜の作製と電気物性
• 24pXE-12 MEM/Rietveld法によるAlReSi立方晶近似結晶の電子密度分布(24pXE 準結晶(構造・物性),領域6(金属,超低温,超伝導・密度波分野))

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