金山 敏彦 | 半導体miraiプロジェクト 産業技術総合研究所 ナノ電子デバイス研究センター
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概要
関連著者
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金山 敏彦
半導体miraiプロジェクト 産業技術総合研究所 ナノ電子デバイス研究センター
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金山 敏彦
産総研・ナノ電子デバイス研究センター
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金山 敏彦
産総研次世代半導体研究センター
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金山 敏彦
産総研ナノ電子デバイス研究センター:筑波大学数理物質科学研究科
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産総研ナノ電子デバイス研究センター
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木村 薫
東大・新領域
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木村 薫
東大 工
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東大・新領域
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東大・新領域
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金山 敏彦
JRCAT-NAIR
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金山 敏彦
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産総研・次世代半導体研究センター
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金山 敏彦
産総研・次世代半導体研究センター
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産総研計算科学研究部門
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日浦 英文
NEC 基礎研
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日浦 英文
NECナノエレ研
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日浦 英文
アトムテクノロジー研究体 (JRCAT)-ATP
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日浦 英文
Nec基礎研
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産総研・ナノ電子デバイス研究センター
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正知 晃
東大・新領域
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内田 紀行
JRCAT(融合研)
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金山 敏彦
産業技術総合研 次世代半導体研究セ
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宮崎 剛英
産総研計算科学
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桐原 和大
産総研ナノテク
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大柳 宏之
産総研光技術部門
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桐原 和大
産総研界面ナノ
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金山 敏彦
産総研ナノ電子デバイス研究センター
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東京大学大学院新領域創成科学研究科
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篠塚 雄三
和歌山大
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大石 佑治
東大一新領域
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山口 政晃
東大一新領域
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木村 薫
東大一新領域
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金山 敏彦
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金山 敏彦
アトムテクノロジー研究体 産業技術総合領域研究所
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金山 敏彦
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村上 浩一
筑波大数理物質(電子・物理)
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村上 裕彦
アトムテクノロジー研究体(atp)
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村上 裕彦
ATP
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内田 紀行
産総研次世代半導体研究センター
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村上 浩一
筑波大
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宮崎 剛英
アトムテクノロジー研究体
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西澤 正泰
半導体miraiプロジェクト 産業技術総合研究所 ナノ電子デバイス研究センター
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金山 敏彦
半導体MIRAIプロジェクト, 産業技術総合研究所 ナノ電子デバイス研究センター
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BOLOTOV Leonid
半導体MIRAIプロジェクト, 産業技術総合研究所 ナノ電子デバイス研究センター
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篠塚 雄三
和歌山大シス工
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Bolotov Leonid
Jrcat-atp
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Bolotov L.
アトムテクノロジー研究体-オングストロームテクノロジー研究機構
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Bolotov Leonid
半導体miraiプロジェクト 産業技術総合研究所 ナノ電子デバイス研究センター
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Bolotov Leonid
産総研-asrc
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金藤 浩史
産総研次世代半導体研究センター
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木村 薫
東大大学院新領域
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BOLOTOV Leonid
アトムテクノロジー研究体-オングストロームテクノロジー研究機構
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矢幡 洋
筑波大院数理物質
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内田 紀行
筑波大院数理物質
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金山 敏彦
筑波大院数理物質
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内田 紀行
度総研一次世代半導体研究センター
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金山 敏彦
度総研一次世代半導体研究センター
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正 知晃
東京大学大学院新領域
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三吉 佑治
東京大学大学院新領域
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OTOV Leonid
JRCAT-融合研
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木村 薫
東京大学大学院工学系研究科材料学
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桐原 和大
東大IML:東大新領域
著作論文
- 21pXJ-4 遷移金属安定化2重グラフェンシート構造のシリコン半導体超薄膜II(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 18aWH-9 遷移金属安定化2重グラフェンシート構造のシリコン半導体超薄膜(ナノ構造量子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25pYD-2 バッファガスによるクラスターの水素数制御(クラスレート1,領域7,分子性固体・有機導体)
- 30pYG-3 水素化ボロンクラスターの正二十面体構造から平面構造への遷移エネルギー障壁(30pYG クラスレート,領域7(分子性固体・有機導体))
- 28p-YL-3 イオントラップを用いたSinH_x^+クラスターの成長
- 26aTF-4 遷移金属内包シリコンクラスター薄膜の合成と構造評価(ゼオライト・クラスター,領域7,分子性固体・有機導体)
- 23aZB-2 水素化ボロンクラスターの構造と結合(23aZB クラスター・ゼオライト,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27pZ-12 金属原子を内包した水素化Siクラスターの成長
- 28p-ZF-4 水素化金属-シリコンクラスターイオン : MSi_nH_X^+(M=Ta, W, Re)の成長
- 25p-YE-2 水素化Siクラスターイオン:Si_nH_x^+(n>10)の成長
- 走査型トンネル顕微鏡を用いた二次元不純物分布計測
- 励起ナノプロセッシングの展望
- 水素化シリコンクラスターの安定性と構造
- 23pTH-1 四重極イオントラップを用いた水素化ボロンクラスターの創製II(クラスレート・新物質,領域7,分子性固体・有機導体)
- 30aRC-2 四重極イオントラップによる水素化ボロンクラスターの創製(30aRC クラスター・ゼオライト,領域7(分子性固体・有機導体))
- 14pQA-4 多重極イオントラップの特性シミュレーション(プラズマ基礎 : 強結合, 非中性, 波動, 加熱, 領域 2)
- 27pYB-2 Si表面上に堆積したMoを核としたのMoSi_nクラスター形成(27pYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pWN-7 多重極イオントラップ装置を用いたクラスター成長(イオン源,イオントラップ,新領域)
- 28pYQ-11 Composite Islands of Hydrogenated Silicon Clusters Formed on Si(111)-(7×7) Surfaces : Formation and Tunneling Spectroscopy Study
- 28pXE-8 ヒ素をドープした水素化シリコンクラスターイオンの構造と電子状態