山口 政晃 | 東大・新領域

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• 木村 薫

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• 内田 紀行

  産総研ナノ電子デバイス研究センター

• 大石 佑治

  東大・新領域

• 金山 敏彦

  産総研・ナノ電子デバイス研究センター

• 金山 敏彦

  産総研ナノ電子デバイス研究センター:筑波大学数理物質科学研究科

• 金山 敏彦

  産総研次世代半導体研究センター

• 金山 敏彦

  半導体miraiプロジェクト 産業技術総合研究所 ナノ電子デバイス研究センター

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• 金山 敏彦

  産総研・次世代半導体研究センター

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著作論文

• 26pYD-7 原子内包ボロン系正二十面体クラスターA@B_(A=B, Sc-Zn)の安定性に関するDFT計算(クラスレート2,領域7,分子性固体・有機導体)
• 25pYD-2 バッファガスによるクラスターの水素数制御(クラスレート1,領域7,分子性固体・有機導体)
• 30pYG-3 水素化ボロンクラスターの正二十面体構造から平面構造への遷移エネルギー障壁(30pYG クラスレート,領域7(分子性固体・有機導体))
• 23aZB-2 水素化ボロンクラスターの構造と結合(23aZB クラスター・ゼオライト,領域7(分子性固体・有機導体))
• 23pTH-1 四重極イオントラップを用いた水素化ボロンクラスターの創製II(クラスレート・新物質,領域7,分子性固体・有機導体)
• 30aRC-2 四重極イオントラップによる水素化ボロンクラスターの創製(30aRC クラスター・ゼオライト,領域7(分子性固体・有機導体))
• 14pQA-4 多重極イオントラップの特性シミュレーション(プラズマ基礎 : 強結合, 非中性, 波動, 加熱, 領域 2)

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