正知 晃 | 東大・新領域
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概要
関連著者
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内田 紀行
産総研ナノ電子デバイス研究センター
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金山 敏彦
産総研・ナノ電子デバイス研究センター
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金山 敏彦
産総研ナノ電子デバイス研究センター:筑波大学数理物質科学研究科
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金山 敏彦
産総研次世代半導体研究センター
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正知 晃
東大・新領域
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金山 敏彦
半導体miraiプロジェクト 産業技術総合研究所 ナノ電子デバイス研究センター
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木村 薫
東大・新領域
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木村 薫
東京大学大学院新領域創成科学研究科
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山口 政晃
東大・新領域
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内田 紀行
産総研・次世代半導体研究センター
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金山 敏彦
産総研・次世代半導体研究センター
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内田 紀行
度総研一次世代半導体研究センター
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金山 敏彦
度総研一次世代半導体研究センター
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正 知晃
東京大学大学院新領域
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三吉 佑治
東京大学大学院新領域
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木村 薫
東京大学大学院工学系研究科材料学
著作論文
- 14pQA-4 多重極イオントラップの特性シミュレーション(プラズマ基礎 : 強結合, 非中性, 波動, 加熱, 領域 2)
- 27pWN-7 多重極イオントラップ装置を用いたクラスター成長(イオン源,イオントラップ,新領域)