30pYG-3 水素化ボロンクラスターの正二十面体構造から平面構造への遷移エネルギー障壁(30pYG クラスレート,領域7(分子性固体・有機導体))

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2009-03-03

著者

• 木村 薫

  東大・新領域

• 木村 薫

  東大 工

• 内田 紀行

  産総研ナノ電子デバイス研究センター

• 大石 佑治

  東大・新領域

• 山口 政晃

  東大・新領域

• 内田 紀行

  産総研・ナノ電子デバイス研究センター

• 金山 敏彦

  産総研・ナノ電子デバイス研究センター

• 金山 敏彦

  産総研ナノ電子デバイス研究センター:筑波大学数理物質科学研究科

• 金山 敏彦

  産総研次世代半導体研究センター

• 金山 敏彦

  半導体miraiプロジェクト 産業技術総合研究所 ナノ電子デバイス研究センター

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