27pYB-2 Si表面上に堆積したMoを核としたのMoSi_nクラスター形成(27pYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 2006-03-04
著者
-
内田 紀行
産総研ナノ電子デバイス研究センター
-
金山 敏彦
産総研・ナノ電子デバイス研究センター
-
金山 敏彦
産総研ナノ電子デバイス研究センター:筑波大学数理物質科学研究科
-
金山 敏彦
産総研次世代半導体研究センター
-
Bolotov Leonid
産総研-asrc
-
金山 敏彦
半導体miraiプロジェクト 産業技術総合研究所 ナノ電子デバイス研究センター
-
矢幡 洋
筑波大院数理物質
-
内田 紀行
筑波大院数理物質
-
金山 敏彦
筑波大院数理物質
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