21aTA-1 遷移金属で安定化したグラフェンシート状単一シリコン原子層の構造モデル(21aTA 領域9,領域7合同 グラフェン・グラファイトの形成と評価II,領域9(表面・界面,結晶成長))
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概要
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- 2008-08-25
著者
-
内田 紀行
産総研ナノ電子デバイス研究センター
-
宮崎 剛英
産総研計算科学研究部門
-
金山 敏彦
産総研ナノ電子デバイス研究センター
-
金山 敏彦
産総研ナノ電子デバイス研究センター:筑波大学数理物質科学研究科
-
金山 敏彦
産総研次世代半導体
-
宮崎 剛英
産総研計算科学
-
内田 紀行
産総研ナノ電子デバイス
-
金山 敏彦
産総研ナノ電子デバイス
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