内田 紀行 | 産総研ナノ電子デバイス

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概要

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関連著者

• 内田 紀行

  産総研ナノ電子デバイス

• 内田 紀行

  産総研ナノ電子デバイス研究センター

• 宮崎 剛英

  産総研計算科学研究部門

• 金山 敏彦

  産総研ナノ電子デバイス研究センター:筑波大学数理物質科学研究科

• 金山 敏彦

  産総研次世代半導体

• 金山 敏彦

  産総研ナノ電子デバイス

• 金山 敏彦

  産総研ナノ電子デバイス研究センター

• 宮崎 剛英

  産総研計算科学

• 宮崎 剛英

  産総研ナノシステム

• 木村 薫

  東大新領域

• 村上 浩一

  筑波大院数物

• 村上 浩一

  筑波大学数理物質科学研究科

• 鮫島 健一郎

  産総研ナノ電子デバイス研究センター

• 松下 祐介

  産総研ナノ電子デバイス研究センター

• 金山 敏彦

  産総研

• 松下 祐介

  産総研ナノ電子デバイス研究センター:筑波大学数理物質科学研究科

• 鮫島 健一郎

  産総研ナノ電子デバイス研究センター:筑波大学数理物質科学研究科

• 山村 仁

  東大新領域

• 福里 俊

  東大新領域

• 大石 祐治

  大阪大

• 内田 紀行

  産総研

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著作論文

• 22pGR-15 遷移金属内包Siクラスター凝集膜の構造解析(22pGR ゼオライト・クラスレート,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21aTA-1 遷移金属で安定化したグラフェンシート状単一シリコン原子層の構造モデル(21aTA 領域9,領域7合同 グラフェン・グラファイトの形成と評価II,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aXA-8 遷移金属内包シリコンクラスターが凝集したアモルファス材料の振動計算(25aXA 液体・アモルファス,領域6(金属,超低温超伝導・密度波))
• 27aYB-4 シリコンリッチなアモルファス遷移金属シリサイドの構造と電子状態(液体金属,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
• 25aEG-9 遷移金属内包Siクラスターが凝集したアモルファス材料の電子構造解析(25aEG 液体金属,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• 26pDC-3 水素化アルミ及びボロンの正20面体及び平面クラスターの研究(準結晶(物性)・金属間化合物,領域6, ビーム物理領域合同,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))

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