宮崎 剛英 | 産総研計算科学研究部門
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概要
関連著者
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宮崎 剛英
産総研計算科学研究部門
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金山 敏彦
産総研次世代半導体
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宮崎 剛英
産総研計算科学
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内田 紀行
産総研ナノ電子デバイス研究センター
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金山 敏彦
産総研ナノ電子デバイス研究センター:筑波大学数理物質科学研究科
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内田 紀行
産総研ナノ電子デバイス
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金山 敏彦
産総研ナノ電子デバイス
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金山 敏彦
産総研ナノ電子デバイス研究センター
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金山 敏彦
産総研・ナノ電子デバイス研究センター
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金山 敏彦
産総研次世代半導体研究センター
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金山 敏彦
半導体miraiプロジェクト 産業技術総合研究所 ナノ電子デバイス研究センター
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金山 敏彦
アトムテクノロジー研究体 産業技術総合領域研究所
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山崎 聡
産総研エネルギー技術
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宮崎 剛英
産総研ナノシステム
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金山 敏彦
産業技術総合研 次世代半導体研究セ
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加藤 宙光
産業技術総合研究所
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村上 浩一
筑波大院数物
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村上 浩一
筑波大学数理物質科学研究科
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鮫島 健一郎
産総研ナノ電子デバイス研究センター
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松下 祐介
産総研ナノ電子デバイス研究センター
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山崎 聡
産総研ダイヤモンド研
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大串 秀世
産総研エネルギー技術
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渡辺 美代子
アトムテクノロジー研究体-オングストロームテクノロジー研究機構
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内田 紀行
産総研次世代半導体研究センター
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渡辺 美代子
アトムテクノロジー研究体(atp)
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加藤 宙光
早稲田大
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加藤 宙光
産総研エネルギー技術
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宮崎 剛英
アトムテクノロジー研究体
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内田 紀行
筑波大数理物質(電子・物理)
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Bolotov L.
アトムテクノロジー研究体-オングストロームテクノロジー研究機構
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Bolotov Leonid
半導体miraiプロジェクト 産業技術総合研究所 ナノ電子デバイス研究センター
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小倉 政彦
産総研エネルギー技術
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内田 紀行
アトムテクノロジー研究体-産業技術融合領域研究所
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BOLOTOV Leonid
アトムテクノロジー研究体-オングストロームテクノロジー研究機構
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宮崎 剛英
電子技術総合研究所
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松下 祐介
産総研ナノ電子デバイス研究センター:筑波大学数理物質科学研究科
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鮫島 健一郎
産総研ナノ電子デバイス研究センター:筑波大学数理物質科学研究科
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加藤 宙光
(独)産業技術総合研究所エネルギー技術研究部門:CREST c/o 産総研
著作論文
- 22pGR-15 遷移金属内包Siクラスター凝集膜の構造解析(22pGR ゼオライト・クラスレート,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pXJ-4 遷移金属安定化2重グラフェンシート構造のシリコン半導体超薄膜II(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 18aWH-9 遷移金属安定化2重グラフェンシート構造のシリコン半導体超薄膜(ナノ構造量子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21aTA-1 遷移金属で安定化したグラフェンシート状単一シリコン原子層の構造モデル(21aTA 領域9,領域7合同 グラフェン・グラファイトの形成と評価II,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25aXA-8 遷移金属内包シリコンクラスターが凝集したアモルファス材料の振動計算(25aXA 液体・アモルファス,領域6(金属,超低温超伝導・密度波))
- 22pGQ-10 水素化ダイヤモンド表面上のリン原子と原子空孔のエナージェティクス(22pGQ 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 水素化シリコンクラスターの安定性と構造
- Si(111)-(7×7)表面への水素化シリコンクラスターイオンの堆積
- 27aYB-4 シリコンリッチなアモルファス遷移金属シリサイドの構造と電子状態(液体金属,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
- 29pXC-10 遷移金属内包シリコンクラスターの安定性とOctet則(29pXC 領域4,領域5合同 磁性半導体・その他,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 12aYB-12 遷移金属-Si クラスター TMSi_ (TM=Hf, Ta, W, Re, Os, Ir) の安定性(低対称系・格子欠陥, 領域 4)
- 25aYH-2 水素化ダイヤモンド表面へのリンおよびボロン不純物添加エナージェティクス(25aYH 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25aEG-9 遷移金属内包Siクラスターが凝集したアモルファス材料の電子構造解析(25aEG 液体金属,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))