金山 敏彦 | アトムテクノロジー研究体 産業技術総合領域研究所
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概要
関連著者
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金山 敏彦
アトムテクノロジー研究体 産業技術総合領域研究所
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渡辺 美代子
アトムテクノロジー研究体-オングストロームテクノロジー研究機構
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金山 敏彦
産総研ナノ電子デバイス研究センター:筑波大学数理物質科学研究科
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金山 敏彦
産総研次世代半導体
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村上 裕彦
アトムテクノロジー研究体(atp)
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渡辺 美代子
アトムテクノロジー研究体(atp)
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田中 英行
アトムテクノロジー研究体, オングストロームテクノロジ研究機構
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田中 英行
アトムテクノロジー研究体 オングストロームテクノロジ研究機構
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多田 哲也
産総研次世代半導体研究センター
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内田 紀行
産総研ナノ電子デバイス研究センター
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宮崎 剛英
産総研計算科学研究部門
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古賀 健司
産業技術融合領域研
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古賀 健司
産業技術融合領域研究所
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多田 哲也
産業技術総合研究所
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多田 哲也
アトムテクノロジー研究体, 産業技術融合領域研究所
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内田 紀行
アトムテクノロジー研究体-産業技術融合領域研究所
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金山 敏彦
産総研・ナノ電子デバイス研究センター
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金山 敏彦
産総研次世代半導体研究センター
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宮崎 剛英
アトムテクノロジー研究体
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Bolotov L.
アトムテクノロジー研究体-オングストロームテクノロジー研究機構
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Bolotov Leonid
半導体miraiプロジェクト 産業技術総合研究所 ナノ電子デバイス研究センター
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BOLOTOV Leonid
アトムテクノロジー研究体-オングストロームテクノロジー研究機構
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宮崎 剛英
電子技術総合研究所
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金山 敏彦
半導体miraiプロジェクト 産業技術総合研究所 ナノ電子デバイス研究センター
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田中 英行
アトムテクノロジー研究体(atp)
著作論文
- SiおよびSi化合物表面からのSiクラスターの熱脱離(II) - Siクラスターと弱く相互作用するSi安定化グラファイト表面とSiC表面 -
- 1a-F-5 SinHx^+クラスターの質量選択成長
- 28p-YA-3 SinHx^+クラスターの質量選択成長
- 2a-J-12 イオントラップを用いたSiクラスターイオンの捕獲と成長
- 28p-F-4 四重極外部電場を利用したイオントラップ : トラップ特性とクラスター形成
- 金属クラスターを形成核とするナノ構造のエッチング加工
- 金属クラスタを用いたナノ構造の形成
- 水素化シリコンクラスターの安定性と構造
- 原子の世界を体験する
- SiおよびSi化合物表面からのSiクラスタ-の熱脱離(I)-Si表面上でのSiクラスタ-の自発的形成とTa表面上での解離-
- 29p-PSB-32 四重極質量分析器による昇華Si分子の観察
- Si(111)-(7×7)表面への水素化シリコンクラスターイオンの堆積
- 25p-YE-4 Si(111)表面上水素化シリコンクラスターのSTM観察
- 31a-YJ-5 水素化シリコンクラスターの成長・輸送・堆積
- 8p-E-5 水素化シリコンクライスターイオンの成長・輸送特性